而當沒有接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s201。接下來，將與率先實施例進行比較來描述本實施例的效果。圖7是示出根據率先實施例的微控制器100的狀態的時間變化的圖。圖8是示出根據第二實施例的微控制器200的狀態的時間變化的圖。在圖7和8中，上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅動電流之和的轉變的曲線圖，而下部所示的曲線圖是示出結溫tj的轉變的曲線圖。如圖7所示，在根據率先實施例的微控制器100中，可存在兩種驅動電流狀態：接通和斷開。另一方面，如圖8所示，在根據第二實施例的微控制器200中，驅動電流可以采用更多狀態。因此，在根據第二實施例的微控制器200中，可以實現根據所測量的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅動電流(即，發熱值)。因此，例如，當環境溫度很低時，通過接通很多功耗電路130，結溫可以在幾個周期內達到邏輯塊110的下限溫度。另外，由于可以進行靈活的溫度控制，因此可以防止結溫過度升高。提高結溫導致漏電流增加，并且因此結溫變得高于所需溫度是不可取的。在本實施例中，當結溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時，發熱量被抑制并且溫度被強制增加。因此，可以抑制明顯超過下限溫度的結溫。半導體行業技術高、進步快,一代產品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設備。西藏工程半導體器件設備24小時服務

    本發明涉及用于控制半導體器件的方法和半導體器件，例如，本發明涉及用于確保半導體器件操作的技術。近年來，對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加，特別是在汽車工業中。因此，在半導體器件中，還需要擴大半導體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開，其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調節器電路來控制對發光二極管的供電，并且能夠防止功率晶體管的過度發熱。作為相關技術，日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開，其用于容易地抑制由與時鐘周期同步的電路引起的功耗狀態的差異引起的電源電壓的變化。技術實現要素：日本未審專利申請公開，但是不能防止過低的結溫。如果由于環境溫度低而導致結溫過低，則可能無法確保半導體器件中的邏輯塊的正常操作。因此，本領域需要一種能夠限定半導體器件可以正常操作的低環境溫度的技術。根據本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據一個實施例，半導體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結溫不小于邏輯塊的預定下限操作溫度的控制器。根據率先實施例，可以將半導體器件可以正常操作的環境溫度定義為低于不使用根據率先實施例的技術時的環境溫度。云南哪里有半導體器件設備治理功率半導體器件通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上。

    以相同的方式，控制器160逐個遞增要操作的功耗電路130的數目。控制器160的數目可以增加n(n是等于或大于2的整數)，而不是逐個增加。此外，在本實施例中，控制器160在診斷部分170診斷的同時逐漸增加要操作的功耗電路130的數目，但不一定需要改變以增加數目。例如，控制器160可以在預定的等待時間改變數目以減少要操作的功耗電路130的數目。然而，推薦地，將要操作的功耗電路130的數目改變為增加的數目。這是因為，取決于環境溫度，如果操作所有功耗電路130，則結溫可能超過保證微控制器200的操作的溫度的上限。因此，如稍后所述，只要結溫不超過操作保證的溫度范圍的上限，要操作的功耗電路130的數目改變為增加，并且當數目超過上限時，溫度傳感器120的診斷操作可以通過中止診斷來在操作保證的溫度范圍內執行。診斷部分170基于溫度傳感器120的輸出來診斷溫度傳感器120是否異常。因此，例如，如果沒有來自溫度傳感器120可用的測量結果，則診斷部分170可以檢測溫度傳感器120中的異常。當從溫度傳感器120獲取測量結果時，診斷部分170如下診斷溫度傳感器120是否存在異常。也就是說。

    可以降低保證微控制器100的操作的環境溫度的下限。此外，由于在使用半導體工藝制造的微控制器中的操作保證的溫度范圍的約束，該功能可以降低設計邏輯塊110的難度，其中邏輯速率(例如，邏輯塊110的操作頻率)在低溫下劣化。第二實施例接下來，將描述第二實施例。圖5是示出根據第二實施例的微控制器200的示例性配置的框圖。微控制器200與根據率先實施例的微控制器100的不同之處在于，提供多個功耗電路130并且控制器140被替換為控制器150。控制器150與控制器140的不同之處在于，它控制多個功耗電路130的開關。在下文中，將描述與率先實施例的不同點，并且將省略對與率先實施例相同的點的描述。根據本實施例的控制器150根據由溫度傳感器120測量的溫度與邏輯塊110的下限溫度之間的差值來控制功耗電路130消耗功率。具體地，當由溫度傳感器120測量的當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，控制器150接通更多的功耗電路130。即，例如，當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d1且小于d2時，控制器150接通n1個功耗電路130，并且當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d2時，控制器150接通n2個功耗電路130。半導體器件通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發光器、放大器、測光器等器材。

    圖10是示出微控制器300中的溫度傳感器120的示例性診斷操作的流程圖。在下文中，將參考圖10描述微控制器300的操作。圖10所示的診斷操作的過程例如在微控制器300啟動時執行。由于微控制器300的自加熱在微控制器300啟動時尚未開始，因此結溫低于微控制器300操作期間的任何時間的結溫。如上所述，如果結溫超過保證微控制器300的操作的溫度范圍的上限，則不能增加操作以進行診斷操作的功耗電路130。診斷部分170可以通過在微控制器300啟動時執行診斷來提高診斷操作的可行性。在步驟s300中，診斷部分170讀取診斷所需要的設定值。例如，診斷部分170讀取存儲在諸如微控制器300中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的設置值。設定值包括例如上述適當量、診斷數n、等待時間tw和增加的數目i。增量數i是指示當要操作的功耗電路130改變時要操作的功耗電路130的增加次數的設定值。在步驟s300中，診斷部分170重置計數器的計數n，該計數n指示在一系列診斷操作中已經診斷了計數器的次數。在步驟s300之后，處理進入步驟s301。在步驟s301中，測量結溫。也就是說，診斷部分170獲取由溫度傳感器120測量的微控制器300的結溫。然后，診斷部分170將n的值遞增1。在步驟s301之后，處理進入步驟s302。導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。寧夏產品半導體器件設備批量定制

半導體產品所需的生產設備,屬于半導體行業產業鏈的支撐環節,在半導體產業鏈中的地位至關重要。西藏工程半導體器件設備24小時服務

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