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傳統的制備方法中將金屬元素的氧化物直接與碳化硅微粉及分散劑、粘結劑等混合，能夠使金屬元素的分布更均勻，不會出現聚集區域，對力學性能的提升效果也更好。一實施方式的碳化硅陶瓷，由上述實施方式的碳化硅陶瓷的制備方法制備得到。一實施方式的半導體零件，由上述實施方式的碳化硅陶瓷加工處理得到。上述半導體零件由反應燒結碳化硅材料制成。具體地，上述半導體零件的形狀為非標。具體地，半導體零件的形狀可以為板狀、柱狀、環狀或其他不規則形狀。在其中一個實施例中，半導體零件為吸盤底座、晶圓承載盤、半導體用機械手臂或異形件密封圈?？梢岳斫?，在其他實施例中，半導體零件不限于上述零件，還可以為其他零件。以下為具體實施...

本實用新型涉及半導體設備領域，具體地，涉及一種半導體設備中的工藝盤組件，以及一種包括該工藝盤組件的半導體設備。背景技術：半導體設備通常由工藝腔和設置在工藝腔內的工藝盤組成，工藝盤用于承載待加工的工件，工件與工藝腔中通入的工藝氣體發生化學反應或者由工藝氣體形成沉積物沉積在工件表面，完成晶片的外延等半導體工藝。為了保證工藝盤上熱量的均勻性，通常采用電機等設備驅動工藝盤旋轉，目前的工藝盤驅動機構通常包括滑動軸、襯套和石英轉軸。其中，石英轉軸用于驅動工藝盤旋轉，襯套套設在滑動軸上，石英轉軸套設在襯套上，且滑動軸、襯套和石英轉軸三者軸線重合，襯套通過貼合面之間的摩擦作用將滑動軸的扭矩傳遞至石英轉...

對比例1對比例1的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：對比例1中不含有步驟(5)和步驟(6)。對比例2對比例2的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(5)為：將排膠后的***預制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，降溫得到第二預制坯。對比例3對比例3的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(5)中，壓力為8mpa。對比例4對比例4的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(1)為：將氧化釔溶解在水和酒精的混合溶液中，氧化釔與...

然后將碳化硅顆粒在真空條件、700℃下進行熱處理4h，得到預處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯醇溶解在水中形成溶液，將***碳源石墨和預處理顆粒在該溶液中均勻分散，再以環氧樹脂與酚醛樹脂的混合物作為粘結劑加入其中，進行球磨，球磨過程中的轉速為100轉/分，球磨時間為5h，得到第三漿料，將第三漿料在噴霧造粒塔中噴霧，得到平均尺寸為60微米的造粒粉。(3)將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為70mpa，保壓時間為90s，脫模，然后置入真空包裝袋中，抽真空，**后置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為200mpa，保壓時間為60s，得到***預制坯。(4)將***預制坯放置于真空排膠...

冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實施例2本實施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化釔與碳化硅微粉的質量比為3∶100，得到氯化釔與碳化硅微粉的質量比為∶100，然后將氯化釔溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑聚乙烯醇縮丁醛，然后加入粒徑為5μm碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質量比為∶1的環氧丙烷，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化釔的碳化硅顆粒。然后將碳化硅顆粒在真空條件、800℃下進行熱處理，得到預處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯吡咯烷酮溶解在水中形成溶液，將***碳源炭黑和預處理顆粒在該溶...

本發明涉及陶瓷領域，特別是涉及一種碳化硅陶瓷及其制備方法和半導體零件。背景技術：反應燒結碳化硅陶瓷是由細顆粒sic和添加劑壓制成素坯，在高溫下與液態硅接觸，坯體中的碳與滲入的si反應，生成新的sic，并與原有顆粒sic相結合，游離硅填充了氣孔，從而得到高致密性的陶瓷材料。反應燒結碳化硅在燒結過程中尺寸幾乎無變化，相比于常壓燒結、熱壓燒結碳化硅材料來說，加工成本大幅降低，廣泛應用于石油、化工、航空航天、核工業及半導體等領域。但是反應燒結碳化硅材料存在力學性能較差的問題，從而限制了反應燒結碳化硅材料的應用。技術實現要素：基于此，有必要提供一種力學性能好的反應燒結碳化硅陶瓷的制備方法。此外，...

有機半導體材料可分為有機物，聚合物和給體受體絡合物三類。有機半導體芯片等產品的生產能力差，但是擁有加工處理方便，結實耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。3、非晶半導體材料非晶半導體按鍵合力的性質分為共價鍵非晶半導體和離子鍵非晶半導體兩類，可用液相快冷方法和真空蒸汽或濺射的方法制備。在工業上，非晶半導體材料主要用于制備像傳感器，太陽能鋰電池薄膜晶體管等非晶體半導體器件。4、化合物半導體材料化合物半導體材料種類繁多，按元素在周期表族來分類，分為三五族，二六族，四四族等。如今化合物半導體材料已經在太陽能電池，光電器件，超高速器件，微波等領域占據重要位置，且不同種類具有不同的應用?？傊?，半導體材料...

內凸臺的中心形成有沿厚度方向貫穿內凸臺的凸臺孔，調平件8的中心形成有沿厚度方向貫穿調平件8的調平孔，驅動軸3上形成有調平螺紋孔，中心螺釘依次穿過調平孔、凸臺孔和調平螺紋孔，以將調平件8和驅動軸3固定在內凸臺上，調平件8能夠調整中心螺釘與傳動筒4之間的角度。本實用新型對調平件8與驅動軸3如何夾持內凸臺結構41不做具體限定，例如，如圖3所示，調平件8中形成有多個沿軸向延伸的調平通道，調平通道中設置有調平球，調平件8還包括多個調平螺釘，調平螺釘與調平球一一對應，調平螺釘能夠推動調平球沿調平通道移動；調平件8中還形成有多個徑向延伸的楔形通道，楔形通道與調平通道一一對應，且楔形通道沿徑向貫穿調平...

工藝盤轉軸1用于驅動工藝盤01旋轉，工藝盤組件還包括驅動軸3和驅動襯套2。如圖5至圖12所示，驅動軸3包括驅動連接部310和驅動軸體部320，驅動襯套2套設在驅動連接部310外部，工藝盤轉軸1的底端形成有安裝孔，驅動襯套2部分設置在該安裝孔中，工藝盤轉軸1通過驅動襯套2、驅動連接部310與驅動軸體部320連接。其中，驅動連接部310的橫截面為非圓形，驅動襯套2的套孔與驅動連接部310相匹配，工藝盤轉軸1的安裝孔與驅動襯套2相匹配，驅動軸3旋轉時，帶動驅動襯套2及工藝盤轉軸1旋轉。需要說明的是，在本實用新型的實施例中，驅動連接部310匹配設置在驅動襯套2的套孔中、驅動襯套2匹配設置在工藝...

3)為：將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為120mpa，保壓時間為50s，脫模得到***預制坯。對比例8對比例8的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(3)為：將造粒粉置入真空包裝袋中，抽真空，然后置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時間為120s，得到***預制坯。對比例9對比例9的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1300℃。對比例10對比例10的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1900℃。對比例11...

冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實施例2本實施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化釔與碳化硅微粉的質量比為3∶100，得到氯化釔與碳化硅微粉的質量比為∶100，然后將氯化釔溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑聚乙烯醇縮丁醛，然后加入粒徑為5μm碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質量比為∶1的環氧丙烷，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化釔的碳化硅顆粒。然后將碳化硅顆粒在真空條件、800℃下進行熱處理，得到預處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯吡咯烷酮溶解在水中形成溶液，將***碳源炭黑和預處理顆粒在該溶...

為實現傳動筒4的平穩傳動，可選地，如圖1至圖3所示，工藝盤組件還包括傳動架9，傳動架9的一端與傳動筒4背離波浪管6的一端固定連接，傳動架9的另一端用于與電機12的輸出軸連接，傳動架9用于帶動傳動筒4轉動。本實用新型對傳動架9的結構不做具體限定，例如，如圖3所示，傳動架9包括一對傳動法蘭91和用于連接兩傳動法蘭91的法蘭連接件92。推薦地，下方的傳動法蘭91通過聯軸器與電機12的輸出軸連接。為保證所述工藝盤組件運動的流暢性，推薦地，驅動軸3、傳動筒4和工藝盤轉軸1中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。本實用新型的發明人在研究中發現，現有的半導體設備出現旋轉卡頓的問題是因為運動件之間的潤滑油脂液...

應使用子程序[1]。CNC加工(3張)CNC加工CNC優缺點編輯CNC數控加工有下列優點：①大量減少工裝數量，加工形狀復雜的零件不需要復雜的工裝。如要改變零件的形狀和尺寸，只需要修改零件加工程序，適用于新產品研制和改型。②加工質量穩定，加工精度高，重復精度高，適應飛行器的加工要求。③多品種、小批量生產情況下生產效率較高，能減少生產準備、機床調整和工序檢驗的時間，而且由于使用**佳切削量而減少了切削時間。④可加工常規方法難于加工的復雜型面，甚至能加工一些無法觀測的加工部位。數控加工的缺點是機床設備費用昂貴，要求維修人員具有較高水平。CNC加工數控加工編輯數控加工是指用數控的加工工具進行的...

從而能夠緩解定位平面311兩側的應力集中現象，提高了驅動軸3和驅動襯套2上應力分布的均勻性。并且，在本實施例中，兩圓柱面312與驅動襯套2套孔中的相應圓柱面相配合，能夠實現定位平面311的精確定位，保證定位平面311與驅動襯套2套孔中的平面緊密貼合，避免平面之間的空隙導致驅動軸3和驅動襯套2在傳動過程中相互碰撞、磨損。此外，兩定位平面311以驅動軸3的軸線為對稱中心對稱設置，使得驅動軸3與驅動襯套2通過平面傳動時受到的力矩也是中心對稱的，避免了驅動襯套2與驅動軸3的軸線之間發生偏移，保證了定位精度。為提高工藝盤組件結構的整體強度，推薦地，如圖6所示，驅動襯套2包括相互連接的***襯套部...

半導體材料是什么？半導體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而升高，這與金屬導體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導體材料的范圍。反映半導體半導體材料內在基本性質的卻是各種外界因素如光、熱...

為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產年投資利潤率，投資利稅率，全部投資回報率，全部投資回收期，固定資產投資回收期（含建設期），項目具有較強的盈利能力和抗風險能力。民營企業貼近市場、嗅覺敏銳、機制靈活，在推進企業技術創新能力建設方面起到重要作用。認定國家技術創新示范企業和培育工業設計企業，有助于企業技術創新能力進一步升級。同時，大量民營企業走在科技、產業、時尚的**前沿，能夠綜合運用科技成果和工學、美學、心理學、經濟學等知識，對工業產品的功能、結構、形態及包裝等進行整合優化創新，服務于工業設計，豐富產品品種、提升產品附加值，進而創造出新技術、新模式、新業態。經過多年的積累，我省制造...

自然界中的物質，根據其導電性能的差異可劃分為導電性能良好的導體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導體（如鍺、硅、砷化鎵等）。半導體是導電能力介于導體和絕緣體之間的一種物質。它的導電能力會隨溫度、光照及摻入雜質的不同而***變化，特別是摻雜可以改變半導體的導電能力和導電類型，這是其***應用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據。半導體材料的特點半導體材料是一類具有半導體性能，用來制作半導體器件的電子材料。常用的重要半導體的導電機理是通過電子和空穴這兩種載流子來實現的，因此相應的有N型和P型之分。半導體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性易受外界條件（...

自然界中的物質，根據其導電性能的差異可劃分為導電性能良好的導體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導體（如鍺、硅、砷化鎵等）。半導體是導電能力介于導體和絕緣體之間的一種物質。它的導電能力會隨溫度、光照及摻入雜質的不同而***變化，特別是摻雜可以改變半導體的導電能力和導電類型，這是其***應用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據。半導體材料的特點半導體材料是一類具有半導體性能，用來制作半導體器件的電子材料。常用的重要半導體的導電機理是通過電子和空穴這兩種載流子來實現的，因此相應的有N型和P型之分。半導體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性易受外界條件（...

半導體材料的應用半導體材料的早期應用：半導體的***個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流器和氧化亞銅整流器。1931年，蘭治和伯格曼研制成功硒光伏電池。1932年，德國先后研制成功硫化鉛、硒化鉛和碲化鉛等半導體紅外探測器，在二戰中用于偵測飛機和艦船。二戰時盟軍在半導體方面的研究也取得了很大成效，英國就利用紅外探測器多次偵測到了德國的飛機。...

上述碳化硅陶瓷的制備方法能夠獲得具有較好的力學性能的碳化硅陶瓷。附圖說明圖1為一實施方式的碳化硅陶瓷的制備方法的工藝流程圖。具體實施方式為了便于理解本發明，下面將結合具體實施方式對本發明進行更***的描述。具體實施方式中給出了本發明的較佳的實施例。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發明的公開內容的理解更加透徹***。除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體地實施例的目的，不是旨在于限制本發明。請參閱圖1，一實...

內凸臺的中心形成有沿厚度方向貫穿內凸臺的凸臺孔，調平件8的中心形成有沿厚度方向貫穿調平件8的調平孔，驅動軸3上形成有調平螺紋孔，中心螺釘依次穿過調平孔、凸臺孔和調平螺紋孔，以將調平件8和驅動軸3固定在內凸臺上，調平件8能夠調整中心螺釘與傳動筒4之間的角度。本實用新型對調平件8與驅動軸3如何夾持內凸臺結構41不做具體限定，例如，如圖3所示，調平件8中形成有多個沿軸向延伸的調平通道，調平通道中設置有調平球，調平件8還包括多個調平螺釘，調平螺釘與調平球一一對應，調平螺釘能夠推動調平球沿調平通道移動；調平件8中還形成有多個徑向延伸的楔形通道，楔形通道與調平通道一一對應，且楔形通道沿徑向貫穿調平...

工藝盤組件還包括軸承座10，傳動筒4的外凸臺結構42設置在軸承座10內，且傳動筒4的兩端設置在軸承座10外；外凸臺與軸承座10的內壁之間設置有前述的軸承，使得傳動筒4能夠繞軸線相對軸承座10旋轉；為便于安裝，如圖3所示，軸承座10可以包括上法蘭101和下法蘭102，上法蘭101和下法蘭102上均形成有軸孔，傳動筒4朝向工藝盤01的一端穿過上法蘭101上的軸孔，傳動筒4背離工藝盤01的一端穿過下法蘭102上的軸孔。為保證定位傳動筒4的軸向定位，避免傳動筒4在轉動時晃動，推薦地，上述滾針軸承為推力滾針軸承，且位于外凸臺結構42背離工藝盤01一側的推力滾針軸承與下法蘭102之間還設置有碟形彈...

得到排膠后的***預制坯。(5)將排膠后的***預制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，再以氮氣加壓至5mpa，進行壓力浸滲，讓高含碳液體滲入預制坯的孔隙中，降溫得到第二預制坯。(6)將第二預制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h，排膠后，機加工得到排膠后的第二預制坯。(7)將排膠后的第二預制坯和硅粉按質量比為1∶2在石墨坩堝中混合，然后放置于真空高溫燒結爐中進行反應燒結，燒結溫度為1600℃，保溫時間為3h，冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實施例3本實施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化鈰與碳化硅微粉的質量比為5∶100，得...

所述***分散劑和所述第二分散劑相互獨立地選自四甲基氫氧化銨、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸銨、丙烯酸鈉、聚乙烯醇及聚乙烯醇縮丁醛中的至少一種；及/或，所述粘結劑包括酚醛樹脂、環氧樹脂、聚乙烯醇、羧甲基纖維素鈉、丙烯酸及聚乙烯醇縮丁醛中的至少一種；及/或，所述碳化硅微粉的粒徑為μm～μm；及/或，所述稀土元素包括釔、釹、鈰、鑭及釤中的至少一種。一種碳化硅陶瓷，由上述碳化硅陶瓷的制備方法制備得到。一種半導體零件，由上述碳化硅陶瓷加工處理得到。上述碳化硅陶瓷的制備方法先采用金屬的氯化物、環氧丙烷、***分散劑和***溶劑與碳化硅微粉混合，金屬元素的氯化物在環氧丙烷的作用下沉淀，然后在真空條件、70...

八0%的硅單晶、大部份鍺單晶以及銻化銦單晶是用此法出產的，其中硅單晶的**大直徑已經達三00毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已經出產出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體籠蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以出產鍺單晶。水平定向結晶法主要用于砷化鎵單晶，而垂直定向結晶法用于碲化鎘、砷化鎵。用各種法子出產的體單晶再經由晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、侵蝕、清洗、檢測、封裝等全體或者部份工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的法子...

所述奧氏體不銹鋼具體可以是316l不銹鋼，即，驅動軸3、傳動筒4和工藝盤轉軸1中至少一者的材料為316l不銹鋼。本實用新型將現有技術中旋轉件常用的304不銹鋼材料替換為316l不銹鋼，使得旋轉件在強度幾乎不變的同時，電阻率***降低，從而保證了工藝盤組件運動的流暢性。進一步推薦地，傳動筒4的外凸臺結構42與軸承座10之間的軸承材料也采用奧氏體不銹鋼(推薦為316l不銹鋼)。作為本實用新型的第二個方面，還提供一種半導體設備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中，工藝盤組件為上文中描述的工藝盤組件，工藝盤組件的工藝盤01設置在工藝腔中。在本實用新型提供的半導體設備中，驅動連接部310為非圓柱體，驅...

所述第二基準塊與**基準塊一體成型；所述**基準塊的一側設置有**基準面，所述第二基準塊上設置有第二基準面，所述第二基準面垂直于**基準面，所述**基準面和第二基準面的連接處設置有與**基準塊和第二基準塊連接的圓弧避讓槽；所述**基準塊和第二基準塊遠離圓弧避讓槽的一側設置有圓弧基準臺，所述圓弧基準臺的圓心位于**基準面與第二基準面的連接處。采用此技術方案，設置的**基準面和第二基準面有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧避讓槽不*有助于抓數治具的加工，而且有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧基準臺有助于通過圓弧的切邊抓數以計算或抓取半導體零件的尺寸以及導角的尺寸。作為推薦，所示抓數治具還設置...

2.汽車光電子市場。目前汽車防撞雷達已在很多***車上得到了實用，將來肯定會越來越普及。汽車防撞雷達一般工作在毫米波段，所以肯定離不開砷化鎵甚至磷化銦，它的中頻部分才會用到鍺硅。由于全球汽車工業十分龐大，因此這是一個必定會并發的巨大市場。3.半導體照明技術的迅猛發展?；诎雽w發光二極管（LED）的半導體光源具有體積小、發熱量低、耗電量小、壽命長、反應速度快、環保、耐沖擊不易破、廢棄物可回收，沒有污染，可平面封裝、易開發成輕薄短小產品等優點，具有重大的經濟技術價值和市場前景。特別是基于LED的半導體照明產品具有高效節能、綠色環保優點，在全球能源資源有限和保護環境可持續發展的雙重背景下，...

所述第二基準塊與**基準塊一體成型；所述**基準塊的一側設置有**基準面，所述第二基準塊上設置有第二基準面，所述第二基準面垂直于**基準面，所述**基準面和第二基準面的連接處設置有與**基準塊和第二基準塊連接的圓弧避讓槽；所述**基準塊和第二基準塊遠離圓弧避讓槽的一側設置有圓弧基準臺，所述圓弧基準臺的圓心位于**基準面與第二基準面的連接處。采用此技術方案，設置的**基準面和第二基準面有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧避讓槽不*有助于抓數治具的加工，而且有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧基準臺有助于通過圓弧的切邊抓數以計算或抓取半導體零件的尺寸以及導角的尺寸。作為推薦，所示抓數治具還設置...

半導體材料是什么？半導體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而升高，這與金屬導體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導體材料的范圍。反映半導體半導體材料內在基本性質的卻是各種外界因素如光、熱...