如果所裝的中頻電源不需要復位功能、報警功能、內接頻率表的話，端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、應用舉例圖示為一臺KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖，可作為其它裝置原理設計的參考，由于控制電路已經對開機，關機的邏輯進行了設計，因此，不必考慮主回路與控制回路的上電順序。12、調試一臺20M示波器，若示波器的電源是三芯插頭時，注意“地線”千萬不能接，示波器外殼對地需絕緣，*使用一蹤探頭，示波器的X軸、Y軸均需較準，探頭需在測試信號下補償好。若無高壓示波器探頭，應用電阻做一個分壓器，以適應600V以上電壓的測量。一個≤500Ω、≥500W的電阻性負載。為了調試的安全，調試前，應該使逆變橋不工作。例如：把平波電抗器的一端斷開，再在整流橋直流口接入一個≤500Ω、≥500W的電阻性負載。電路板上的IF微調電位器W1順時針旋至比較**（調試過程發生短路時，可以提供過流保護）。主控板上的DIP-1開關撥在ON位置；用示波器做好測量整流橋輸出直流電壓波形的準備；把面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小。送上三相供電（可以不分相序），檢查是否有缺相報警報示，若有，可以檢查進線快速熔斷器是否損壞。把面板上的“給定”電位器順時針旋大。正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

    構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好正高電氣不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關與接觸器的選型無功補償中一個重要器件就是電容器投切開關。早期多采用的是接觸器，隨后呈現的是可控硅投切開關，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大，嚴重時，會發作觸頭熔焊現象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器，在無功負荷動搖大，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運用壽命短，需求經常停止檢修的問題。一般使用于負荷穩定，投切次數較少的場合。可控硅投切開關，具有零電壓投入、零電流切除，投切過程無涌流，對電網無沖擊，反響速度快等特性，會產生很高的溫升，需求運用**散熱器，來處理其通風散熱問題，一般應用于負荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣（常州）有限公司是專業的可控硅投切開關生產供應廠商，嚴格把控產品細節，努力為客戶提供完善的服務。我司**產品主要包含德國進口可控硅、可控硅觸發模塊（自主研發）、溫控開關、鋁合金散熱器、冷卻風機等，能實現可控硅的智能散熱及智能溫度保護的功能，可提高可控硅的運行穩定性。

晶閘管智能模塊導通角與模塊輸出電流的關系

晶閘管模塊的導通角與模塊能輸出的較大電流有直接關系，模塊的標稱電流是較大導通角時能輸出的較大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此，模塊應選擇在極較大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。 正高電氣嚴格控制原材料的選取與生產工藝的每個環節，保證產品質量不出問題。

    電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護，保護晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護晶閘管，就要知道過電壓是怎么產生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細情況：晶閘管模塊對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管模塊就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管模塊是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產生的過電壓例如，交流開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。正高電氣傾城服務，確保產品質量無后顧之憂。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

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