火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國***火星探測任務工程火星探測器*****孫澤洲介紹，為適應火星的特殊環境，火星車將采用復合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅致密度超過99.7%。浙江優勢鋁碳化硅價格多少

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例，在同樣的強度和剛度條件下，可減重高達80%以上。（2）、低膨脹系數：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數一般為（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），遠低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）、Mo/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）等傳統封裝材料，與Si、GaAs、AlN等無機陶瓷基片材料熱匹配良好。浙江優勢鋁碳化硅價格多少鋁碳化硅以其優越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料，廣泛應用于電子封裝領域。

鋁碳化硅在T/R組件中的應用：本世紀初，美國的AlSiC年產量超過100萬件，T/ R模塊已經由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯合開發機載AESA及T/R模塊技術，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續升溫。

真空壓力浸滲法

工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機加（—表面處理）

工藝設備：真空壓力浸滲爐

工藝優勢：1、可實現近凈成型加工，尤其是復雜的零件；2、組織致密度高，材料性能好；3、相對于粉末冶金，其工藝過程易于控制。

工藝不足：1、對成型設備要求高；2、受限于設備尺寸，制造大尺寸零件困難；3、組織易粗大。

適應性：高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應用。 鋁碳化硅已經應用于跑車及飛機、高鐵發動機剎車盤。

2、高體分鋁碳化硅的主要應用領域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導體封裝材料，已率先實現電子封裝材料的規模產業化，滿足半導體芯片集成度沿摩爾定律提高導致芯片發熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、***射頻系統芯片等封裝方面作用極為凸顯，成為封裝材料應用開發的重要趨勢。

（1）、封裝類AlSiC特性：封裝材料用作支撐和保護半導體芯片的金屬底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外殼，構成導熱性能比較好，總耗散功率提高到數十瓦,全氣密封性，堅固牢靠的封裝結構，為芯片、HIC提供一個高可靠穩定的工作環境，具體材料性能是個優先關鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性如下表所示，可見封裝類鋁碳化硅綜合性能***優于其他材料。 高體分鋁碳化硅廣泛應用于雷達的T/R組件中。天津標準鋁碳化硅廠家現貨

鋁碳化硅已經應用于F16-腹鰭及蒙皮。浙江優勢鋁碳化硅價格多少

封裝金屬基復合材料的增強體有數種，SiC是其中應用**為***的一種，這是因為它具有優良的熱性能，用作顆粒磨料技術成熟，價格相對較低；另一方面，顆粒增強體材料具有各向同性，**有利于實現凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據兩相比例或復合材料的熱處理狀態，可對材料熱物理與力學性能進行設計，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分數尤為重要，實際應用時，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。浙江優勢鋁碳化硅價格多少

杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，是一家生產型公司。公司業務涵蓋鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷等，價格合理，品質有保證。公司將不斷增強企業重點競爭力，努力學習行業知識，遵守行業規范，植根于電子元器件行業的發展。陶飛侖新材料立足于全國市場，依托強大的研發實力，融合前沿的技術理念，飛快響應客戶的變化需求。