如果所獲取的溫度小于下限溫度，則處理進行到步驟s102，而如果所獲取的溫度等于或大于下限溫度，則處理進行到步驟s103。在步驟s102中，控制器140接通功耗電路130。結果，功耗電路130產生熱量?？刂破?40重置計數器的計數t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s103中，控制器140關閉功耗電路130?？刂破?40重置計數器的計數t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s104中，控制器140確定在步驟s100中設置的測量周期是否已經過去。也就是說，控制器140確定計數值t是否超過測量周期。當測量周期已經過去時(步驟s104中的“是”)，處理進入步驟s105。在步驟s105中，控制器140確定是否已經接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止，而當未接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s101。圖4是作為環境溫度的函數的微控制器100的狀態的圖形表示。在圖4中，上圖是示出環境溫度ta與功耗電路130的驅動電流之間的關系的曲線圖。在圖4中，下部所示的曲線圖是示出環境溫度ta與結溫tj之間的關系的曲線圖。在圖4中，環境溫度ta過低并且因此需要功耗電路130進行結溫升高的溫度區域被示出為溫度區域s1。另一方面。半導體是指一種導電性可控,范圍從絕緣體到導體之間的材料。貴州新型節能半導體器件設備24小時服務

    不需要功耗電路130升高結溫的溫度區域被示出為溫度區域s2。在溫度區域s1中，耗電路130接通，并且驅動電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說，驅動電流iload流過電阻器131。在溫度區域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開，使得結溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結果，在溫度區域s1中，結溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴展邏輯塊110的正常操作的環境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區域s2中，由于環境溫度ta足夠高，所以結溫tj變為等于或高于下限溫度tlb，這是由于環境溫度和由于邏輯塊110的自發熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續關閉。結溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經描述了率先實施例。在微控制器100中，當結溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時，功耗電路130接通，從而微控制器100根據消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產生熱量。因此，結溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結果，與不提供上述配置時相比。山西標準半導體器件設備24小時服務對半導體層進行摻雜而在非原胞區上形成保護結構，以及在阱區進行摻雜而在原胞區內形成工作結構。

    可以執行對由第三實施例中描述的控制器160和診斷部分170進行的診斷的控制。上面已經描述了第四實施例。在本實施例中，耗電路130用于多個目的。也就是說，共享功耗電路130以實現多個目標。因此，與為每個目的提供功耗電路130的情況相比，可以減小芯片面積。由于與為每個目的設置功耗電路130的情況相比，可以減少功耗電路130的電路數目，因此還可以抑制漏電流的總量。在本實施例中，耗電路130用于抑制電源電壓的波動，但是不用說，功耗電路130可以共同用于其他目的。另外，盡管已經將本實施例的模式描述為第三實施例的模式改變的模式，但是在率先實施例模式或第二實施例模式中描述的配置中，耗電路130可以用于其他目的。盡管已經基于實施例具體描述了由發明人做出的發明，但是本發明不限于已經描述的實施例，并且不用說，在不脫離其主旨的情況下可以進行各種修改。例如，控制器140、150、160和診斷部分170可以是軟件而不是硬件電路。也就是說，例如，控制器140、150、160和診斷部分170的處理可以由微控制器中提供的處理器與執行存儲在微控制器中提供的存儲器中的程序的邏輯塊110分開執行(更具體地，包括一個或多個指令的程序)。推薦地。

    其中d1圖6是示出與微控制器200中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖6描述微控制器200的操作。圖6所示的溫度控制過程例如在微控制器200啟動時執行。在步驟s200中，如在圖3的步驟s100中，設定測量周期和結溫的下限。在步驟s200之后，處理進入步驟s201。在步驟s201中，測量結溫。也就是說，控制器150獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。在步驟s201之后，處理進入步驟s202。在步驟s202中，控制器150根據在步驟s201中獲取的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的溫度差來確定要操作的功耗電路130的數目。因此，在當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，產生更多的強制熱量。當由溫度傳感器120測量的當前結溫等于或大于預定閾值時，控制器150關閉所有功耗電路130。在步驟s202中，控制器150重置計數器的計數t。在步驟s202之后，處理進入步驟s203。在步驟s203中，類似于圖3中的步驟s104，控制器150確定在步驟s200中設置的測量周期是否已經過去。當測量周期已經過去時(步驟s203中的“是”)，處理進入步驟s204。在步驟s204中，如在圖3的步驟s105中，控制器150確定是否已經接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止。半導體器件專門設備應用寬廣LED封裝,光通訊,半導體封裝,支持1對1定制化生產設計.

    當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道mos晶體管132的柵極并且n溝道mos晶體管132接通時，電流流過電阻器131以產生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來，將描述與微控制器100中的結溫控制相關的操作。圖3是示出與微控制器100中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執行，但是可以在其他預定定時執行。在步驟s100中，設定測量結溫的測量周期和下限。如上所述，設定結溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進入步驟s101。在步驟s101中，測量結溫。也就是說，控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設置的下限溫度。功率半導體器件通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上。西藏哪些半導體器件設備治理

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    圖11是微控制器300的時間演變的圖形表示。圖11的上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅動電流之和的轉變的曲線圖，并且下部所示的曲線圖是示出結溫tj的轉變的曲線圖。每次執行上述步驟s307時，總的驅動電流iload增加δiload，參見圖11的上圖。因此，結溫tj預計增加δtj。在步驟s302中，確認溫度上升δtj。如上所述，通過針對各種溫度帶檢查溫度傳感器120的輸出，可以檢查溫度傳感器120的輸出在各種溫度帶中是否正常。上面已經描述了第三實施例。在本實施例中，可以通過強制改變結溫來確認溫度傳感器120對各個溫度帶的輸出。因此，微控制器300可以容易地自我診斷溫度傳感器120的溫度特性是否正常。盡管已經將本實施例描述為第二實施例的修改，但是可以組合率先實施例和上述診斷操作。第四實施例接下來，將描述第四實施例。在上述實施例中，耗電路130用于迫使結溫升高。本實施例與上述實施例的不同之處在于，功耗電路130還用于除了結溫增加之外的其他應用。具體地，在本實施例中，如日本未審查專利申請公開，執行用于抑制電源電壓的波動的功耗。也就是說，除了增加結溫的目的之外，功耗電路130用于抑制電源電壓的波動。貴州新型節能半導體器件設備24小時服務

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