鋁碳化硅是目前金屬基復(fù)合材料中常見、重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料，采用Al合金作基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于玉兔號(hào)行走裝置。陜西新型鋁碳化硅聯(lián)系人

鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點(diǎn)，如何設(shè)計(jì)產(chǎn)品，才能在保障產(chǎn)品的可用性前提下盡量降低成本呢？下面羅列出一些設(shè)計(jì)原則，作為設(shè)計(jì)人員的參考（當(dāng)然，您也可以完全不必操心這些事情，把您的產(chǎn)品圖紙、用途和使用環(huán)境郵件發(fā)送給我們，我們會(huì)遵循鋁碳化硅的生產(chǎn)工藝原則，為您設(shè)計(jì)出產(chǎn)品圖，發(fā)回給您審核）：

1：尺寸精度：鋁碳化硅材料為各向同性材料，不論在哪個(gè)方向上，零件的鑄造尺寸公差應(yīng)大于1.5/1000。

2.平面度：產(chǎn)品平面度可以做到0.75/1000。

3.表面光潔度：形狀簡(jiǎn)單的產(chǎn)品，表面光潔度可以做到1.6微米；形狀復(fù)雜的產(chǎn)品，如齒板的齒，表面光潔度可以做到3.2微米。如需要更高光潔度，可以加拋光工序。

4.盡量不設(shè)計(jì)螺絲孔、通孔、沉孔等孔類結(jié)構(gòu)在零件上，能用U形孔替代，則盡量使用U形孔。 浙江鋁碳化硅檢測(cè)技術(shù)杭州陶飛侖經(jīng)過不斷研究，創(chuàng)新性的開發(fā)出高效率、低成本的高體分大尺寸鋁碳化硅結(jié)構(gòu)件制備工藝。

鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀(jì)初，美國(guó)的AlSiC年產(chǎn)量超過100萬件，T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長(zhǎng)5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展，進(jìn)一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務(wù)公司、法、英、德聯(lián)合開發(fā)機(jī)載AESA及T/R模塊技術(shù)，研制具有1200個(gè)T/R模塊全尺寸樣機(jī)的試驗(yàn)工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰(zhàn)斗機(jī)用AESA雷達(dá)，以色列、瑞典研制出輕型機(jī)載AESA預(yù)警雷達(dá)，機(jī)載AESA及 T/R模塊市場(chǎng)持續(xù)升溫。

封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種，SiC是其中應(yīng)用**為***的一種，這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技術(shù)成熟，價(jià)格相對(duì)較低；另一方面，顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性，**有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài)，可對(duì)材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于F16-腹鰭及蒙皮。

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)，由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、高彈性模量等特點(diǎn)，其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W(m·K)-280W(m·K)之間變化。基體是強(qiáng)度的主要承載體，一般選用6061、6063、2124、A356等度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結(jié)合成AlSiC，解決SiC與Al潤(rùn)濕性差，高SiC含量難于機(jī)加工成形等問題，成為理想的封裝材料。制備55vol%~75vol%SiC高含量的封裝用AlSiC多采用熔滲法，其實(shí)質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強(qiáng)度的多孔基體預(yù)制件，再滲以熔點(diǎn)比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤(rùn)濕多孔基體時(shí)，在毛細(xì)管力作用下，金屬液會(huì)沿顆粒間隙流動(dòng)填充多孔預(yù)制作孔隙，脫模無需機(jī)械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。鋁碳化硅具有高比剛度、比強(qiáng)度、高尺寸穩(wěn)定性、低熱膨脹系數(shù)、高耐磨、耐腐蝕等優(yōu)異性能。河北質(zhì)量鋁碳化硅設(shè)計(jì)

鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于豐田發(fā)動(dòng)機(jī)缸體。陜西新型鋁碳化硅聯(lián)系人

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，采用鋁合金作為基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度。其特性主要取決于碳化硅的體積分?jǐn)?shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。陜西新型鋁碳化硅聯(lián)系人

杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠(chéng)信為本的理念，打造電子元器件良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。