被光束照射到的電子會吸收光子的能量，但是其中機制遵照的是一種非全有即全無的判據，光子所有能量都必須被吸收，用來克服逸出功，否則這能量會被釋出。假若電子所吸收的能量能夠克服逸出功，并且還有剩余能量，則這剩余能量會成為電子在被發射后的動能。逸出功W是從金屬表面發射出一個光電子所需要的較小能量。如果轉換到頻率的角度來看，光子的頻率必須大于金屬特征的極限頻率，才能給予電子足夠的能量克服逸出功。逸出功與極限頻率之間的關系為其中，h是普朗克常數，W是光頻率為的光子的能量。克服逸出功之后，光電子的比較大動能為其中，hv是光頻率為v的光子所帶有并且被電子吸收的能量。實際物理要求動能必須是正值，因此，光頻率必須大于或等于極限頻率，光電效應才能發生。       樣品和細胞的擴張/收縮 長度相對變化（ΔL）。平臺校準激光干涉儀形貌測量

“光伏效應”。指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。它首先是由光子（光波）轉化為電子、光能量轉化為電能量的過程；其次，是形成電壓過程。有了電壓，就像筑高了大壩，如果兩者之間連通，就會形成電流的回路。光伏發電，其基本原理就是“光伏效應”。太陽能**的任務就是要完成制造電壓的工作。因為要制造電壓，所以完成光電轉化的太陽能電池是陽光發電的關鍵。簡單來說就是在光作用下能使物體產生一定方向電動勢的現象。基于該效應的器件有光電池和光敏二極管、三極管。光電激光干涉儀外形尺寸測量在環境條件下懸臂的共振頻率，不施加壓電致動器的任何振蕩。

擴散型半導體應變片這種應變片是將P型雜質擴散到一個高電阻N型硅基底上，形成一層極薄的P型導電層，然后用超聲波或熱壓焊法焊接引線而制成（圖2）。它的優點是穩定性好，機械滯后和蠕變小，電阻溫度系數也比一般體型半導體應變片小一個數量級。缺點是由于存在P-N結，當溫度升高時，絕緣電阻大為下降。半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。是一種利用半導體單晶硅的壓阻效應制成的一種敏感元件。新型固態壓阻式傳感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用擴散法制成的。

光電效應分為：外光電效應和內光電效應。內光電效應是被光激發所產生的載流子（自由電子或空穴）仍在物質內部運動，使物質的電導率發生變化或產生光生伏特的現象。外光電效應是被光激發產生的電子逸出物質表面，形成真空中的電子的現象。外光電效應在光的作用下，物體內的電子逸出物體表面向外發射的現象叫做外光電效應。外光電效應的一些實驗規律a．只當照射物體的光頻率不小于某個確定值時，物體才能發出光電子，這個頻率叫做極限頻率(或叫做截止頻率)，相應的波長λ0叫做極限波長。不同物質的極限頻率和相應的極限波長 是不同的。對每個樣品旋轉，只要安裝了反射器和傳感器且對齊良好，就可使用多探頭誤差分離技術處理原始干涉測量數據。

光束里的光子所擁有的能量與光的頻率成正比。假若金屬里的自由電子吸收了一個光子的能量，而這能量大于或等于某個與金屬相關的能量閾（閥）值（稱為這種金屬的逸出功），則此電子因為擁有了足夠的能量，會從金屬中逃逸出來，成為光電子；若能量不足，則電子會釋出能量，能量重新成為光子離開，電子能量恢復到吸收之前，無法逃逸離開金屬。增加光束的輻照度會增加光束里光子的“密度”，在同一段時間內激發更多的電子，但不會使得每一個受激發的電子因吸收更多的光子而獲得更多的能量。換言之，光電子的能量與輻照度無關，只與光子的能量、頻率有關。定衛器的觸發運動控置。東莞激光干涉儀金線檢測

更多的測量軸有助于更多的旋轉參數：偏心率，表面質量， 傾斜誤差和徑向運動!平臺校準激光干涉儀形貌測量

被光束照射到的電子會吸收光子的能量，但是其中機制遵照的是一種非全有即全無的判據，光子所有能量都必須被吸收，用來克服逸出功，否則這能量會被釋出。假若電子所吸收的能量能夠克服逸出功，并且還有剩余能量，則這剩余能量會成為電子在被發射后的動能。逸出功W是從金屬表面發射出一個光電子所需要的較小能量。如果轉換到頻率的角度來看，光子的頻率必須大于金屬特征的極限頻率，才能給予電子足夠的能量克服逸出功。逸出功與極限頻率之間的關系為其中，h是普朗克常數，W是光頻率為的光子的能量。克服逸出功之后，光電子的比較大動能為其中，hv是光頻率為v的光子所帶有并且被電子吸收的能量。實際物理要求動能必須是正值，因此，光頻率必須大于或等于極限頻率，光電效應才能發生。平臺校準激光干涉儀形貌測量