碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱，它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領域，是解決熱學管理問題的優先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料——鋁碳化硅的應用也因此具有很大的市場潛力。鋁碳化硅具有高比剛度、比強度、高尺寸穩定性、低熱膨脹系數、高耐磨、耐腐蝕等優異性能。浙江鋁碳化硅粒度表示方法

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例，在同樣的強度和剛度條件下，可減重高達80%以上。（2）、低膨脹系數：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數一般為（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），遠低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）、Mo/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）等傳統封裝材料，與Si、GaAs、AlN等無機陶瓷基片材料熱匹配良好。浙江質量鋁碳化硅量大從優高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括：陶瓷多孔預制件制備、真空壓力浸滲、成型件繼續加工。

在國內，隨著AESA產品的定型，T/R模塊出現批量生產需求，其基板、殼體的生產極為關鍵，采用近凈成形技術，研制出小批量T/R模塊封裝外殼樣品。用無壓溶滲AlSiC制作基座替代W-Cu基座，封裝微波功率器件，按GJB33A-97和GJB128A-97軍標嚴格考核，器件的微波性能、熱性能無變化，可完全滿足應用要求，前者的重量只及W-Cu基座的 20%,且成本*為后者的1/3左右，有望在封裝領域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。國產L波段功率器件月批量生產累計上千只，實現某型號雷達***國產化、固態化，今后幾年會持續批量生產，S、C波段功率模塊怎樣低成本生產，將涉及AlSiC封裝材料的研發應用。

在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發的應用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料，具有其綜合的優勢性能。隨之發展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導方面優于Kovar，但其密度大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質的器件封裝材料。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的高體分鋁碳化硅涵蓋50%-75%體分。

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度，復合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內進行調節， 由此決定了產品的競爭力，相繼開發出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點，其熱導率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。基體是強度的主要承載體，一般選用6061、 6063、2124、A356等**度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結合成AlSiC，解決SiC與Al潤濕性差，高SiC含量難于機加工成形等問題，成為理想的封裝材料。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅熱膨脹系數較低，比剛度較高。陜西鋁碳化硅怎么樣

杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅顆粒分布均勻，無顆粒聚集情況，加工性能優異。浙江鋁碳化硅粒度表示方法

除用作慣性器件外，光學/儀表級鋁基碳化硅還可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等用作反射鏡鏡坯。例如，美國已采用碳化硅顆粒增強鋁基復合材料制成了超輕空間望遠鏡的主反射鏡和次反射鏡，主鏡直徑為0.3m。反射鏡面帶有拋光的化學鍍鎳層，鎳反射層與鋁基復合材料基材結合良好、膨脹也十分匹配。在（230-340）K之間進行320次循環后，鎳反射層仍能保持1/10可見光波長的平面度。由于結構的改進，鋁碳化硅反射鏡比傳統玻璃反射鏡輕50%以上。由于多處采用了新材料。使得整個空間望遠鏡重量*為4.54kg。浙江鋁碳化硅粒度表示方法

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