鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)看，AlSiC可實(shí)現(xiàn)低成本的、無需進(jìn)一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導(dǎo)石墨等）的經(jīng)濟(jì)性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時(shí)也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。鋁碳化硅可以應(yīng)用于軌道交通轉(zhuǎn)向架-框架。浙江鋁碳化硅基板焊接

IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與其設(shè)計(jì)、測(cè)試、流片、封裝等 各環(huán)節(jié)密切相聯(lián)，**終在市場(chǎng)應(yīng)用中體現(xiàn)價(jià)值認(rèn)同，良性循環(huán)形成量產(chǎn)規(guī)模，實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益。封裝技術(shù)至關(guān)重要，尤其是***產(chǎn)品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結(jié)構(gòu)，確保器件、模塊、組件、系統(tǒng)的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好，形狀可多樣化，有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等，其材料難以滿足當(dāng)今航空航天、艦船、雷達(dá)、電子戰(zhàn)、精確打擊、天基和海基系統(tǒng)對(duì)大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計(jì)算，未來的SoC芯片將達(dá)到太陽表面溫度，現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和封裝方法已不能滿足功率SoC系統(tǒng)的需求。AlSiC恰好首先在這一領(lǐng)域發(fā)揮作用，現(xiàn)以***為主，進(jìn)而推向其他市場(chǎng)。湖南優(yōu)勢(shì)鋁碳化硅產(chǎn)品介紹高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括：陶瓷多孔預(yù)制件制備、真空壓力浸滲、成型件繼續(xù)加工。

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強(qiáng)度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強(qiáng)度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強(qiáng)度及比模量可達(dá)鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復(fù)合材料能夠使制動(dòng)盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長(zhǎng)，減少運(yùn)行保養(yǎng)成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導(dǎo)熱性（豐田制造發(fā)動(dòng)機(jī)活塞導(dǎo)熱性比鑄鐵活塞導(dǎo)熱性提升4倍），在相同速度相同載荷下，制動(dòng)盤摩擦過程中溫度變化較小，熱裂紋產(chǎn)生的可能性減小、摩擦穩(wěn)定性更好；（5）、主要應(yīng)用方向及**零件：低體分鋁碳化硅主要應(yīng)用于輕量化、耐磨等方向，可替代鋁合金、鑄鋼、鑄鐵、鈦合金等材料。**零件為剎車類零件、活塞及連桿、戰(zhàn)機(jī)腹鰭、直升機(jī)旋翼模鍛件等。

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時(shí)集成低、高體分鋁碳化硅材料設(shè)計(jì)、材料制造（陶瓷制備、復(fù)合成型、機(jī)械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項(xiàng)**。采取多孔陶瓷預(yù)制體+真空壓力浸滲+機(jī)械加工的技術(shù)路徑來制備鋁碳化硅復(fù)合材料。具有多種技術(shù)優(yōu)勢(shì)，如燒結(jié)周期短（燒結(jié)周期縮短為1/4以內(nèi)）、熱導(dǎo)率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項(xiàng)創(chuàng)新儲(chǔ)備技術(shù)將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于直升機(jī)模鍛件。

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，采用鋁合金作為基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度。其特性主要取決于碳化硅的體積分?jǐn)?shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅熱膨脹系數(shù)較低，比剛度較高。浙江鋁碳化硅基板焊接

因鋁碳化硅具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低（熱膨脹系數(shù)同芯片材料相近），有效減少芯片和電路開裂的幾率。浙江鋁碳化硅基板焊接

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時(shí)AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試驗(yàn)證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經(jīng)過上萬次熱循環(huán)，模塊工作良好如初，焊層完好。

AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強(qiáng)度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)***，超過銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨(dú)特的高熱導(dǎo)、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度的結(jié)合優(yōu)勢(shì)成為不可替代的材質(zhì)。 浙江鋁碳化硅基板焊接

杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)***管理的追求。公司自創(chuàng)立以來，投身于鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，是電子元器件的主力軍。陶飛侖新材料始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。陶飛侖新材料始終關(guān)注電子元器件市場(chǎng)，以敏銳的市場(chǎng)洞察力，實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏。