可控硅模塊特點:
1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM和IRRM。
3 對通態電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態所必 需的極小主電流,它與結溫有關,結溫越高,則IH越小。
5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司傾城服務,確保產品質量無后顧之憂。淄博大功率可控硅模塊批發
您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?
可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓,只有當正向觸發電壓時,可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態所需的較小的陽極電流,即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。
接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,即保持電流IH。有兩種方法:
1.將正極電壓降低至數值,或添加反向陽極電壓。
2.增加負載電路中的電阻。
以上是可控硅模塊的導通狀態,希望能幫助您 淄博大功率可控硅模塊批發地理位置優越,交通十分便利。
可控硅模塊的出現已經歷史悠久,它的出現也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優勢,使可控硅模塊在電氣行業中非常的受歡迎,下面正高來詳細的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現在電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
可控硅模塊的優點體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優點,因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,并因此得到長足發展。
可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,電流承載能力大,熱循環負載次數是國標的進10倍,焊接工藝獨特,絕緣強度高,導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無腐蝕性氣體、通風、無塵,環境溫度范圍-25℃--45℃,下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟: 1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂,然后用螺釘把模塊固定于散熱器上,四個螺釘用力要均等。
2、用接線端頭環帶將銅線扎緊,浸錫,套上絕緣熱縮管,用熱風或熱水加熱收縮,導線截面積按電流密度<4A/mm2選取,禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。
3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固,保持良好的平面壓力接觸。
4、可控硅模塊的電極易掀起折斷,接線時應防止重力將電極拉起折斷。 淄博正高電氣有限公司銳意進取,持續創新為各行各業提供專業化服務。
只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間,就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。
這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現了可控整流。 淄博正高電氣有限公司團結、創新、合作、共贏。淄博大功率可控硅模塊批發
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可控硅元件在電氣設備中發揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運行環境和相關指標,防止可控硅損壞而影響到設備的正常使用。對此,在選用可控硅的額定電壓時,應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。
2、使用可控硅之前,應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時,應立即更換。
3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
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