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發(fā)光二極管是一種符合綠色照明要求的光源。目前，發(fā)光二極管在很多領(lǐng)域得到普遍應(yīng)用，下面介紹幾點(diǎn)其主要應(yīng)用：（1）電子用品中的應(yīng)用發(fā)光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應(yīng)用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機(jī)等...

整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導(dǎo)致整流橋損壞的原因有以下5個(gè)原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發(fā)不出來。2、負(fù)載短路，絕緣不好，負(fù)荷電流過大引起；...

電流從LED陽極流向陰極時(shí)，半導(dǎo)體晶體就發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光線，光的強(qiáng)弱與電流有關(guān)。以下是傳統(tǒng)發(fā)光二極管所使用的無機(jī)半導(dǎo)體物料和所它們發(fā)光的顏色LED材料材料化學(xué)式顏色鋁砷化鎵砷化鎵砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵（摻雜氧化鋅）AlGaAsGa...

IGBT功率模塊如何選擇？在說IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個(gè)有MOSGate的BJT晶體管，可以簡單理解...

b)整流橋自帶散熱器。1、整流橋不帶散熱器對于整流橋不帶散熱器而采用強(qiáng)迫風(fēng)冷這種情況，其分析的過程同自然冷卻一樣，只不過在計(jì)算整流橋外殼向環(huán)境間散熱的熱阻和PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻時(shí)，對其換熱系數(shù)的選擇應(yīng)該按照強(qiáng)迫風(fēng)冷情形來進(jìn)行，其數(shù)值通常為20~30W/m...

在恢復(fù)電流快速衰減時(shí)，由于外電路電感的作用，會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過程比較慢，晶閘管要恢復(fù)其對反向電壓的阻斷能力還需要一...

二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于，穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過在制造過程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過熱而損壞...

絕緣柵雙極晶體管IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物。其主體部分與晶體管相同，也有集電極和發(fā)射極，但驅(qū)動(dòng)部分卻和場效應(yīng)晶體管相同，是絕緣柵結(jié)構(gòu)。IGBT的工作特點(diǎn)是，控制部分與場效應(yīng)晶體管相同，控制信號(hào)為電壓信號(hào)UGE，輸人阻抗很高，柵極電流...

所述負(fù)載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳，另一端接地。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，第四電容，變壓器，二極管，第五電容，負(fù)載及第...

認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié)，分別稱：陽極，陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中，它...

2）熔體與熔斷器額定電流的確定熔體額定電流大小與負(fù)載大小、負(fù)載性質(zhì)有關(guān)。對于負(fù)載平穩(wěn)、無沖擊電流，如一般照明電路、電熱電路可按負(fù)載電流大小來確定熔體的額定電流。對于有沖擊電流的電動(dòng)機(jī)負(fù)載，為達(dá)到短路保護(hù)目的，又保證電動(dòng)機(jī)正常起動(dòng)，對籠型感應(yīng)電動(dòng)機(jī)其熔斷器熔體的...

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越的應(yīng)用，在較高頻率的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通...

該igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設(shè)置；第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極...

以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島；其中，所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過基島或引線連接所述信號(hào)地管...

IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級(jí)別的芯片可幫助模塊制造商提高產(chǎn)品集成度和功率密度，并有效節(jié)約電路板空間。另外，英飛凌還提供完善的單獨(dú)塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續(xù)流二極管集成封裝的產(chǎn)品，廣...

所有人都知道IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義，但是很少有人詳細(xì)地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說IGBT是由BJT和MOS組成的，它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系，在應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管。這些問題...

1.倒閘操作的概念當(dāng)電氣設(shè)備由一種狀態(tài)轉(zhuǎn)換到另一種狀態(tài)或改變電力系統(tǒng)的運(yùn)行方式時(shí)，需要進(jìn)行一系列的操作，這種操作叫做電氣設(shè)備的倒閘操作。2.電氣設(shè)備狀態(tài)（1）運(yùn)行狀態(tài)：指設(shè)備的斷路器及隔離開關(guān)都在合閘位置，將電源至受電端間的電路接通（包括輔助設(shè)備，如電壓互感器...

保證電弧熄滅的熔絲展開長度按下式計(jì)算：l=160+70Umm式中U—熔斷器的額定電壓kV2、石英砂顆粒度石英砂的顆粒度，對限流式熔斷器的滅弧性能有很大影響。試驗(yàn)表明，顆粒直徑在。3、限制過電壓措施由于限流式熔斷器開斷電路時(shí)，電弧電流被強(qiáng)迫過零，因而易產(chǎn)生過電壓...

什么是熔斷器熔斷器是一種簡單的保護(hù)電器。在農(nóng)村，配電變壓器高、低壓側(cè)都裝有熔斷器作為短路保護(hù)，以防止短路電流對變壓器的損害。另外，各種動(dòng)力和照明裝置也常常采用熔斷器作短路故障或連續(xù)過負(fù)荷的保護(hù)裝置。熔斷器是當(dāng)電流超出限定值時(shí)借助熔體熔化而分?jǐn)嚯娐返?..

保險(xiǎn)絲分?jǐn)嗄芰庉嫯?dāng)介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰Γǖ碾娏鳎┲g的電流作用于保險(xiǎn)絲時(shí)，保險(xiǎn)絲應(yīng)能滿意地動(dòng)作，而且不會(huì)危及周圍環(huán)境。保險(xiǎn)絲被安置的電路的預(yù)期故障電流必須小于標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰﹄娏鳎駝t，當(dāng)故障發(fā)生保險(xiǎn)絲熔斷時(shí)會(huì)出現(xiàn)持續(xù)飛弧、引...

2）熔體與熔斷器額定電流的確定熔體額定電流大小與負(fù)載大小、負(fù)載性質(zhì)有關(guān)。對于負(fù)載平穩(wěn)、無沖擊電流，如一般照明電路、電熱電路可按負(fù)載電流大小來確定熔體的額定電流。對于有沖擊電流的電動(dòng)機(jī)負(fù)載，為達(dá)到短路保護(hù)目的，又保證電動(dòng)機(jī)正常起動(dòng)，對籠型感應(yīng)電動(dòng)機(jī)其熔斷器熔體的...

所述柜體的內(nèi)壁固定有散熱扇，且散熱扇的頂部固定有豎桿，所述豎桿的內(nèi)部設(shè)置有轉(zhuǎn)軸，且轉(zhuǎn)軸的外壁固定有太陽能電板。推薦的，所述防震塊等間距分布于緩沖塊的外壁，且緩沖塊通過***凹槽與柜體構(gòu)成滑動(dòng)結(jié)構(gòu)。推薦的，所述緩沖塊關(guān)于收納箱的中軸線對稱設(shè)置，且收納箱與柜體的中...

封閉式熔斷器：封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷器兩種，如圖3和圖4所示。有填料熔斷器一般用方形瓷管，內(nèi)裝石英砂及熔體，分?jǐn)嗄芰?qiáng)，用于電壓等級(jí)500V以下、電流等級(jí)1KA以下的電路中。無填料密閉式熔斷器將熔體裝入密閉式圓筒中，分?jǐn)嗄芰ι孕。糜?00V以...

而這正是所希望的結(jié)果。在正常工作狀態(tài)，電路內(nèi)部的**取樣電阻對負(fù)載電流周期性地進(jìn)行采樣，因此避免了因過流導(dǎo)致災(zāi)難性后果出現(xiàn)。因此，內(nèi)部過熱保護(hù)電路為變換器提供了安全工作區(qū)（SAO）。其中MAX668是一個(gè)開關(guān)控制器，由它完成升壓功能。電流反饋型升壓控制器（MA...

其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開。快速熔斷器就突出“快”，也就靈敏度高，當(dāng)電路電流一過載，熔絲在焊點(diǎn)的作用下，迅速發(fā)熱，迅速斷開熔絲，好的快速熔斷體其效率相當(dāng)高，主要用來保護(hù)可控硅和一些電子功率元器件。快速熔斷器快速熔斷器的結(jié)構(gòu)、工作原理和特性...

快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔...

所述負(fù)載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳，另一端接地。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，第四電容，變壓器，二極管，第五電容，負(fù)載及第...

折疊摘要應(yīng)用整流橋到電路中，主要考慮它的大工作電流和大反向電壓。針對整流橋不同冷卻方式的選擇和對其散熱過程的詳細(xì)分析，來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義，并在此基礎(chǔ)上提出一種在技術(shù)上可行、使用上操作性強(qiáng)的測量整流橋殼溫的方...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semicondu...

因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來代替整流橋的殼溫，這樣不在測量上易于實(shí)現(xiàn)，還不會(huì)給終的計(jì)算帶來不可容忍的誤差。折疊仿真分析整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí)的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手，用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過程，...