可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當(dāng)陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。

 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用，所以一旦可控硅導(dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。

  由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 淄博正高電氣有限公司團隊從用戶需求出發(fā)。臨沂高壓可控硅模塊品牌

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。

這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。 聊城大功率可控硅模塊價格淄博正高電氣有限公司提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務(wù)需要。

可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用，但可控硅使用中必須要注意運行環(huán)境和相關(guān)指標(biāo)，防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用。對此，在選用可控硅的額定電壓時，應(yīng)參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。

2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換。

3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！

可控硅模塊特點：

1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。

5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司銳意進取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。聊城大功率可控硅模塊價格

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實際上，可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測量，因此不能用它作為是否超溫的判據(jù)。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結(jié)溫是一種有效的方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結(jié)溫，而相當(dāng)高殼溫Tc是限定的，由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。借助溫控開關(guān)可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當(dāng)高的位置）。從溫控天關(guān)測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路，分別控制風(fēng)機的開啟或主回路的通斷（停機），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作。

  需要指出的是，溫控開關(guān)測量到的溫度是模塊底板表面的溫度，易受環(huán)境、空氣對流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），因此其實際控制溫度應(yīng)低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實際情況和經(jīng)驗決定控制的溫度。 臨沂高壓可控硅模塊品牌

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