AlSiC封裝材料產業化引起國內科研院所、大學等單位的***重視，積極著手研發其凈成形工藝，部分單位研制成功樣品，為AlSiC工業化生產積累經驗, 離規模化生產尚有一定距離，存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位固化技術等問題。我們公司采用創新型制備工藝，可制備50%-75%體分的鋁碳化硅產品，在碳化硅預制件制備過程中，區別于氧化燒結法，所制備的碳化硅預制件無二氧化硅，對復合材料的熱導率無抑制作用，極大的提高了復合材料的熱導率，且極大低降低了加工成本。高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛星光學反射鏡中。湖北有什么鋁碳化硅價格多少

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地擴散熱控元件的熱量。（5）、主要應用方向及**零件：可同時運用于***和民用領域的熱管理材料領域，**零件如***電子IGBT基板、印刷電路板（PCB）基板、封裝散熱底板、電子元件基座及外殼、功率放大模塊外殼及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。湖南鋁碳化硅產品介紹杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅顆粒分布均勻，無顆粒聚集情況，加工性能優異。

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產品時多采用熔滲法，其實質是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強度的多孔碳化硅基體預制件，再滲以熔點比其低的金屬填充預制件，其理論基礎是在金屬液潤濕多孔基體時，在毛細管力作用下，金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預制作孔隙，脫模無需機械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。

鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產業化趨勢看，AlSiC可實現低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導石墨等）的經濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環及可靠性。高體分鋁碳化硅廣泛應用于微電子的散熱基板中。

(4)、超聲加工：

超聲加工(USM)是指將超聲波和數控加工中心相互結合，在數控加工中心上由超聲發生器產生高頻電振蕩(一般為16kHz～25kHz)，施加于超聲換能器上，將高頻電振蕩轉換成超聲頻振動。超聲振動通過變幅桿放大振幅，并驅動以一定的靜壓力壓在工件表面上的工具產生相應頻率的振動。工具端部通過磨料不斷地捶擊工件，使加工區的工件材料粉碎成很細的微粒，被循環的磨料懸浮液帶走，工具便逐漸進入到工件中，從而加工出與工具相應的形狀。 杭州陶飛侖經過不斷研究，創新性的開發出高效率、低成本的高體分大尺寸鋁碳化硅結構件制備工藝。浙江鋁碳化硅生產廠

鋁碳化硅已經應用于飛機的油箱口蓋。湖北有什么鋁碳化硅價格多少

2、高體分鋁碳化硅的主要應用領域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導體封裝材料，已率先實現電子封裝材料的規模產業化，滿足半導體芯片集成度沿摩爾定律提高導致芯片發熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、***射頻系統芯片等封裝方面作用極為凸顯，成為封裝材料應用開發的重要趨勢。

（1）、封裝類AlSiC特性：封裝材料用作支撐和保護半導體芯片的金屬底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外殼，構成導熱性能比較好，總耗散功率提高到數十瓦,全氣密封性，堅固牢靠的封裝結構，為芯片、HIC提供一個高可靠穩定的工作環境，具體材料性能是個優先關鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性如下表所示，可見封裝類鋁碳化硅綜合性能***優于其他材料。 湖北有什么鋁碳化硅價格多少

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