在門極G上加以正電壓或正脈沖信號，則GT0導(dǎo)通；當(dāng)門極上信號消失后，GTO仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)，這與普通SCR性能完全一樣。這時如在門極與陰極之間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖信號，可使GTO關(guān)斷。GTO在門極加負(fù)脈沖關(guān)斷信號時，有一個反向偏置工作安全區(qū)問題。就是指一定條件下GT0能可靠關(guān)斷的陽極電流和陽極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來說，怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經(jīng)標(biāo)注有詳細(xì)的圖，在門極上部也清楚標(biāo)注有希拉數(shù)字4、5、6、7。也就是說可控硅模塊無需極性判別。簡單的判別，可用數(shù)字萬用表的電阻擋位200Ω，測量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6，是否一一對應(yīng)。如不對應(yīng)表示模塊內(nèi)部已經(jīng)出現(xiàn)損壞了。正常時k1與G1正反向電阻值都為一樣14Ω。K2與G2的兩個端點(diǎn)的電阻也應(yīng)該是14Ω。如果測得陰極k與門極G電阻值等于o時，說明元件內(nèi)部己經(jīng)短路擊穿損壞。上面三個電流緊固電極（1~AK2）、（2~K1）、（3~A）。2、將萬用表200MΩ擋位測量，它們之間的電阻值，均為∞無窮大均為好。如果它們?nèi)c(diǎn)之中其中有二點(diǎn)有電阻值，表明模塊已壞。3、可將用于整流作用的模塊可控硅單獨(dú)分為一只可控硅看，為安全起見，采用24V直流穩(wěn)壓電源，與一直流24V5W燈泡如下圖進(jìn)行簡單的判別。 可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等場合。廣西哪里有西門康SEMIKRON可控硅哪家好

可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極：第1層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。內(nèi)蒙古哪里有西門康SEMIKRON可控硅普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。

    一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多。■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26。■從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。■可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。

可控硅模塊作為電路中非常重要的一個基礎(chǔ)元件，它也有好壞之分，其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運(yùn)行質(zhì)量的好壞，所以，在選購可控硅模塊前學(xué)會如何判斷可控硅的好壞是非常重要的，選擇好的可控硅模塊，可以保證運(yùn)行的質(zhì)量和性能。其實(shí)，判斷可控硅模塊是否完好也并不難，需要從四個方面來進(jìn)行檢查和判斷：首先是判斷該元件的三個PN結(jié)是否完好；其次就是在陰極與陽極之間電壓反向連接時能夠阻斷不導(dǎo)通；緊接著就是當(dāng)控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通；第四就是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)。

    可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。 可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類。內(nèi)蒙古哪里有西門康SEMIKRON可控硅

反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。廣西哪里有西門康SEMIKRON可控硅哪家好

    4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。可控硅工作原理在分析可控硅工作原理時，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個PNP管和NPN管構(gòu)成，如下圖所示。當(dāng)陽極A端加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號，使得BG2管有基極電流ib2通過，經(jīng)過BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極，故有ib1=ic2，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增，進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通。由于在電路中形成了正反饋，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無法關(guān)斷，即使控制極G端的電流消失，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài)。 廣西哪里有西門康SEMIKRON可控硅哪家好