WS3202E：過壓和過流保護IC

產品描述：

WS3202E是一款集過壓保護（OVP）和過流保護（OCP）功能于一體的保護設備。當輸入電壓或輸入電流超過閾值時，該設備會關閉內部MOSFET，斷開IN到OUT的連接，以保護負載。此外，過溫保護（OTP）功能會監控芯片溫度，確保設備安全。封裝形式：SOT-23-6L

產品特性：

· 高壓技術

· 輸入電壓：25V

· 輸出上電時間：8ms（典型值）

· OVP閾值：6.1V（典型值）

· OVP響應時間：<1us

· OCP閾值：2A（最小值）

· 輸出放電功能

應用領域：

· GPS設備

· PMP（便攜式媒體播放器）

· MID（移動互聯網設備）

· PAD（平板電腦）

· 數碼相機

· 數字攝像機

     WS3202E是一款功能強大的過壓和過流保護IC，為電子設備提供了雙重安全保障。其高壓技術、快速響應時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應用場合中表現出色，特別適用于需要高穩定性和可靠性的電子設備，如GPS、PMP、MID、PAD以及數碼相機和攝像機等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝，方便集成到各種電路板中，同時其無鉛和無鹵素特性也符合環保要求。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WS72552M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS3202E

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器

產品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態保護：±10kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態保護：40A（5/50ns）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態硅技術

應用領域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備。緊湊、環保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM01125EWS74199Q-10/TR 電流感應放大器 封裝：WQFN-10(1.4x1.8)。

    ESD5431Z-2/TR：電子設備的瞬態電壓守護神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態電壓威脅而設計。其獨特的雙向保護機制，確保在數據線和控制線受到過應力時，能夠迅速抑制電壓波動，保護敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態保護能力，根據IEC61000-4-2標準，它能承受高達±30kV的接觸放電，確保在極端情況下仍能有效保護電路，能夠承受高達40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設計使得集成更為便捷，同時無鉛和不含鹵素的標準也符合環保要求。

    無論是手機、計算機還是微處理器，它都能為這些設備提供堅實的電壓保護，確保它們在各種惡劣環境下都能穩定運行。應用在工業、醫療還是消費電子領域等。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯系我們。

ES9DN12BA瞬態電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時，VCL=20V。

· 固態硅技術：確保器件性能穩定和長壽命。

應用：

· 計算機及其外設：如鍵盤、鼠標、顯示器等。

· 手機

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態電壓抑制器，專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設計。其優異的保護能力、緊湊的封裝和環保特性使其成為各種電子設備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設備，ES9DN12BA都能提供強大的保護，確保設備的穩定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD5411N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性：

溝槽技術

超高密度單元設計

優異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應用：

繼電器、螺線管、電機、LED等的驅動器

DC-DC轉換器電路

電源開關

負載開關

充電應用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進溝槽技術，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應用。可承受-5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素，環保且易于集成。適用于DC-DC轉換、電源開關，驅動繼電器、電機等應用。詳情查閱手冊或聯系我們。 ESD56201D10-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2。規格書WILLSEMI韋爾WAS4735Q

ESD56281N05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS3202E

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術和設計，具有出色的RDS(ON)（導通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩定的走電電壓和出色的導電電阻，這有助于在電子設備中實現高效、穩定的性能。

2：適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用，這些應用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環保封裝，符合現代電子產品的環保要求。

4：具有超高密度電池設計，適用于需要高效率和高穩定性的電池管理系統。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發揮出色的性能。

  在實際應用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現對電流的精確調節，從而實現對電機等設備的控制。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS3202E