WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關，專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應用中，無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標準產品為無鉛和無鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導通電阻：在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度：在10MHz時為-69dB

· 低靜態電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護：HBM為±8000V，MM為±600V

應用領域：

· 手機

· MID（移動互聯網設備）

· 其他便攜式設備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設備。其優異的性能和多種保護功能使其成為現代電子設備中的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WD1033E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM6008

ESD73011N：單線、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用來保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD73011N包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態保護：±20kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用領域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數據傳輸和嚴格ESD防護的應用提供了出色的保護。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系制造商。 規格書WILLSEMI韋爾WNMD2194AWS4603E-5/TR 功率電子開關 封裝：TSOT-25。

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受瞬態電壓的侵害而設計。在現代電子設備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態事件，電路中的敏感組件經常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現，為這些設備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態事件發生時迅速響應，將電壓限制在安全范圍內，從而保護電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸的準確性和穩定性。 其緊湊的封裝設計使得它非常適合用于各種電子設備中，如通信設備、計算機、醫療設備和消費電子產品等。無論是對于工業應用還是日常消費應用，WL2805N33-3/TR都能提供優異的瞬態電壓保護，確保設備的穩定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優異的產品和服務。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持，請隨時聯系我們。

ESD5451N：雙向瞬態電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數據線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備，以及網絡通信設備等。其出色的瞬態電壓抑制能力和穩定性，為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優異的產品和服務。 WS4518D-6/TR 電池管理 封裝：WDFN-6-EP(2x2)。

ESD56151Wxx：電源保護新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態電壓抑制器，是為現代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準，為電路提供強大的浪涌保護，同時遵循IEC61000-4-2標準，提供±30kV的ESD保護。 

     ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計，能迅速將電壓限制在安全范圍內，減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態硅技術確保了出色的穩定性和可靠性，確保在長期使用中仍能保持優異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應用場景，如便攜式電子設備、通信設備、醫療設備以及工業控制系統等。它能從各方面保護電源接口，提高設備穩定性和可靠性，延長使用壽命，降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯系我們。 SS24 肖特基二極管 封裝：SMA(DO-214AC)。規格書WILLSEMI韋爾WNMD2194A

WNM4002-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-523-3。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM6008

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現優異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩定的性能，減少了維護和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現出色，如某些電子設備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現代環保標準。隨著全球對環保意識的日益增強，無鉛器件已成為許多行業的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環保要求。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM6008