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使模塊具有有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導體芯片：超快恢復二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結是玻璃鈍化保護，并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠，并灌封有彈性硅凝膠和環氧樹脂，這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現的。根據三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點，FRED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡化。同時，所有主電極的引...

所述第二插片為兩個。推薦的，所述線圈架上設有供所述第二插接片插入的插接槽；通過設置插接槽便于對第二插片進行安裝，第二插片插入到插接槽當中，插接槽的內壁對第二插片進行限位。推薦的，所述第二插片側壁上設有電連凸部，所述整流橋堆一側設有與所述電連凸部相連的凸出部。推薦的，所述整流橋堆另一側設有與所述一插片相連的凸部。推薦的，所述線圈架上設有凹陷部，所述一插片設于所述凹陷部內；通過設置凹陷部可便于在安裝一插片的時候，一插片直接嵌入到凹陷部當中，其安裝速度快，裝配穩定。推薦的，所述線圈架上部設有一限位凸部，下部設有第二限位凸部；所述一插片和第二插片均設于所述一限位凸部上；通過設置一限位凸部和第二限位凸部...

生產廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結—環境的熱阻（Rja）和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻（Rjc）。2整流橋模塊的結構特點1、鋁基導熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯結支撐和導熱通道，并作為整個模塊的結構基礎。因此，它必須具有高導熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進行高溫焊接，又因它們之間熱線性膨脹系數鋁為16．7×10-6／℃，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較大，為此，除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外，并在焊接前對銅底板要進行一定弧度的預彎，這種存在s一定弧度的焊成品，能在模塊裝置到散熱器上時，使它們之間有充分的接觸，從而降低模塊的接觸熱阻，...

本實用新型屬于電磁閥技術領域，尤其是涉及一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構。背景技術：大多數家用電器上使用的需要實現全波整流功能的進水電磁閥，普遍將整流橋堆設置在電腦板等外部設備上，占用了電腦板上有限的空間，造成制造成本偏高，且有一定的故障率，一旦整流橋堆失效，整塊電腦板都將報廢。雖然目前市場上出現了內嵌整流橋堆的進水電磁閥，但有些由于繞組塑封的結構不合理，金屬件之間的爬電距離設置過小，導致產品的電氣性能較差，安全性較差，在一些嚴酷條件下使用很容易損壞塑封，引起產品失效，嚴重的會燒毀家用電器；有些由于工藝過于復雜，橋堆跟線圈在同一側，導致橋堆在線圈發熱時損傷。技術實現要素：本實用新型為了克服現有...

金屬引線的一端設置在與管腳連接的導電部件上)，能實現電連接即可，不限于本實施例。需要說明的是，所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實現，不限于本實施例，任意可實現整流橋連接關系的設置方式均可，在此不一一贅述。如圖1所示，在本實施例中，所述功率開關管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內。具體地，所述功率開關管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d，源極連接所述邏輯電路的采樣端口，柵極連接所述邏輯電路的控制信號輸出端(輸出邏輯控制信號)；所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口連接所述功率開關管的漏極，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的...

在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導線的周圍充滿了作為絕緣、導熱的骨架填充物質--環氧樹脂。然而，環氧樹脂的導熱系數是比較低的(一般為℃W/m，高為℃W/m)，因此整流橋的結--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下，在元器件的相關參數表里，生產廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結-環境的熱阻(Rja)和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻(Rjc)。折疊自然冷卻一般而言，對于損耗比較小(

整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。整流橋作為一種功率元器件，非常***。應用于各種電源設備。其內部主要是由四個二極管組成的橋路來實現把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個工作周期內，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。橋內的四個主要發熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出...

這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現的。根據三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點，FRED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡化。同時，所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上，這樣使連線減少，模塊可靠性提高。4、外殼：殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強度高以及熱變溫度高的，并加有40％玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成，它能很好地解決與銅底板、主電極之...

整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網電壓或內部短路引起。在排除內部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導致整流橋損壞的原因有以下5個原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發不出來。2、負載短路，絕緣不好，負荷電流過大引起；3、頻繁的啟停電源，若是感性負載屬于儲能元件！那么會產生反電動勢。將整流元件反向擊穿。在橋整流時只要一個壞了。則對稱橋臂必燒壞！4、個別元件使用時間較長，質量下降！5、輸入電壓過高。整流橋模塊壞了的解決辦法（1）找到引起整流橋模塊損壞的根本原因，并消除，防止換上新整流橋又發生損壞。（2）更換新整流橋模塊，對焊接的整流橋模塊需確保焊接可靠。...

所述第二插片為兩個。推薦的，所述線圈架上設有供所述第二插接片插入的插接槽；通過設置插接槽便于對第二插片進行安裝，第二插片插入到插接槽當中，插接槽的內壁對第二插片進行限位。推薦的，所述第二插片側壁上設有電連凸部，所述整流橋堆一側設有與所述電連凸部相連的凸出部。推薦的，所述整流橋堆另一側設有與所述一插片相連的凸部。推薦的，所述線圈架上設有凹陷部，所述一插片設于所述凹陷部內；通過設置凹陷部可便于在安裝一插片的時候，一插片直接嵌入到凹陷部當中，其安裝速度快，裝配穩定。推薦的，所述線圈架上部設有一限位凸部，下部設有第二限位凸部；所述一插片和第二插片均設于所述一限位凸部上；通過設置一限位凸部和第二限位凸部...

高壓端口hv通過金屬引線連接所述高壓供電基島13，進而實現與所述高壓供電管腳hv的連接，接地端口gnd通過金屬引線連接所述信號地基島14，進而實現與所述信號地管腳gnd的連接。需要說明的是，所述邏輯電路122可根據設計需要設置在不同的基島上，與所述控制芯片12的設置方式類似，在此不一一贅述作為本實施例的一種實現方式，所述漏極管腳drain的寬度大于，進一步設置為～1mm，以加強散熱，達到封裝熱阻的作用。本實施例的合封整流橋的封裝結構采用三基島架構，將整流橋、功率開關管、邏輯電路及高壓續流二極管集成在一個引線框架內，由此降低封裝成本。如圖4所示，本實施例還提供一種電源模組，所述電源模組包括：本實...

所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設置于所述采樣基島18上，接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd，漏極端口d經由所述漏極基島15連接所述漏極管腳drain，采樣端口cs經由所述采樣基島18連接所述采樣管腳cs，高壓端口hv連接所述高壓供電管腳hv。本實施例的合封整流橋的封裝結構采用四基島架構，將整流橋、功率開關管、邏輯電路、高壓續流二極管及瞬態二極管集成在一個引線框架內，由此降低封裝成本。如圖6所示，本實施例還提供一種電源模組，所述電源模組包括：本實施例的合封整流...

1)、整流橋殼體表面散熱熱阻a)整流橋正面殼體的散熱熱阻:同不帶散熱器的強迫風冷一樣:b)整流橋背面殼體的散熱熱阻:假設忽約整流橋與殼體的接觸熱阻，則:;選擇散熱器與環境間熱阻的典型值為:于是:則整流橋通過殼體表面散熱的總熱阻為:2)、流橋通過引腳散熱的熱阻:此時的熱阻同整流橋不帶散熱器進行強迫風冷時的情形一樣，于是有:于是我們可以得到，在整流橋帶散熱器進行強迫風冷時的散熱總熱阻為上述兩個傳熱途徑的并聯熱阻:仔細分析上述的計算過程和各個傳熱途徑的熱阻數值，我們可以得出在整流橋帶散熱器進行強迫風冷時的如下結論:①在上述的三個傳熱途徑中(整流橋正面傳熱、整流橋背面通過散熱器的傳熱和整流橋通過引腳的...

這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導熱性能較差的FR4(其導熱系數小于.℃)，因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時，這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時，對測溫熱電偶位置的放置不同，得到的結果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進一步說明，在整流橋內部由于器封裝材料是導熱性能較差的FR4，所以其內部的溫度分布極不均勻。我們以后在測量或分析整流橋或相關的其它功率元器件溫度分布時，應著重注意該現象，力圖避免該影響對測量或測試結果產生的影響。折疊結論通過前面對整流橋三種不同形式散熱的分析并結合對一整流橋詳細的仿真模型的分析...

所述功率開關管可通過所述信號地基島14及所述信號地管腳gnd實現散熱。需要說明的是，所述控制芯片12可根據設計需要設置在不同的基島上。當設置于所述信號地基島14上時所述控制芯片12的襯底與所述信號地基島14電連接，散熱效果好。當設置于其他基島上時所述控制芯片12的襯底與該基島絕緣設置，包括但不限于絕緣膠，以防止短路，散熱效果略差。具體設置方式可根據需要進行設定，在此不一一贅述。本實施例的合封整流橋的封裝結構采用兩基島架構，將整流橋，功率開關管及邏輯電路集成在一個引線框架內，其中，一個引線框架是指形成于同一塑封體中的管腳、基島、金屬引線及其他金屬連接結構；由此，本實施例可降低封裝成本。如圖2所示...

所述負載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的采樣管腳，另一端接地。為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結構，第四電容，變壓器，二極管，第五電容，負載及第三采樣電阻；所述合封整流橋的封裝結構的火線管腳連接火線，零線管腳連接零線，信號地管腳接地；所述第四電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的高壓供電管腳，另一端接地；所述變壓器的圈一端連接所述合封整流橋的封裝結構的高壓供電管腳，另一端連接所述合封整流橋的封裝結構的漏極管腳；所述變壓器的第二線圈一端經由所述二極管及所述第五電容連接所述第二線圈...