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所謂限幅電路就是限制電路中某一點的信號幅度大小，讓信號幅度大到一定程度時，不讓信號的幅度再增大，當信號的幅度沒有達到限制的幅度時，限幅電路不工作，具有這種功能的電路稱為限幅電路，利用二極管來完成這一功能的電路稱為二極管限幅電路。如圖9-44所示是二極管限幅電路。在電路中，A1是集成電路（一種常用元器件），VT1和VT2是三極管（一種常用元器件），R1和R2是電阻器，VD1～VD6是二極管。圖9-44二極管限幅電路1．電路分析思路說明對電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說明下列幾點：1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結構一樣，這兩組二極管在這...

詳解肖特基二極管的作用及接法-肖特基二極管的應用肖特基二極管肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管的作用肖特基二極管的作用如下:肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。明顯的特點為反向恢復時間極...

正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對...

可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當反向電壓不超過一定范圍(曲線OB段)時，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不計。當反向電壓增加到一定數值時，反向電流將急劇增加，稱為反向擊穿，此時的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結不能恢復原有的性能，造成長久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導通，反向偏置電壓下截止的特性，這個特性稱為單向導電性。[編輯]二極管的主要參數二極管的參數是評價二極管性能的重要指標，是正確選擇和使用二極管的依據，主要參數有：(1)大整流電...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情...

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。中文名二級管外文名diode目錄1二極管簡介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應用6類型7發光二極管二極管原理二極管簡介編輯二極管內部構造二極管的英文是diode...

5）由于集成電路A1的①腳和②腳外電路一樣，所以其外電路中的限幅保護電路工作原理一樣，分析電路時只要分析一個電路即可。6）根據串聯電路特性可知，串聯電路中的電流處處相等，這樣可以知道VD1、VD2和VD3三只串聯二極管導通時同時導通，否則同時截止，絕不會出現串聯電路中的某只二極管導通而某幾只二極管截止的現象。4．故障檢測方法和電路故障分析對這一電路中的二極管故障檢測主要采用萬用表歐姆檔在路測量其正向和反向電阻大小，因為這一電路中的二極管不工作在直流電路中，所以采用測量二極管兩端直流電壓降的方法不合適。這一電路中二極管出現故障的可能性較小，因為它們工作在小信號狀態下。如果電路中有一只二極管出現開...

二極管穩壓管穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓穩壓管的作用。穩壓管與普通二極管的主要區別在于，穩壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩壓管在反向擊穿狀態下不會因過熱而損壞。[4]穩壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩壓管電流的允許值，PN結就不會過熱損壞，當外加反向電壓去除后，穩壓管恢復原性能，所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。[4]二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，光電二極管以便于接受光照。其特點是，當光線照射于它的PN結時，可以成對地產生自由電...

二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為復雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術決定的。二極管使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"CatsWhisker"Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”)。現今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。1、正向性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高...

溫敏二極管PN結的壓降是溫度的函數，溫度每升高一度，溫敏二極管PN結正向壓降下降2mV。用于測溫電路。精密二極管簡稱PD，精密二極管是一種具有穩定電壓和穩定電流的高精度二極管。它的工作溫度寬，線性好，穩定性非常高。常用于各種電子路中的恒流源或恒壓源。光敏二極管有光照時，電阻小，電流大，無光照時，電阻大，電流小紅外發射二極管紅外發光二極管是一種能發出紅外線的二極管，通常應用于遙控器等場合激光二極管激光二極管的特色之一，是能直接從電流調制其輸出光的強弱。因為輸出光功率與輸入電流之間多為線性關系，所以激光二極管可以采用模擬或數字電流直接調制輸出光的強弱防雷二極管常常用來保護對電壓很敏感的...

詳解肖特基二極管的作用及接法-肖特基二極管的應用肖特基二極管肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管的作用肖特基二極管的作用如下:肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。明顯的特點為反...

不失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25時反向電流為5uA，溫度升高到75時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。測試二極管的好壞初學者在業余條件下可以使用萬用表測試二極管性能的好壞。測試前先把萬用表的轉換開關撥到歐姆檔的RX1K檔位(注意不要使用RX1檔，以免電流過大燒壞二極管)，再將紅、黑兩根表筆短路，進行歐姆調零。1、正向特性測試把萬用表的黑表筆(表內正極)搭觸二極管的正極，，紅表筆(表內負極)搭觸二極管的負極。若表針不擺到0值而是停在標度盤的中間，這時的阻值就是二極管的正向電阻，一般正向電阻越小越好。...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高...

[7]二極管雙向觸發二極管將萬用表置于相應的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進行比較，兩者的*值之差越小，說明被測雙向觸發二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。[8]對于雙向極型的瞬態電壓抑制二極管，任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識別正、負極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區別是...

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。中文名二級管外文名diode目錄1二極管簡介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應用6類型7發光二極管二極管原理二極管簡介編輯二極管內部構造二極管的英文是diode...

常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何命名為"SS"?SCHOTTKY:取第1個字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的縮寫，意為：表面貼裝器件，取第1個字母"S",上面兩個詞組各取第1個字母、即為SS,電流小的肖特基是BAT42（）；BAT54、BAT54A、BAT54C（）；電流大的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超過440A的必定是模塊。肖特基的高電壓是200V,也就是說，肖特基的極限電壓是200V.超過200V電壓的也必定是模塊。電流越大，電壓越低。與可控硅元件不一樣。電流與電壓成反比（模塊除外）。10A、20...

二極管（Diode）電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（VaricapDiode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為正向偏置），反向時阻斷（稱為反向偏置）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為復雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術決定的。二極管使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。二極管按材料分為硅二極...

二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為復雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術決定的。二極管使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"CatsWhisker"Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”)。現今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。1、正向性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，...

DO-201ADMBR340、MBR3100:（3A/40V），DO-201AD軸向MBR735、MBR745:TO-220AC（兩腳），7AMBRB735、MBRB745:貼片、TO-263（D2PAK），7AMBR1045、MBR1060:TO-220AC（兩腳），10AMBR1045CT、MBR10100CT:TO-220AB（三腳半塑封），10AMBRF1045CT、MBRF10100CT:TO-220F,（三腳全塑封），10A（第4位字母F為全塑封）MBR1535CT、MBR1545CT:TO-220AB（三腳），15AMBR2045CT、MBR20200CT:TO-22...

可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當反向電壓不超過一定范圍(曲線OB段)時，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不計。當反向電壓增加到一定數值時，反向電流將急劇增加，稱為反向擊穿，此時的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結不能恢復原有的性能，造成長久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導通，反向偏置電壓下截止的特性，這個特性稱為單向導電性。[編輯]二極管的主要參數二極管的參數是評價二極管性能的重要指標，是正確選擇和使用二極管的依據，主要參數有：(1)大整流電...

一、肖特基二極管特性1、肖特基（Schottky）二極管的正向壓降比快恢復二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小，效率高。2、由于反向電荷恢復時間極短，所以適宜工作在高頻狀態下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場上常見的肖特基管高結溫分100℃、125℃、150％、175℃幾種(結溫越高表示產品抗高溫特性越好。即工作在此溫度以下不會引起失效。5、它也有一些缺點：是其耐壓較低及反向漏電流稍大。選型時要全考慮。肖特基二極管一般用在電源次級輸出整流上面。二、肖特基常見型號封裝圖關于封裝通過型號識別封裝外形：MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，MBR10100CT:TO-2...

用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路；在整流橋的每個工作周期內，同一時間只有兩個肖特基二極管進行工作，通過肖特基二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。2、肖特基二極管的作用及其接法-開關肖特基二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。利用肖特基二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。由于肖特基二極管具有單向導電的特性，在正偏壓下PN結導通，在導通狀態下的電阻很小，約為幾十至幾百歐；在反向偏壓下，則呈截止狀態，其電阻很大，一般硅肖特基...

或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。2、肖特基二極管的結構肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構成。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻...

電路中電流增加很快，燈泡發光。隨著電流增大，二極管VD兩端電壓維持在0．6～0．7V之間不再增加。由此可見，在正向偏置情況下，二極管表現出不同電壓下具有不同的電阻值。為了準確描述這個物理現象，可以記錄每個電壓下對應的電流，從而描繪成曲線，可得到圖(b)所示的二極管正向電流、電壓關系特性在圖(b)所示正向特性中，當正向電壓較小時，正向電流幾乎為零(曲線OA段)，這時二極管并未真正導通，這一段所對應的電壓稱為二極管的死區電壓或閾值電壓，通常硅管約為0．5V，鍺管約為0．2V。當正向電壓大于死區電壓后，正向電流迅速增加，這時二極管才真正導通，由圖(b)可見，在A點以后曲線很陡，說明二極管...

檢波肖特基二極管在電子電路中用來把調制在高頻電磁波上的低頻信號（如音頻信號）檢出來。一般高頻檢波電路選用鍺點接觸型檢波二極管。它的結電容小，反向電流小，工作頻率高。6、肖特基二極管的作用及其接法-變容變容肖特基二極管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管"，是利用pN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大，變容肖特基二極管的電容量一般較小，其大值為幾十皮法到幾百皮法，大區容與小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調諧、調頻、調相等、例如在電視接收機的調諧回路中作可變電容。當外加順向偏壓時，有大量電流產生，PN...

不失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25時反向電流為5uA，溫度升高到75時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。測試二極管的好壞初學者在業余條件下可以使用萬用表測試二極管性能的好壞。測試前先把萬用表的轉換開關撥到歐姆檔的RX1K檔位(注意不要使用RX1檔，以免電流過大燒壞二極管)，再將紅、黑兩根表筆短路，進行歐姆調零。1、正向特性測試把萬用表的黑表筆(表內正極)搭觸二極管的正極，，紅表筆(表內負極)搭觸二極管的負極。若表針不擺到0值而是停在標度盤的中間，這時的阻值就是二極管的正向電阻，一般正向電阻越小越好。...

所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。特基二極管和整流二極管的區別肖特基（Schottky）二極管是一種快恢復二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其明顯的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導...

可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當反向電壓不超過一定范圍(曲線OB段)時，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不計。當反向電壓增加到一定數值時，反向電流將急劇增加，稱為反向擊穿，此時的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結不能恢復原有的性能，造成長久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導通，反向偏置電壓下截止的特性，這個特性稱為單向導電性。[編輯]二極管的主要參數二極管的參數是評價二極管性能的重要指標，是正確選擇和使用二極管的依據，主要參數有：(1)大整流電...

肖特基二極管(SBD)是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD)的簡稱，是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的半導體器件。肖特基二極管是低功耗、大電流、超高速半導體器件，它不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。新聞網頁微信知乎圖片視頻明醫英文問問百科更多>>登錄幫助首頁精彩百科知識圖譜城市百科抗戰百科高校百科任務任務中心用戶蜜蜂團領域小組熱詞團公益百科積分商城個人中心添加義項同義詞...