碳化硅多孔陶瓷預制體制備工藝技術主要研究內容包含：碳化硅顆粒級配粉料配置、碳化硅陶瓷顆粒表面改性、碳化硅陶瓷粉料混料、造粒、過篩、二次造粒、干壓、烘干排膠、燒結**部分。在技術方法和路線上采用添加造孔劑和粘結劑進行壓制成型技術制備碳化硅預制型，采用低溫燒結技術制備高體積分數碳化硅陶瓷多孔預制體，采用阿基米德排水法測定碳化硅陶瓷的密度、體積分數、氣孔率，通過三點彎曲法用萬能拉力試驗機測定碳化硅陶瓷的抗彎強度。粗細顆粒陶瓷表面微處理后精細程度高，有效提高成品表面質量精度及降低鑄造產品的后加工難度。天津新型碳化硅預制件制定

SiC陶瓷的優異性能與其獨特的結構是密切相關的：SiC是共價鍵很強的化合物，SiC中Si-C鍵的離子性*12％左右。因此，SiC具有強度高、彈性模量大，具有優良的耐磨損性能。純SiC不會被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發生氧化，但氧化時表面形成的SiO2會抑制氧的進一步擴散，故氧化速率并不高。在電性能方面，SiC具有半導體性，少量雜質的引入會表現出良好的導電性。此外，SiC還有優良的導熱性等等。天津標準碳化硅預制件原料杭州陶飛侖新材料公司已研發出多種生產多孔陶瓷的工藝方法。

在強碳-硅共價鍵作用下，SiC多孔陶瓷具有機械強度大，耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點，其在高溫煙氣除塵、水處理和氣體分離等方面有著***的應用前景，而且與氧化物陶瓷膜和有機膜相比，SiC有著更優異的抗污染性能。然而，SiC陶瓷燒結溫度高，純質SiC燒結溫度通常需要高達2000℃。添加燒結助劑可以有效降低SiC的燒成溫度，常用的燒結助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料，如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物，高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質。

添加造孔劑法：

添加造孔劑法是指在原料中添加造孔劑，利用造孔劑在坯體中占據一定的空間，然后在升溫或燒結過程中，使造孔劑燃盡或揮發而在陶瓷體中留下孔隙來制備多孔陶瓷。其工藝與普通陶瓷工藝相似，關鍵在于造孔劑種類和用量的選擇，以及在基料中的均勻分布性。

優點：采用不同的成型方法可制得形狀復雜、氣孔結構各異的制品，工藝過程簡單，添加劑少，成本較低；缺點：難以制取高氣孔率制品，氣孔分布均勻性較差，對造孔劑的分散性要求比較高等。 杭州陶飛侖生產的碳化硅多孔陶瓷預制體具有良好的加工性能。

模板法

模板法是將陶瓷漿料或前驅物注入具有多孔結構的模板材料，隨后通過一系列的處理便可得到與模板材料結構相似的多孔陶瓷。模板法可分為2類：一種是使用人工合成材料的有機泡沫浸漬法；另一種是使用自然生物作為模板材料的生物炭模板法。

①有機泡沫浸漬法：該法是用有機泡沫浸漬陶瓷漿料，干燥后在高溫下燒掉有機泡沫載體形成孔隙結構而獲得多孔陶瓷的一種方法。優點：設備少，制造成本低，工藝過程易控制，制品具有開孔三維網狀骨架結構且氣孔相互貫通；缺點：不能制造小孔徑閉氣孔制品，孔隙形狀受有機前驅體制約以及孔筋機械強度不夠高。 杭州陶飛侖新材料公司生產的多孔陶瓷結構件不含對復合材料性能有抑制作用的雜質。河南使用碳化硅預制件發展現狀

杭州陶飛侖新材料有限公司可按照客戶要求定制化生產各種陶瓷預制體。天津新型碳化硅預制件制定

發泡成型法是將氣體或者可以通過后續處理產生氣體的物質加入陶瓷坯體或前驅體，然后再經過燒結得到多孔碳化硅陶瓷。與其他制備方法不同，發泡法是一種有效的制備閉孔陶瓷的工藝。化學法是指多孔碳化硅陶瓷中的孔狀結構是由無機鹽或添加的有機物質分解或發生反應之后，在原位置留下空位。常見的化學法制備多孔碳化硅陶瓷的方法有添加造孔劑法、有機泡沫浸漬法及生物模板法等。綜合國內外的發展現狀，每種制備技術都有各自的優勢與不足。現代工業科技的飛速發展，對新材料、新技術不斷提出更高的要求。天津新型碳化硅預制件制定

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