ESD保護(hù)二極管電容為0.12pF至100pF。浪涌保護(hù)齊納二極管具有寬結(jié)，以便吸收大量浪涌能量。這類(lèi)二極管的總電容為100pF至600pF，適用于雷電感應(yīng)和開(kāi)關(guān)浪涌的保護(hù)。表1.2顯示ESD保護(hù)二極管和浪涌保護(hù)齊納二極管適用于不同類(lèi)型過(guò)壓浪涌脈沖：保護(hù)二極管（ESD保護(hù)二極管和浪涌保護(hù)齊納二極管）與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別：保護(hù)二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護(hù)二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護(hù)二極管專(zhuān)門(mén)用于保護(hù)電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導(dǎo)通。靜電放電測(cè)試：模擬靜電放電事件，測(cè)試二極管的響應(yīng)時(shí)間和保護(hù)能力。深圳標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL近期價(jià)格

      ESD保護(hù)二極管是一種齊納二極管。當(dāng)二極管反向偏置時(shí)，有很少的電流從陰極流向陽(yáng)極。然而，當(dāng)反向偏壓超過(guò)某一點(diǎn)（稱(chēng)為反向擊穿電壓）時(shí)，反向電流突然增加。隨著反向偏壓增加，無(wú)論二極管流過(guò)的電流大小，二極管都會(huì)形成恒定電壓區(qū)域。利用齊納二極管擊穿電壓（齊納電壓）特性可以構(gòu)成恒壓穩(wěn)壓器，抑制浪涌電壓。齊納穩(wěn)壓二極管用于保持恒定電壓，而ESD保護(hù)二極管用于吸收ESD能量，保護(hù)電路。  反向擊穿電壓反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。廣州定制ESD保護(hù)二極管SR24D3BL型號(hào)售價(jià)ESD二極管可以有效保護(hù)USB、HDMI、Ethernet接口，防止靜電放電造成的電壓瞬變對(duì)內(nèi)部電路的破壞。

       由于ESD保護(hù)二極管反向連接，正常工作時(shí)，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。因此，ESD保護(hù)二極管正常工作時(shí)不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，以下三個(gè)注意事項(xiàng)適用于正常工作狀態(tài)：ESD保護(hù)二極管反向擊穿電壓（VBR）是否充分高于被保護(hù)信號(hào)線(xiàn)的振幅（最大電壓）ESD保護(hù)二極管總電容（CT）相對(duì)于受保護(hù)信號(hào)線(xiàn)的頻率是否足低，信號(hào)極性（即信號(hào)電壓是否像模擬信號(hào)一樣跨GND電位），當(dāng)靜電放電（ESD）進(jìn)入系統(tǒng)時(shí)，ESD保護(hù)二極管要么導(dǎo)通，要么反向擊穿。單向ESD保護(hù)二極管通過(guò)正ESD電擊時(shí)反向擊穿，負(fù)ESD電擊時(shí)導(dǎo)通吸收ESD能量。

        高低鉗位電壓（VC）ESD保護(hù)二極管的波形效果。這些波形采集于受保護(hù)器件（DUP）輸入端。具有低VC的ESD保 護(hù)二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高VC的ESD保護(hù)二極管。ESD波形曲線(xiàn)下的面積越小，受保護(hù)器件（DUP）受到的損壞越小。因此，具有低VC的ESD保護(hù)二極管可提供更好的ESD脈沖保護(hù)。此外，一些ESD保護(hù)二極管在ESD進(jìn)入后不會(huì)立即響應(yīng)。因此，如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護(hù)二極管的VC，則可能施加到受保護(hù)器件，造成故障或破壞。ESD保護(hù)二極管響應(yīng)速度高于其他類(lèi)型保護(hù)器件。此外，東芝正在優(yōu)化芯片工藝和內(nèi)部器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低***個(gè)峰值電壓，從而在初始階段對(duì)ESD峰值電壓提供更可靠的保護(hù)。電子設(shè)備的電源電壓出現(xiàn)異常升高或受到外部浪涌電壓的沖擊，ESD 保護(hù)二極管可以在一定程度上限制電壓上升。

       指接觸放電ESD容限，即通過(guò)與受保護(hù)器件直接接觸放電。ESD容限是根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法和ESD波形測(cè)量的。規(guī)定的VESD值是測(cè)試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測(cè)器件（EUT）與放電槍之間通過(guò)空氣層放電。IEC 61000-4-2規(guī)定了試驗(yàn)方法和ESD波形。PPK是ESD保護(hù)二極管本身?yè)p壞之前可以分流的比較大浪涌功率。圖6.1顯示使用8／20μs脈沖波形測(cè)量的峰值脈沖功率。(8／20μs表示波形上升到100%需要8μs，從100%下降到50%需要20μs。)采用高壓抑制器件，可以很好地抑制靜電放電的高壓脈沖。標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR18D3BL型號(hào)價(jià)格

DW05DLC-B-S：東沃品牌的型號(hào)，工作電壓為 5V，保護(hù)線(xiàn)路數(shù)為單路。深圳標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL近期價(jià)格

       EAP配置中低電容ESD保護(hù)二極管：它由三個(gè)二極管組成：低電容二極管1和二極管2（電容分別為C(1)和C(2)）和高電容二極管3（電容為C(3)）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積小，反向擊穿電壓（V(BR)）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（V(BR)）。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管2，然后反向流過(guò)二極管3，因?yàn)槎O管3的V(BR)低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5（a）所示時(shí)，ESD電流不會(huì)反向流過(guò)二極管1和二極管2。因此，這個(gè)電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5（b）顯示這個(gè)ESD保護(hù)二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯(lián)，可以減小組合電容。此外，由于該電路V(BR)由二極管3的V(BR)決定，因此可以根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)線(xiàn)調(diào)整二極管3的V(BR)，從而提高ESD抗擾度。深圳標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL近期價(jià)格