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浙江大規模鋁碳化硅設計標準

來源: 發布時間:2021-12-02

鋁碳化硅在T/R組件中的應用:本世紀初,美國的AlSiC年產量超過100萬件,T/ R模塊已經由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發展,進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯合開發機載AESA及T/R模塊技術,研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作,俄羅斯積極著手研制第4代戰斗機用AESA雷達,以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達,機載AESA及 T/R模塊市場持續升溫。鋁碳化硅可替代鋁合金、不銹鋼、鈦合金等用于高精度精密結構件中。浙江大規模鋁碳化硅設計標準

鋁碳化硅研發較早,理論描述較為完善,其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅(SiC體積比55%-75%)、中體分鋁碳化硅(SiC體積比35%-55%)、低體分鋁碳化硅(SiC體積比5%-35%)。從產業化趨勢看,AlSiC可實現低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造,還能與高散熱材料(金剛石、高熱傳導石墨等)的經濟性并存集成,滿足:大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩定性及散溫度均勻性要求,同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等器件的推薦封裝材料,提供良好的熱循環及可靠性。天津通用鋁碳化硅產業鋁碳化硅已經應用于機床-主軸、導軌。

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設計、材料制造(陶瓷制備、復合成型、機械加工和后處理)于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術路徑來制備鋁碳化硅復合材料。具有多種技術優勢,如燒結周期短(燒結周期縮短為1/4以內)、熱導率高、高速成型、高精密加工(尺寸精度±0.005mm;平行度、垂直度、平面度±5μm;表面光潔度≤Ra0.01;RMS≤20nm;鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm):此外,還有多項創新儲備技術將陸續產業化。

中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出,即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度,還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹系數和優于鈹材的尺寸穩定性。因此,其可替代鈹材用作慣性導航系統器件,被譽為“第三代航空航天慣性器件材料”。其已被正式用于美國某型號慣性環形激光陀螺制導系統,并已形成美國的國軍標(MIL-M-46196)。此外,還替代鈹材被成功地用于三叉戟導彈的慣性導航向地球及其慣性測量單元(IMU)的檢查口蓋,并取得比鈹材的成本低三分之二的效果。微屈服(MYS)是表征材料尺寸穩定性的主要指標,而該種復合材料的微屈服度為118MPa,該值是國產真空熱壓鈹材的5倍,且已超過美國布拉什公司研制的高尺寸穩定性新型光學儀表級**I-250鈹材。高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛星光學反射鏡中。

AESA由數以千計的T/R模塊(有的高達9 000 個左右)構成,在每個T/R模塊內部都有用GaAs 技術制作的功率發射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片,**終生產關鍵在其封裝技術上,因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導熱、輕質于一體,采用AlSiC外殼封裝T/R模塊,包括S、C、X、Ku波段產品,可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達,其AESA直 徑約1m,用2 000個T/R模塊構成,每個T/R模塊 輸出功率10W,移相器6位,接收噪聲系數2.9dB,體積6.4cm3,重14.88g,平均故障間隔MTBF20萬h,其發射功率比初期產品增加16倍,接收噪聲系數降低1倍,體積重量減少83%,成本下降82%。以1000個T/R模塊構成機載AESA雷達為例,用 AlSiC替代Kovar,雷達重量可減輕34kg,而熱導率比Kovar提高10余倍,且提高整機可靠性MTBF達2000h以上。試驗表明,即使AESA中10%的T/R模塊產生故障,對系統無***影響,30%失效時,仍可維持基本工作性能,具有所謂的“完美降級” 能力。高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括:陶瓷多孔預制件制備、真空壓力浸滲、成型件繼續加工。陜西多功能鋁碳化硅電話多少

鋁碳化硅以其優越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料,廣泛應用于電子封裝領域。浙江大規模鋁碳化硅設計標準

封裝金屬基復合材料的增強體有數種,SiC是其中應用**為***的一種,這是因為它具有優良的熱性能,用作顆粒磨料技術成熟,價格相對較低;另一方面,顆粒增強體材料具有各向同性,**有利于實現凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(含量)及分布和粒度大小,以及Al合金成分等。依據兩相比例或復合材料的熱處理狀態,可對材料熱物理與力學性能進行設計,從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中,SiC體積分數尤為重要,實際應用時,AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸,要求CTE盡可能匹配。浙江大規模鋁碳化硅設計標準

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