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無錫碳化釩靶材工廠

來源: 發布時間:2021-10-20

所述把手510包括桿狀部511和第二桿狀部512,所述桿狀部511的一端連接所述頂板210,另一端連接所述第二桿狀部512。所述桿狀部511延伸方向與所述頂板210表面相垂直,所述第二桿狀部512延伸方向與所述頂板210表面相平行。所述把手510的結構有利于操作人員牢固的抓握所述把手510,防止從所述把手510上滑脫。在其他實施例中,所述固定板200內側面彎折處呈弧狀,所述防護層400彎折處呈弧狀,位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度均勻。此外,與前一實施例不同的是,所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為一體成型。且所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330厚度相等。濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類。無錫碳化釩靶材工廠

所得靶材組件濺射強度好,使得濺射過程中薄膜厚度均勻,使用壽命增加。實施例3提供一種長壽命靶材組件,所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.8mm;所述靶材表面的硬度為22hv;其中,所述靶材的比較大厚度為28mm;所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形結構;所述靶材包括用于濺射的濺射面;所述濺射面包括平面、第二平面和斜面;所述斜面與水平面的夾角為3°;所述斜面位于所述平面和第二平面之間;所述平面為圓形;所述第二平面為環形;所述靶材的材質包括鉭;所述背板的材質包括銅。所得靶材組件濺射強度好,使得濺射過程中薄膜厚度均勻,使用壽命增加。實施例4提供一種長壽命靶材組件,所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.9mm;所述靶材表面的硬度為25hv;常州碳化鎢靶材圖片靶材密度越高,薄膜的性能越好。

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有:靶面磁場、靶材材質、氣體壓強、陰-陽極間距等。本文詳細分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。

一、 靶面磁場對靶濺射電壓的影響 1. 磁控靶的陰極工作電壓,隨著靶面磁場的增加而降低,也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的磁鋼的強磁場。因此,靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。 2. 鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響,由于大部分磁力線從鐵磁性材料內部通過,使靶材表面磁場減少,需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強,否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄,才能起輝和正常運行(永磁結構的Ni靶的典型值<0.16cm,磁控靶非特殊設計最大值一般不宜超過3mm,Fe,co靶的最大值不超過2mm;電磁結構的靶可以濺射厚一些的靶材,甚至可達6mm厚)才能起輝和正常運行。正常工作時,磁控靶靶材表面的磁場強度為0.025T~0.05T左右;靶材濺射刻蝕即將穿孔時,其靶材表面的磁場強度大為提高,接近或大于0.1T左右。

磁控濺射離子鍍   (1)在基體和工件上是否施加(直流或脈沖)負偏壓,利用負偏壓對離子的吸引和加速作用,是離子鍍與其它鍍膜類型的一個主要區別。蒸發鍍時基體和工件上加有負偏壓就是蒸發離子鍍 ;多弧鍍時基體和工件上加有負偏壓就是多弧離子鍍;磁控濺射時基體和工件上加有負偏壓就是磁控濺射離子鍍,這是磁控濺射離子鍍技術的一個重要特點。   (2)磁控濺射離子鍍是把磁控濺射和離子鍍結合起來的技術。在同一個真空腔體內既可實現氬離子對磁控靶材的穩定濺射,又實現了高能靶材離子在基片負偏壓作用下到達基片進行轟擊、濺射、注入及沉積作用過程。整個鍍膜過程都存在離子對基片和工件表面的轟擊,可有效基片和工件表面的氣體和污物;使成膜過程中,膜層表面始終保持清潔狀態。   (3) 磁控濺射離子鍍可以在膜-基界面上形成明顯的混合過渡層(偽擴散層),提高膜層附著強度;可以使膜層與工件形成金屬間化合物和固熔體,實現材料表面合金化,甚至出現新的晶相結構。   (4)磁控濺射離子鍍形成膜層的膜基結合力好、膜層的繞鍍性好、膜層組織可控參數多、膜層粒子總體能量高,容易進行反應沉積,可以在較低溫度下獲得化合物膜層。ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結靶材。

靶材拋光裝置100還包括:防護層400,所述防護層400位于所述固定板200與所述拋光片300之間。防護層400為彈性材料,能夠在所述固定板200及靶材間提供緩沖,避免所述固定板200觸撞靶材導致靶材受損。防護層400的厚度為30mm~35mm。若所述防護層400的厚度過小,所述防護層400起到的緩沖效果差,難以有效的保護靶材。若所述防護層400的厚度過大,使得所述防護層400的體積過大,進而造成所述靶材拋光裝置100的體積過大,對操作者使用所述靶材拋光裝置100帶來不必要的困難。防護層400的材料。在其他實施例中,所述防護層的材料還可以為橡膠或棉花。防護層400與所述固定板200間通過粘結劑相粘接。所述防護層400與所述拋光片300間也通過粘結劑相粘接。在其他實施例中,所述拋光片朝向所述防護層的表面上具有勾刺結構,所述防護層與所述拋光片間通過所述勾刺結構相固定。靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。常州碳化鎢靶材圖片

在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應氣體量增加,化合物生成率增加。無錫碳化釩靶材工廠

真空技術中的清潔處理 (一)概述    真空技術清潔處理一般指的是真空裝置的結構材料、填裝材料和真空零(部)件的清潔處理。去除或減少污染物將有利于獲得良好真空,增加連接強度和氣密性,提高產品的壽命 和可靠性。 (二)污染物的幾種類型 ①油脂:加工、安裝和操作時沾染的潤滑劑、真空油脂等; ②水滴:操作時的手汗,吹玻璃時的唾液等; ③表面氧化物:易氧化材料長期基露或放置在潮濕大氣中所形成的表面氧化物; ④酸、堿、鹽類物質:清洗后的殘余物質、手汗、自來水中的礦物質等; ⑤空氣中的塵埃及其它有機物。 (三)污染的形成及其影響 真空裝置由許多不同的零件組成,它們都是經過各種機械加工完成的,如車、銑、刨、磨、銼、焊接等。這樣,零件表面不可避免地會沾上許多加工油脂、汗痕、拋光膏、焊劑、金屬屑、油垢等污染物。這些污染物在真空中易揮發,影響真空設備的極限真空。此外,污染物在大氣壓下吸附了大量的氣體,在真空環境中,這些氣體也要被釋放出來。構成了限制真空設備極限真空的因素。為此,零件組裝前必須掉污染物。無錫碳化釩靶材工廠

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