碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，*次于世界上**硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。

碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發現碳化硅1907年***只碳化硅晶體發光二極管誕生1955年理論和技術上重大突破，LELY提出生長***碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會議進行學術交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯進行研究。到1978年***采用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法。

杭州陶飛侖研制的多孔陶瓷材料抗彎強度高，浸滲、運輸等過程中不易破損。天津碳化硅預制件產業化

新型特種陶瓷——多孔陶瓷件

性能優點:采用自主研發的創性型工藝方法研制，工藝過程未產生二氧化硅，提高MMCs熱導率；開氣孔率高，提高MMCs致密度；抗彎強度高，浸滲過程不易變形、斷裂，提高MMCs成品率及結構復雜度。可根據產品技術要求，采用多種級配和顆粒粒徑，陶瓷體分可從50%到75%之間調配。

主要應用:高體分MMCs浸滲工藝預制件；液體提純、過濾領域功能件；氣體吸附領域功能件。

主要性能指標（SiC）：
體分%：50-75%；體密度（g/cm3）：1.6-2.4；抗彎強度（MPa）：≥5；開孔率%：≥99 上海碳化硅預制件廠家現貨杭州陶飛侖生產的碳化硅多孔陶瓷預制體具有良好的加工性能。

在強碳-硅共價鍵作用下，SiC多孔陶瓷具有機械強度大，耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點，其在高溫煙氣除塵、水處理和氣體分離等方面有著***的應用前景，而且與氧化物陶瓷膜和有機膜相比，SiC有著更優異的抗污染性能。然而，SiC陶瓷燒結溫度高，純質SiC燒結溫度通常需要高達2000℃。添加燒結助劑可以有效降低SiC的燒成溫度，常用的燒結助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料，如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物，高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質。

杭州陶飛侖新材料有限公司在碳化硅陶瓷預制件制備技術研究過程中，主要對一下方面進行重點研究：SiC陶瓷顆粒分布設計：該方法既涉及預制型產品的孔隙率，也要考慮空隙的規則分布，使***鋁的浸滲飽和充實，方便材料的加工，傳統制造過程由于技術缺陷容易造成浸漬過程陶瓷死角無法浸實的情況，導致產品性能和良率下降。擬解決的關鍵技術難點：碳化硅毛坯的孔徑分布控制技術；碳化硅含量連續可調的預制型制備技術；碳化硅預制型孔內死角填充技術。工裝設計主要考慮了碳化硅陶瓷壓縮比、氣體排除方式、脫模效果等多個方面。

1.直寫成型（DIW）：DIW 技術的打印原理是在計算機的輔助下，將具有高粘度的材料通過噴頭擠壓成長絲，按照計算機輸出的模型橫截面進行構建，然后逐層“書寫”建立三維結構，***將制得的預制件進行熱解、燒結。DIW技術制備碳化硅陶瓷的優點主要是簡易、便宜、快捷，對打印具有周期性規律結構、網狀多孔結構的材料具有較大優勢，常用于制備具有大孔結構、桁架結構的陶瓷部件；但是存在致密度低、打印精度低、產品表面質量差、氣孔率高、強度低等缺點。杭州陶飛侖新材料有限公司探索出預制體強度與鑄件浸滲工藝及鑄件性能之間的關系。好的碳化硅預制件發展現狀

杭州陶飛侖新材料公司可為客戶提供高效率、低成本的多孔陶瓷生產方案。天津碳化硅預制件產業化

鋁碳化硅（AlSiC）復合材料是大功率IGBT封裝的理想材料，目前先進制備技術主要被美日系企業壟斷，國內廠商面臨**、制造水平、加工技術等多方面的壁壘，國內大功率IGBT封裝用AlSiC產品主要依賴于從日本進口。受國內政策支持影響，近年來出現了一批AlSiC復合材料制備的企業，雖然他們在鋁碳化硅復合材料制備技術上取得了較大的發展和進步，但主要集中在復合材料結構件和低體分（≤40%）制造方面，大功率IGBT用高體分（≥55%）的AlSiC復合材料存在加工精度低和焊接性能差的技術壁壘問題并沒有得到有效解決。天津碳化硅預制件產業化

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家一般項目：技術服務、技術開發、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；新材料技術研發；模具銷售；新型陶瓷材料銷售；金屬基復合材料和陶瓷基復合材料銷售；特種陶瓷制品銷售(除依法須經批準的項目外，憑營業執照依法自主開展經營活動)。以下限分支機構經營：一般項目：金屬材料制造；特種陶瓷制品制造；模具制造；金屬工具制造(除依法須經批準的項目外，憑營業執照依法自主開展經營活動)。的公司，致力于發展為創新務實、誠實可信的企業。陶飛侖新材料擁有一支經驗豐富、技術創新的專業研發團隊，以高度的專注和執著為客戶提供鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷。陶飛侖新材料不斷開拓創新，追求出色，以技術為先導，以產品為平臺，以應用為重點，以服務為保證，不斷為客戶創造更高價值，提供更優服務。陶飛侖新材料始終關注電子元器件行業。滿足市場需求，提高產品價值，是我們前行的力量。