AlSiC封裝材料產業化引起國內科研院所、大學等單位的***重視，積極著手研發其凈成形工藝，部分單位研制成功樣品，為AlSiC工業化生產積累經驗, 離規模化生產尚有一定距離，存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位固化技術等問題。我們公司采用創新型制備工藝，可制備50%-75%體分的鋁碳化硅產品，在碳化硅預制件制備過程中，區別于氧化燒結法，所制備的碳化硅預制件無二氧化硅，對復合材料的熱導率無抑制作用，極大的提高了復合材料的熱導率，且極大低降低了加工成本。杭州陶飛侖新材料有限公司鋁碳化硅產品覆蓋輕質耐磨/高精密結構件、微波電子/光電/大功率 IGBT 模塊封裝等。河北大規模鋁碳化硅電話多少

（2）、增強體SiC與基體鋁浸潤性差的問題：增強材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關鍵技術，基體對增強材料浸潤性差，有時根本不發生潤濕現象。該問題主要解決方法：①、加入合金元素，優化基體組分，改善基體對增強體的浸潤性，常用的合金元素有：鎂、硅等；②、對增強材料SiC進行表面處理，涂敷一層可抑制界面反應的涂層，可有效改善其浸潤性，表面涂層涂覆方法較多，如化學氣相沉積，物***相沉積，溶膠－凝膠和電鍍或化學鍍等。河南大規模鋁碳化硅設備低體分鋁碳化硅具有塑性高、耐磨性好、加工性能優異等特點。

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設計、材料制造（陶瓷制備、復合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術路徑來制備鋁碳化硅復合材料。具有多種技術優勢，如燒結周期短（燒結周期縮短為1/4以內）、熱導率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創新儲備技術將陸續產業化。

鋁碳化硅AlSiC（SICP/Al或Al/SiC、SiC/Al）是一種顆粒增強金屬基復合材料，結合了鋁合金基體和SiC的優點，是綜合性能優良的金屬基復合材料。采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁基碳化硅復合材料它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。“祝融號”所應用的新型復合材料塑性提升了一倍以上，而且具有高度各向同性、優異的耐磨性和尺寸穩定性，完全能夠滿足火星復雜地貌導致的沖擊、磨損等工況。杭州陶飛侖是專業從事金屬陶瓷復合材料研發、生產、銷售一體型新材料公司。

在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發的應用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料，具有其綜合的優勢性能。隨之發展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導方面優于Kovar，但其密度大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質的器件封裝材料。我司主要研制、生產低體分和高體分的金屬陶瓷復合材料。河南質量鋁碳化硅產品介紹

杭州陶飛侖新材料有限公司研制的產品表面金屬化焊接孔隙率小于3%。河北大規模鋁碳化硅電話多少

3）、增強體SiC在基體中均勻分布的問題：按結構設計需求，使增強材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關鍵技術之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中，SiC顆粒的團聚，以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項難點。該問題主要解決方法：①、對增強體SiC進行適當的表面處理，使其浸漬基體速度加快；②、加入適當的合金元素改善基體的分散性；③、施加適當的壓力，使其分散性增大；④、施加外場(磁場,超聲場等)。河北大規模鋁碳化硅電話多少

杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，以科技創新實現高質量管理的追求。陶飛侖新材料擁有一支經驗豐富、技術創新的專業研發團隊，以高度的專注和執著為客戶提供鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷。陶飛侖新材料致力于把技術上的創新展現成對用戶產品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。陶飛侖新材料始終關注電子元器件行業。滿足市場需求，提高產品價值，是我們前行的力量。