在長(zhǎng)期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標(biāo)準(zhǔn)化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應(yīng)高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發(fā)的應(yīng)用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料，具有其綜合的優(yōu)勢(shì)性能。隨之發(fā)展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導(dǎo)方面優(yōu)于Kovar，但其密度大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質(zhì)的器件封裝材料。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于豐田發(fā)動(dòng)機(jī)缸體。浙江優(yōu)勢(shì)鋁碳化硅行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)看，AlSiC可實(shí)現(xiàn)低成本的、無需進(jìn)一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導(dǎo)石墨等）的經(jīng)濟(jì)性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時(shí)也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。陜西標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅價(jià)格多少杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復(fù)合材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。

鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀(jì)初，美國(guó)的AlSiC年產(chǎn)量超過100萬件，T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長(zhǎng)5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展，進(jìn)一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務(wù)公司、法、英、德聯(lián)合開發(fā)機(jī)載AESA及T/R模塊技術(shù)，研制具有1200個(gè)T/R模塊全尺寸樣機(jī)的試驗(yàn)工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰(zhàn)斗機(jī)用AESA雷達(dá)，以色列、瑞典研制出輕型機(jī)載AESA預(yù)警雷達(dá)，機(jī)載AESA及 T/R模塊市場(chǎng)持續(xù)升溫。

常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關(guān)部門調(diào)試重視。經(jīng)過近些年來的深入研究，AlSiC取得產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，相繼推動(dòng)高硅鋁合金SiC/Al實(shí)用化進(jìn)程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結(jié)合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低CTE、高比強(qiáng)度、低密度、導(dǎo)電性好的封裝材料。從產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)看，AlSiC可實(shí)現(xiàn)低成本的、無需進(jìn)一步加工的凈成形(net-shape)或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導(dǎo)石墨等）的經(jīng)濟(jì)性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時(shí)也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。鋁碳化硅可以應(yīng)用于軌道交通轉(zhuǎn)向架-框架。

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學(xué)對(duì)準(zhǔn)非常關(guān)鍵的復(fù)雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關(guān)鍵的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)部分無需額外的加工，保證光電器件的對(duì)接，降低成本。此外，AlSiC有優(yōu)良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優(yōu)化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。

AlSiC金屬基復(fù)合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調(diào)的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料，為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金，尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于飛機(jī)的油箱口蓋。江蘇多功能鋁碳化硅產(chǎn)品介紹

杭州陶飛侖新材料有限公司可生產(chǎn)大尺寸的鋁碳化硅結(jié)構(gòu)件。浙江優(yōu)勢(shì)鋁碳化硅行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時(shí)AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試驗(yàn)證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經(jīng)過上萬次熱循環(huán)，模塊工作良好如初，焊層完好。

AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強(qiáng)度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)***，超過銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨(dú)特的高熱導(dǎo)、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度的結(jié)合優(yōu)勢(shì)成為不可替代的材質(zhì)。 浙江優(yōu)勢(shì)鋁碳化硅行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠(chéng)信為本的理念，打造電子元器件良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。