3）、增強(qiáng)體SiC在基體中均勻分布的問題：按結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需求，使增強(qiáng)材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中，SiC顆粒的團(tuán)聚，以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項(xiàng)難點(diǎn)。該問題主要解決方法：①、對增強(qiáng)體SiC進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚恚蛊浣n基體速度加快；②、加入適當(dāng)?shù)暮辖鹪馗纳苹w的分散性；③、施加適當(dāng)?shù)膲毫?，使其分散性增大；④、施加外?磁場,超聲場等)。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于PW4000發(fā)動(dòng)機(jī)風(fēng)扇出口導(dǎo)葉。浙江鋁碳化硅熱沉片

封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種，SiC是其中應(yīng)用**為***的一種，這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技術(shù)成熟，價(jià)格相對較低；另一方面，顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性，**有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài)，可對材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。北京標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅常見問題鋁碳化硅以其優(yōu)越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料，廣泛應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域。

真空壓力浸滲法

工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機(jī)加（—表面處理）

工藝設(shè)備：真空壓力浸滲爐

工藝優(yōu)勢：1、可實(shí)現(xiàn)近凈成型加工，尤其是復(fù)雜的零件；2、組織致密度高，材料性能好；3、相對于粉末冶金，其工藝過程易于控制。

工藝不足：1、對成型設(shè)備要求高；2、受限于設(shè)備尺寸，制造大尺寸零件困難；3、組織易粗大。

適應(yīng)性：高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應(yīng)用。

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時(shí)AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試驗(yàn)證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經(jīng)過上萬次熱循環(huán)，模塊工作良好如初，焊層完好。

AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強(qiáng)度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)***，超過銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨(dú)特的高熱導(dǎo)、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度的結(jié)合優(yōu)勢成為不可替代的材質(zhì)。 高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于雷達(dá)的T/R組件中。

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學(xué)對準(zhǔn)非常關(guān)鍵的復(fù)雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關(guān)鍵的光學(xué)對準(zhǔn)部分無需額外的加工，保證光電器件的對接，降低成本。此外，AlSiC有優(yōu)良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優(yōu)化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。

AlSiC金屬基復(fù)合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調(diào)的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料，為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金，尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 低體分鋁碳化硅具有塑性高、耐磨性好、加工性能優(yōu)異等特點(diǎn)。北京質(zhì)量鋁碳化硅原料

杭州陶飛侖新材料有限公司鋁碳化硅產(chǎn)品覆蓋輕質(zhì)耐磨/高精密結(jié)構(gòu)件、微波電子/光電/大功率 IGBT 模塊封裝等。浙江鋁碳化硅熱沉片

2、高體分鋁碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導(dǎo)體封裝材料，已率先實(shí)現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、***射頻系統(tǒng)芯片等封裝方面作用極為凸顯，成為封裝材料應(yīng)用開發(fā)的重要趨勢。

（1）、封裝類AlSiC特性：封裝材料用作支撐和保護(hù)半導(dǎo)體芯片的金屬底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外殼，構(gòu)成導(dǎo)熱性能比較好，總耗散功率提高到數(shù)十瓦,全氣密封性，堅(jiān)固牢靠的封裝結(jié)構(gòu)，為芯片、HIC提供一個(gè)高可靠穩(wěn)定的工作環(huán)境，具體材料性能是個(gè)優(yōu)先關(guān)鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性如下表所示，可見封裝類鋁碳化硅綜合性能***優(yōu)于其他材料。 浙江鋁碳化硅熱沉片

杭州陶飛侖新材料有限公司位于塘棲鎮(zhèn)富塘路37-3號1幢201-1室，擁有一支專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。專業(yè)的團(tuán)隊(duì)大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉行業(yè)專業(yè)知識技能，致力于發(fā)展陶飛侖的品牌。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力，多年來一直專注于一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；新材料技術(shù)研發(fā)；模具銷售；新型陶瓷材料銷售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷售；特種陶瓷制品銷售(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng))。以下限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營：一般項(xiàng)目：金屬材料制造；特種陶瓷制品制造；模具制造；金屬工具制造(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng))。的發(fā)展和創(chuàng)新，打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。陶飛侖新材料始終以質(zhì)量為發(fā)展，把顧客的滿意作為公司發(fā)展的動(dòng)力，致力于為顧客帶來***的鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷。