熱工材料主要用作隔熱材料和換熱器隔熱材料是利用多孔陶瓷的高孔隙度（主要是閉孔）的隔熱作用換熱器則利用其巨大的孔隙度、大的熱交換面積，同時又具備耐熱耐蝕不污染等特性。

復合材料骨架材料SiC由于具有密度低、強度高和導熱性好等特點，使其成為一種常用的金屬基復合材料增強相。LI等研究發現，在含相同體積分數SiC時，以三維連續多孔SiC作為骨架制備的SiC/Al復合材料，其各項性能均優于以粉末SiC作為骨架制備的SiC/Al復合材料。 采用顆粒堆積燒結法也稱為固態燒結法，其成孔是通過顆粒堆積留下空隙形成氣孔。質量碳化硅預制件設計標準

SiC陶瓷的生產工藝簡述如下：碳化硅粉體的制備技術就其原始原料狀態分為固相合成法和液相合成法。

硅、碳直接反應法是對自蔓延高溫合成法的應用,是以外加熱源點燃反應物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學反應熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有耗能少、設備工藝簡單、生產率高的優點,其缺點是目發反應難以控制。此外硅、碳之間的反應是一個弱放熱反應,在室溫下反應難以點燃和維持下去,為此常采用化學爐、將電流直接通過反應體、對反應體進行預熱、輔加電場等方法補充能量。 質量碳化硅預制件設計標準杭州陶飛侖新材料有限公司生產的碳化硅陶瓷預制體開氣孔率超過99.7%以上。

3D打印法制備多孔碳化硅陶瓷是近些年發展起來的一種新型制備工藝。該工藝借助于計算機輔助設計的三維數據模型，通過打印頭噴射結合劑將原料粉體層層堆疊成三維網狀結構。3D打印法與反應燒結工藝相結合，可實現復雜形狀陶瓷的無模制造與近凈尺寸成型。[7]3D打印法制備多孔碳化硅陶瓷具有成型工藝簡單、制備和加工效率高且無需模具等特點，不僅可用來制備形狀復雜、顯微結構均勻和孔連通性好的多孔碳化硅陶瓷，而且多孔陶瓷的孔隙率和孔徑大小均可控可調。但是，該方法目前仍處于探索研究階段，工藝參數還需進一步優化。另外，該方法很難一步制備出**度的多孔碳化硅陶瓷，需要輔助其他工藝來制備所需制品，成本較高。

SiC陶瓷的優異性能與其獨特的結構是密切相關的：SiC是共價鍵很強的化合物，SiC中Si-C鍵的離子性*12％左右。因此，SiC具有強度高、彈性模量大，具有優良的耐磨損性能。純SiC不會被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發生氧化，但氧化時表面形成的SiO2會抑制氧的進一步擴散，故氧化速率并不高。在電性能方面，SiC具有半導體性，少量雜質的引入會表現出良好的導電性。此外，SiC還有優良的導熱性等等。碳化硅多孔陶瓷密度、孔隙率、體份、抗彎強度等性能檢測方法多種，檢測精度不同，檢測結果存在一定差異。

在強碳-硅共價鍵作用下，SiC多孔陶瓷具有機械強度大，耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點，其在高溫煙氣除塵、水處理和氣體分離等方面有著***的應用前景，而且與氧化物陶瓷膜和有機膜相比，SiC有著更優異的抗污染性能。然而，SiC陶瓷燒結溫度高，純質SiC燒結溫度通常需要高達2000℃。添加燒結助劑可以有效降低SiC的燒成溫度，常用的燒結助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料，如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物，高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質。杭州陶飛侖研制的碳化硅陶瓷預制件無閉氣孔，制成的復合材料致密度極高。湖北大規模碳化硅預制件檢測技術

杭州陶飛侖系統研究預制體的抗彎強度和鑄件浸滲工藝及鑄件性能之間的關系。質量碳化硅預制件設計標準

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，*次于世界上**硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。

碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發現碳化硅1907年***只碳化硅晶體發光二極管誕生1955年理論和技術上重大突破，LELY提出生長***碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會議進行學術交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯進行研究。到1978年***采用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法。

質量碳化硅預制件設計標準

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