2、高體分鋁碳化硅的主要應用領域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導體封裝材料，已率先實現電子封裝材料的規模產業化，滿足半導體芯片集成度沿摩爾定律提高導致芯片發熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、***射頻系統芯片等封裝方面作用極為凸顯，成為封裝材料應用開發的重要趨勢。

（1）、封裝類AlSiC特性：封裝材料用作支撐和保護半導體芯片的金屬底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外殼，構成導熱性能比較好，總耗散功率提高到數十瓦,全氣密封性，堅固牢靠的封裝結構，為芯片、HIC提供一個高可靠穩定的工作環境，具體材料性能是個優先關鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性如下表所示，可見封裝類鋁碳化硅綜合性能***優于其他材料。 高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛星光學反射鏡中。湖北使用鋁碳化硅發展現狀

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料，采用鋁合金作為基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作為增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。上海大規模鋁碳化硅方法高體分鋁碳化硅用于空間掃描機構框架中。

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關鍵的復雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關鍵的光學對準部分無需額外的加工，保證光電器件的對接，降低成本。此外，AlSiC有優良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。

AlSiC金屬基復合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料，為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金，尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。

真空壓力浸滲法

工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機加（—表面處理）

工藝設備：真空壓力浸滲爐

工藝優勢：1、可實現近凈成型加工，尤其是復雜的零件；2、組織致密度高，材料性能好；3、相對于粉末冶金，其工藝過程易于控制。

工藝不足：1、對成型設備要求高；2、受限于設備尺寸，制造大尺寸零件困難；3、組織易粗大。

適應性：高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應用。 鋁碳化硅可替代鋁、銅、銅鎢、銅鉬等應用于高功率封裝領域。

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產品時多采用熔滲法，其實質是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強度的多孔碳化硅基體預制件，再滲以熔點比其低的金屬填充預制件，其理論基礎是在金屬液潤濕多孔基體時，在毛細管力作用下，金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預制作孔隙，脫模無需機械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。高體分鋁碳化硅已經用于天空二號太陽板支架中。上海標準鋁碳化硅原料

杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復合材料的研發、生產、銷售和技術服務為一體的高科技企業。湖北使用鋁碳化硅發展現狀

鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點，如何設計產品，才能在保障產品的可用性前提下盡量降低成本呢？下面羅列出一些設計原則，作為設計人員的參考（當然，您也可以完全不必操心這些事情，把您的產品圖紙、用途和使用環境郵件發送給我們，我們會遵循鋁碳化硅的生產工藝原則，為您設計出產品圖，發回給您審核）：

1：尺寸精度：鋁碳化硅材料為各向同性材料，不論在哪個方向上，零件的鑄造尺寸公差應大于1.5/1000。

2.平面度：產品平面度可以做到0.75/1000。

3.表面光潔度：形狀簡單的產品，表面光潔度可以做到1.6微米；形狀復雜的產品，如齒板的齒，表面光潔度可以做到3.2微米。如需要更高光潔度，可以加拋光工序。

4.盡量不設計螺絲孔、通孔、沉孔等孔類結構在零件上，能用U形孔替代，則盡量使用U形孔。 湖北使用鋁碳化硅發展現狀

杭州陶飛侖新材料有限公司位于塘棲鎮富塘路37-3號1幢201-1室，交通便利，環境優美，是一家生產型企業。公司致力于為客戶提供安全、質量有保證的良好產品及服務，是一家有限責任公司（自然）企業。公司業務涵蓋鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，價格合理，品質有保證，深受廣大客戶的歡迎。陶飛侖新材料以創造***產品及服務的理念，打造高指標的服務，引導行業的發展。