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晶閘管智能模塊的應用領域 晶閘管智能模塊普遍應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、焊機、等離子弧焊、逆變電源等領域，如工業、通訊、等電氣控制、電源等。根據模塊的控制端口，可以與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動等功能，可實現過熱、缺乏等保護功能。 晶閘管智能模塊的控制方式 該輸入模塊控制該接口的可調節電壓或電流信號，該模塊的輸出電壓可通過調整該信號的大小來平穩地調節，以實現將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個或全部的過程。 電壓或電流信號可從各種控制儀表和計算機D/A輸出中獲取，電位器可直接與直流電源分開，控制信號采用3種常用的控制形式：0...

通過W1微調電位器可整定過流電平。當三相交流輸入缺相時，本控制板均能對電源實現保護和指示。其原理是：由4#、6#、2#晶閘管的陰極（K）分別取A、B、C三相電壓信號（通過門極引線），經過光電耦合器的隔離送到IC6進行檢測和判別，一旦出現“缺相”故障時，除了整流觸發脈沖外，還驅動“”LED指示燈以及報警繼電器。為了使控制電路能夠更可靠準確的運行，控制電路上還設置了啟動定時器和控制電源欠壓檢測保護。在開機的瞬間，控制電路的工作是不穩定的，設置一個3秒鐘左右的定時器，待定時過后，才容許輸出觸發脈沖。這部分電路由IC2B等元件構成。若由于某種原因造成控制板上直流供電電壓過低，穩壓器不能穩壓，亦...

QXPU-1型恒功率晶閘管中頻電源控制板使用說明書小芯片六脈波1、概述QXPU-1恒功率晶閘管中頻電源控制板主要由電源、調節器、移相控制、保護電路、相序自適應電路、啟動演算電路、逆變頻率、逆變脈沖形成、脈沖放大及脈沖變壓器組成。其部件采用高性能、高密度、大規模**MPU集成電路，使其電路除調節器外，其余均實現數字化，整流觸發器部分不需要任何調整，具有可靠性高、脈沖對稱度高、抗干擾能力強、反應速度快等特點，又由于有相序自適應電路，無需同步變壓器，所以，現場調試中免去了調相序、對同步的工作，*需把KP晶閘管的門極線接入控制板相應的接線端上，整流部分便能投入運行。逆變采用掃頻式零壓軟啟動方式...

QXPU-1型恒功率晶閘管中頻電源控制板使用說明書小芯片六脈波1、概述QXPU-1恒功率晶閘管中頻電源控制板主要由電源、調節器、移相控制、保護電路、相序自適應電路、啟動演算電路、逆變頻率、逆變脈沖形成、脈沖放大及脈沖變壓器組成。其部件采用高性能、高密度、大規模**MPU集成電路，使其電路除調節器外，其余均實現數字化，整流觸發器部分不需要任何調整，具有可靠性高、脈沖對稱度高、抗干擾能力強、反應速度快等特點，又由于有相序自適應電路，無需同步變壓器，所以，現場調試中免去了調相序、對同步的工作，*需把KP晶閘管的門極線接入控制板相應的接線端上，整流部分便能投入運行。逆變采用掃頻式零壓軟啟動方式...

1)安裝1)按電路元件明細表配齊元件，并對元件進行檢測。2)在面包板上根據電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件，確認無誤后調試。(2)調試安裝完畢的電路經檢查確認無誤后，接通電源進行調試。先調控制電路，然后再調試主電路。控制電路的調試步驟是：在控制電路接上電源后，先用示波器觀察穩壓管兩端的電壓波形，應為梯形波；再觀察電容器兩端的電壓波形，應為鋸齒波；調節電位器RP，鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發電路各點的波形圖。主電路的調試步驟是：用調壓器給主電路加一個低電壓(40～50V)，用示波器觀察晶閘管陽、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線，它是晶閘管的導通部分；調...

傳統的電加熱行業使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發板的方式來完成對變壓器初級或次級的調壓；加熱行業往往工作環境很惡劣，粉塵飛揚，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現觸發板工作失常，造成晶閘管擊穿，導致設備停產，產品報廢等，給生產造成嚴重損失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業人員進行操作。為了避免出現上述問題，比較好采用密封性好，工作環境適應能力強，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發系統（即觸發板）集成共同封裝在一個塑料外殼內，從而省去了觸發板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯誤的幾率，維護...

如雷電閃光、車輛燈光等）干擾被控燈的正常工作。節能燈每晚點燃的時間由公式t≈（R3R4）C5計算，N為定時系數。當開關K斷開時，定時時間約為6h，適合于冬季夜晚；當K閉合時，定時約4h，適合夏季夜晚。節能燈驅動電路由VT2、VT3等組成的逆變電路構成。節能燈電路接通時，通過VT2、VT3、變壓器T1實現反饋、振蕩、升壓等過程，使得節能日光燈兩端有160V～180V電壓而點亮。點亮時消耗蓄電池電流，使用30A時蓄電池可在無太陽時連續工作一個星期。RL選擇MG44-04光敏電阻。其他元器件如電路圖所示。光敏電阻光控燈電路圖（六）一種精密光亮光控電路圖如圖所示的電路為一種精密光亮光控電路，其...

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，原名可控硅整流器（SCR），簡稱可控硅，其派生器件有雙向晶閘管和可關斷晶閘管。晶閘管的出現，使半導體器件從弱電領域進入強電領域。主要應用于整流、逆變、調壓、開關等方面，應用**多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個PN結的四層結構的器件，引出的電極分別為陽極A、陰極K和控制極G。右邊為其等效電路。通斷轉換條件：主要參數1）額定正向平均電流。在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。2）維持電流。在規定環境溫度、控制極斷開的條件下，保持晶閘管處于導通狀態所需要的**小正向電流。3）門極觸發電壓。在規定環境溫度及一定正向電壓條件下，使晶閘管從...

難以實現起動方式的多樣化。三是液阻軟起動需要維護，液箱中水需要定期補充。電極板長期浸泡于電解液中，表面會有一定的銹蝕，需要作表面處理（大概2-3年一次）。四是液阻軟起動裝置不適合置放在易結水或顛簸的現場。近年有所謂的熱變液阻軟啟動裝置，通過液阻本身在軟起動過程中的溫升，借助電解液電導率與溫度的正相關性實現無極板伺服機構的軟啟動。但是，其可行性大受質疑；它的限流器件不具備限流能力易控性，裝置對使用環境溫度要求高，軟起動重復性差。二、磁控軟起動器磁控軟起動在起動開始時限流作用較強，在軟起動過程中逐漸減弱。電抗器在起動完成后被旁路。限流作用的強弱變化是通過控制直流勵磁電流、改變鐵心的飽和度實...

如果所裝的中頻電源不需要復位功能、報警功能、內接頻率表的話，端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、應用舉例圖示為一臺KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖，可作為其它裝置原理設計的參考，由于控制電路已經對開機，關機的邏輯進行了設計，因此，不必考慮主回路與控制回路的上電順序。12、調試一臺20M示波器，若示波器的電源是三芯插頭時，注意“地線”千萬不能接，示波器外殼對地需絕緣，*使用一蹤探頭，示波器的X軸、Y軸均需較準，探頭需在測試信號下補償好。若無高壓示波器探頭，應用電阻做一個分壓器，以適應600V以上電壓的測量。一個≤500Ω、≥500W的電阻性負...

是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”，圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數有：額定通態平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數指標，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是：兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向導電性，即不但具有一般...

由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上...

當周圍光線較弱時，RG呈現高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當周圍光線增強時，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調試調試時，將RP調到阻值為零位置，S置于位置2，用萬用表測電燈兩端交流電應在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達到要求。光敏電阻RG應安裝在臺燈底座側面臺燈光線不能直接照射的地方，用來感受周圍環境照度。調光臺燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調光臺燈，調RP可選擇適當的高密度；S撥向1為自動臺燈，先調RP選擇...

晶閘管模塊使用注意事項 科學合理的選型和適當的維護可有效延長產品的使用壽命，用戶可參考以下標準進行產品的維護和保養： （1）初次使用該產品的用戶一定要熟讀說明書，了解產品的基本情況和使用方法； （2）在產品選型時根據使用條件按標準要留出足夠的電流余量，并保證足夠的散熱條件。 （3）工作場所環境溫度范圍：-25℃～+45℃； （4）模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體和氣體； （5）模塊不能當作隔離開關使用，為保證安全，模塊前面需加空氣開關； （6）模塊各緊固螺釘一定要擰緊，避免因接觸不良導致次生熱量產生，且會降低通過的電流量。初次使用...

水冷裝置在作此項調試時，必須通水冷卻。當調試場地的電源供不出裝置的額定電流時，額定電流的整定，可放在現場滿負荷運行時進行。但是，應先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開關均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測逆變觸發脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過W6來調節），調節W5微調電位器，使頻率表的讀數與示波器測得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測得比較高它激頻率，另一方面是價格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門級線...

普通晶閘管普通晶閘管（SCR）是由PNPN四層半導體材料構成的三端半導體器件，三個引出端分另為陽極A、陰極K和門極G、圖8-4是其電路圖形符號。普通晶閘管的陽極與陰極之間具有單向導電的性能，其內部可以等效為由一只PNP晶閘管和一只NPN晶閘管組成的組合管，如圖8-5所示。當晶閘管反向連接（即A極接電源負端，K極接電源正端）時，無論門極G所加電壓是什么極性，晶閘管均處于阻斷狀態。當晶閘管正向連接（即A極接電源正端，K極接電源負端）時，若門極G所加觸發電壓為負時，則晶閘管也不導通，只有其門極G加上適當的正向觸發電壓時，晶閘管才能由阻斷狀態變為導通狀態。此時，晶閘管陽極A極與陰極K極之間呈低...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶閘管的工作原理晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關短狀態。...

模塊內部晶閘管主要參數 （1）正反向峰值耐壓：≥1400V； （2）di／dt：100A／μs； （3）dv／dt：500V／μs 晶閘管智能模塊的應用方法 模塊的控制功能端口 模塊可應用于各行各業需要對電力能量大小進行調整和變換的場合。如變壓器調壓；加熱行業調溫；金屬加工行業的電鍍、電解；電源行業電池充放電、電源穩壓；電磁行業的勵磁以及各行業使用的直流電機調速、交流電機軟起動等。 模塊如何使用？ 模塊的使用非常簡單，只需用一個可調的電壓或者電流信號即可對模塊輸出電壓的大小進行平滑調節，從而實現弱電對強電的控制。 電壓或電流信號可取自各...

當C5上的電壓上升到氛管的導通電壓時，雙向晶閘管就會被觸發導通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯（基極開路）代替雙向觸發二極管，調壓效果還不錯。再有一種是用RC電路取代雙向觸發二極管，調壓效果要差一些，在對調壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結晶體管張弛振蕩器組成的觸發電路呢？雙向晶閘管的特點是不論給它的控制極加上正的或負的觸發脈沖都能使它導通，所以，單結晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發電路。這種觸發電路調壓效果很好，只是電路比較復雜。由于單結晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓，再經過穩壓管VD削波成為梯...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。...

檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負）接單結晶體管除發射極E以外的兩個管腳，讀數應為3～10kΩ。[7]檢測PN結正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數均應為數千歐。對調兩表筆后檢測PN結反向電阻，讀數均應為無窮大。如果測量結果與上述不符，說明被測單結管已損壞。[8]測量單結晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結晶體管的基本應用是組成脈沖產生電路，包括振蕩器、波形發生器等，并可使電路結構大為簡化。圖示為單結晶體管弛張振蕩器。單結管VT的發射極輸出鋸齒波，...

[1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流...

但是在設定電流限值時必須要根據電動機的初始轉矩來設定，否則設置過小會起動失敗或燒壞電機。此種起動方式起動時間相對較長。圖3限流起動4、突跳起動這種起動方式主要應用在負載相對較重的工作環境下。在轉矩控制的基礎下，在起動的瞬間采用一個突跳轉矩用來克服負載的靜轉矩，然后轉矩在逐漸上升，直至電動機到達正常工作狀態。這種起動方式的優點是可以縮短起動時間，起動較重的負載，但在起動的時候會對電網產生一定的沖擊，影響同一電網下其他負荷的工作。圖4突跳起動5、軟停車軟停車的實際上就相當于相反軟起動過程，主要作用是消除了系統的反慣性沖擊，對于泵類負載來講就是克服了“水錘”效應。其主要過程是在電動機實行軟停...

晶閘管智能模塊電流規格的選取方法 考慮到晶閘管智能模塊產品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算： I>K×I負載×U較大∕U實際 K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2； I負載：負載流過的較大電流； U實際：負載上的較大電壓； U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）； I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電...

晶閘管智能模塊的散熱要求 模塊散熱條件的好壞直接關系到產品的使用壽命和短時過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風機，建議采用帶有過熱保護功能的產品，有水冷散熱條件的優先選擇水冷散熱。我們經過嚴格測算，確定了不同型號的產品所應該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下原則選取： 1、軸流風機的風速應大于6m/s ； 2、一定要能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于 80℃； 3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻； 4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現對流并適當增大散熱器面積； ...

以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電...

[1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流...

晶閘管智能模塊過流保護： 加熱爐在實際工作中因加熱絲溫度上升，會導致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會使電流增大，電流過大后會超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護措施，一般再模塊的輸入端分別串聯快速熔斷器來限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負載的額定電流或略大于負載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護作用。 正高電氣不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。聊城MTAC150晶閘管智能模塊組件 使C5上的電壓達到雙向觸發二極管的轉折電...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電...