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大規模鋁碳化硅設備

來源: 發布時間:2021-11-21

除用作慣性器件外,光學/儀表級鋁基碳化硅還可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等用作反射鏡鏡坯。例如,美國已采用碳化硅顆粒增強鋁基復合材料制成了超輕空間望遠鏡的主反射鏡和次反射鏡,主鏡直徑為0.3m。反射鏡面帶有拋光的化學鍍鎳層,鎳反射層與鋁基復合材料基材結合良好、膨脹也十分匹配。在(230-340)K之間進行320次循環后,鎳反射層仍能保持1/10可見光波長的平面度。由于結構的改進,鋁碳化硅反射鏡比傳統玻璃反射鏡輕50%以上。由于多處采用了新材料。使得整個空間望遠鏡重量*為4.54kg。鋁碳化硅已經應用于直升機模鍛件。大規模鋁碳化硅設備

熔滲法是AlSiC制備的關鍵,一般分為有壓力滲透和無壓力滲透,前者根據生產過程中壓力施加的大小、方式的不同,又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備,滲透時間較短,有效控制Al與SiC的界面反應,同時與精度的模具相配套,獲得實用性發展。后者是將Al合金錠放置在SiC預制件上,在合金熔點以上保溫,Al合金液依托毛細管力的作用自發滲入預制件中,所需設備簡單,易于低成本制備,但產品的機械性能與熱性能略低,對基體合金的成分有較為嚴格的要求,浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分數可在15% ~ 75%之間調節,SiC承載量大,但較難實現材料的一次成形。江蘇標準鋁碳化硅產業鋁碳化硅具有高比剛度、比強度、高尺寸穩定性、低熱膨脹系數、高耐磨、耐腐蝕等優異性能。

2、鋁碳化硅材料成型的關鍵技術:由于金屬所固有的物理和化學特性,其加工性能不如樹脂好,在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關鍵技術,其中主要表現于:加工溫度高,在高溫下易發生不利的化學反應;增強材料與基體浸潤性差;增強材料在基體中的分布。

(1)、高溫下的不利化學反應問題:在加工過程中,為了確保基體的浸潤性和流動性,需要采用很高的加工溫度(往往接近或高于基體的熔點)。在高溫下,基體與增強材料易發生界面反應,生成有害的反應產物Al4C3,呈脆性,會成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復合材料的加工溫度是一項關鍵技術。該問題主要解決方法:①、盡量縮短高溫加工時間,使增強材料與基體界面反應時間降低至比較低程度;②、通過提高工作壓力使增強材料與基體浸潤速度加快;③、采用擴散粘接法可有效地控制溫度并縮短時間。

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝,主要的用途是將器件封裝在一起,起到包封、支撐、固定、絕緣等作用,這代封裝材料目前主要用于電子產品的封裝。2第二代封裝材料,以可伐(Kovar)合金、鎢銅合金產品為**,其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當代封裝業來講,有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產品。鋁碳化硅(AlSiC)是將金屬的高導熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結合,能滿足多功能特性及設計要求,具有高導熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優異性能,是當今芯片封裝的***型材料。目前已大量應用到航空航天、新能源汽車、電力火車,微電子封裝等領域。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅熱導率超過230W/m·K.

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關鍵的復雜幾何圖形,精確控制圖形尺寸,關鍵的光學對準部分無需額外的加工,保證光電器件的對接,降低成本。此外,AlSiC有優良的散熱性能,能保持溫度均勻性,并優化冷卻器性能,改善光電器件的熱管理。

AlSiC金屬基復合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料,為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金,尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 鋁碳化硅可以應用于軌道交通轉向架-框架。江蘇標準鋁碳化硅產業

杭州陶飛侖制備的大尺寸結構件不僅材料性能優異,且大幅提高了材料的可加工性能。大規模鋁碳化硅設備

鋁基碳化硅(AlSiC)的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料,采用鋁合金作為基體,按設計要求,以一定形式、比例和分布狀態,用SiC顆粒作為增強體,構成有明顯界面的多組相復合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢,具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數(含量)及分布和粒度大小,以及鋁合金成份等因素。大規模鋁碳化硅設備

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