按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。

（1）可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由PNPN四層組成。

（2）可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件：（1〕受正向陽極電壓；（2）受正向門極電壓。（3）可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時可控硅關斷。（4）可控硅的特性主要是：（1）陽極伏安特性曲線，（2）門極伏安特性區。（5）應在額定參數范圍內使用可控硅。 igbt驅動開關逆導可控硅型號齊全現貨銷售；黑龍江ABB可控硅（晶閘管）Infineon英飛凌全新原裝現貨

IGBT兩單元:SKM75GB128DSKM100GB128DSKM145GB128DSKM150GB128DSKM200GB128DSKM300GB128DGAL斬波：SKM145GAL128DSKM300GAL128DSKM400GAL128DGAR斬波：SKM145GAR128DSKM400GAR128D1700V西門康IGBT模塊GA一單元:SKM400GA173DSKM400GA173D1SGB兩單元:SKM75GB173DSKM150GB173DSKM200GB173DSKM200GB173D1GB兩單元:SKM75GB176DSKM100GB176DSKM145GB176DSKM200GB176DSKM400GB176DGAL斬波：SKM145GAL176DSKM200GAL176DSKM400GAL176D：IGBT功率模塊/IGBT智能模塊河北功率半導體igbt可控硅（晶閘管）富士IGBT額定通態電流（IT）即比較大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。

它由電源變壓器、電源穩壓電路、三相同步電路及處理模塊、數字調節器、數字觸發器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉換電路、按鍵參數設定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發板技術參數⑴主電路閥側額定工作線電壓：≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作電源：單相220V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號：三相同步,AC380V，50HZ，電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號：DC0∽10V，內阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤10V，其他需定制(5)IF電流反饋信號：DC0∽5V，內阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤5V，其他需定制。⑹1F電流反饋信號：DC0∽5V，內阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤5V，其他需定制。⑺2F電流反饋信號：DC0∽5V，內阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤5V，其他需定制。⑻電位器給定接口：自帶電源，每個接口只能接一個R≥電位器。⑼儀表控制接口:常規0～10mA儀表控制信號輸入，內阻抗≥500Ω。其他需定制。⑽開關量輸入節點：4路開關量輸入，自帶電源，禁止同其他電源混接。⑾故障及報警繼電板輸出接點：故障和及報警各一對常開接點輸出，容量：AC220V/1A。

600V西門康IGBT模塊西門康（SEMIKRON）技術資料選型參考:

SKM100GB063DSKM200GB063DSKM300GB063DGB

兩單元:SKM145GB066DSKM195GB066DSKM300GB066DSKM400GB066DSKM600GB066D1200V

西門康IGBT模塊GA一單元:SKM300GA123DSKM400GA123DSKM500GA123DSKM500GA123DSGB

兩單元元:SKM50GB123DSKM75GB123DSKM100GB123DSKM150GB123DSKM200GB123DSKM300GB123DSKM400GB123DGD

六單元:SKM22GD123DSKM40GD123DSKM75GD123DSKM40GDL123DSKM75GD123DLSKM75GDL123D 普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。

圖簡單地給出了晶閘管開通和關斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發電流觸發的情況；而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變為反向的情況（如圖中點劃線波形）。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關注的是晶閘管的開通時間t。由于晶閘管內部的正反饋過程以及外電路電感的限制，晶閘管受到觸發后，其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發電流上升到額定值的10%開始，到陽極電流上升到穩態值的10%（對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的90%），這段時間稱為觸發延遲時間t。陽極電流從10%上升到穩態值的90%所需要的時間（對于阻性負載相當于陽極電壓由90%降到10%）稱為上升時間t，開通時間t定義為兩者之和，即t=t+t通常晶閘管的開通時間與觸發脈沖的上升時間，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關。[1]關斷過程處于導通狀態的晶閘管當外加電壓突然由正向變為反向時，由于外電路電感的存在，其陽極電流在衰減時存在過渡過程。陽極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過反向恢復電流，經過**大值I后，再反方向衰減。同時。可關斷可控硅平板型原裝現貨華東總代理。天津IGBT驅動電路可控硅（晶閘管）原廠原盒

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1)斷態重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數值比正向轉折電壓小100V。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數值規定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個數值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時候，額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數。(3)額定通態平均電流(額定正向平均電流)IT在環境溫度不大于40oC和標準散熱即全導通的條件下，晶閘管元件可以連續通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內)的平均值，稱為額定通態平均電流IT，簡稱額定電流。(4)維持電流IH在規定的環境溫度和控制極斷路的條件下，維持元件繼續導通的**小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安～一百多毫安，其數值與元件的溫度成反比，在120攝氏度時維持電流約為25攝氏度時的一半。當晶閘管的正向電流小于這個電流時，晶閘管將自動關斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型，應根據應用電路的具體要求合理選用。黑龍江ABB可控硅（晶閘管）Infineon英飛凌全新原裝現貨