鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。 在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。重慶西門康SEMIKRON可控硅

    可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅模塊，它是1種大功率開關型半導體元器件，在線路中用字母符號為“V”、“VT”表達（舊標準中用字母“SCR”表達）。可控硅模塊具備硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下運行，且其運行過程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子線路中。可控硅模塊有很多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類可控硅模塊按其關斷、導通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅、逆導可控硅模塊、門極關斷可控硅模塊（GTO）、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種。（二）按引腳和極性分類可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。（三）按封裝形式分類可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類型。當中，金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形、平板形、圓殼形等很多種；塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種。（四）按電流容量分類可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種。通常，大功率可控硅多選用金屬殼封裝。 重慶西門康SEMIKRON可控硅可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍。

    電動機端電壓波形為正弦波，即全導通狀態；（圖示兩種狀態）當可控硅導通角α1《180°時，電動機端電壓波形如圖實線所示，即非全導通狀態，有效值減小；α1越小，導通狀態越少，則電壓有效值越小，所產生的磁場越小，則電機的轉速越低。但這時電動機電壓和電流波形不連續，波形差，故電動機的噪音大，甚至有明顯的抖動，并帶來干擾。這些現象一般是在微風或低風速時出現，屬正常。由以上的分析可知，采用可控硅調速其電機轉速可連續調節。3.各元器件作用及注意事項D15、R28、R29、E9、Z1、R30、C1組成降壓、整流、慮波穩壓電路，獲得相對直流電壓12V，通過光電偶合器PC817給雙向可控硅BT131提供門極電壓；R25、C15組成RC阻容吸收網絡，解決可控硅導通與截止對電網的干擾，使其符合EMI測試標準；同時防止可控硅兩端電壓突變，造成無門極信號誤導通。TR1選用1A/400V雙向可控硅，TR1有方向性，T1、T2不可接反，否則電路不能正常工作。L2為扼流線圈，防止可控硅回路中電流突變，保護TR1，由于它是儲能元件，在TR1關斷和導通過程中，尖峰電壓接近50V，R24容易受沖擊損壞。

    鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。 可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結。

    一、可控硅的結構和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應用較多。■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號見圖表-26。■從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。■可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。 它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。重慶西門康SEMIKRON可控硅

雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。重慶西門康SEMIKRON可控硅

可控硅工作原理：可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等.可控硅和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點.它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件.重慶西門康SEMIKRON可控硅