克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng),以成為高數(shù)信號(hào)傳輸測(cè)試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)。
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室重心團(tuán)隊(duì)成員從業(yè)測(cè)試領(lǐng)域10年以上。實(shí)驗(yàn)室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及附件,使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具。堅(jiān)持以專業(yè)的技術(shù)人員,嚴(yán)格按照行業(yè)測(cè)試規(guī)范,配備高性能的權(quán)能測(cè)試設(shè)備,提供給客戶更精細(xì)更權(quán)能的全方面的專業(yè)服務(wù)。 克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室提供具深度的專業(yè)知識(shí)及一系列認(rèn)證測(cè)試、預(yù)認(rèn)證測(cè)試及錯(cuò)誤排除信號(hào)完整性測(cè)試、多端口矩陣測(cè)試、HDMI測(cè)試、USB測(cè)試等方面測(cè)試服務(wù)。 DDR在信號(hào)測(cè)試中解決的問(wèn)題有那些;安徽DDR測(cè)試故障
DDR測(cè)試
要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求,因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來(lái)說(shuō),不同控制器芯片廠商有不同的要求,目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn),并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來(lái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。 HDMI測(cè)試DDR測(cè)試代理品牌DDR規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立;
DDR測(cè)試
除了DDR以外,近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展,由DDR技術(shù)演變過(guò)來(lái)的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景,相對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來(lái)說(shuō)會(huì)采用更低的工作電壓,而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些,有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù),比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù),更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是,更低的工作電壓對(duì)于電源紋波和串?dāng)_噪聲會(huì)更敏感,其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外,LPDDR還會(huì)采用一些額外的技術(shù)來(lái)節(jié)省功耗,比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新,以及一些對(duì)低功耗的支持。同時(shí),LPDDR的芯片一般體積更小,因此占用的PCB空間更小。
對(duì)于DDR2和DDR3,時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里,DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率,當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然,在同樣的長(zhǎng)度下,差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果,時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外,必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸,所以,需要在每一個(gè)字節(jié)里,它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配,而且不能有過(guò)孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低,所以換層走線是沒多大問(wèn)題的,在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR3總線的解碼方法;
14.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述相關(guān)信號(hào)包括dqs信號(hào)、clk信號(hào)和dq信號(hào),所述標(biāo)志信號(hào)為dqs信號(hào)。15.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述根據(jù)標(biāo)志信號(hào)對(duì)示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置,具體包括:16.利用示波器分別采集標(biāo)志信號(hào)在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過(guò)程中的電平幅值;17.對(duì)標(biāo)志信號(hào)在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過(guò)程中的電平幅值進(jìn)行比較,確定標(biāo)志信號(hào)的電平閾值;18.在示波器中配置標(biāo)志信號(hào)的電平閾值。19.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的讀寫信號(hào)進(jìn)行信號(hào)分離,具體包括:20.將標(biāo)志信號(hào)的實(shí)時(shí)電平幅值與標(biāo)志信號(hào)的電平閾值進(jìn)行比較;21.將大于電平閾值的標(biāo)志信號(hào)和小于電平閾值的標(biāo)志信號(hào)分別進(jìn)行信號(hào)的分離,得到數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過(guò)程中的標(biāo)志信號(hào)。一種DDR4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法;上海DDR測(cè)試HDMI測(cè)試
DDR3信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件;安徽DDR測(cè)試故障
5.串?dāng)_在設(shè)計(jì)微帶線時(shí),串?dāng)_是產(chǎn)生時(shí)延的一個(gè)相當(dāng)重要的因素。通常,可以通過(guò)加大并行微帶線之間的間距來(lái)降低串?dāng)_的相互影響,然而,在合理利用走線空間上這是一個(gè)很大的弊端,所以,應(yīng)該控制在一個(gè)合理的范圍里面。典型的一個(gè)規(guī)則是,并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外,地過(guò)孔也起到一個(gè)相當(dāng)重要的作用,圖8顯示了有地過(guò)孔和沒地過(guò)孔的耦合程度,在有多個(gè)地過(guò)孔的情況下,其耦合程度降低了7dB。考慮到互聯(lián)通路的成本預(yù)算,對(duì)于兩邊進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆抡媸潜仨毜?,?dāng)在所有的網(wǎng)線上加一個(gè)周期性的激勵(lì),將會(huì)由串?dāng)_產(chǎn)生的信號(hào)抖動(dòng),通過(guò)仿真,可以在時(shí)域觀察信號(hào)的抖動(dòng),從而通過(guò)合理的設(shè)計(jì),綜合考慮空間和信號(hào)完整性,選擇比較好的走線間距。安徽DDR測(cè)試故障
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