AlSiC的典型熱膨脹系數為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質上消除了。同時AlSiC材質的熱導率可高達（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導率還高50%。英飛凌試驗證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經過上萬次熱循環，模塊工作良好如初，焊層完好。

AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現***，超過銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨特的高熱導、低熱膨脹系數和抗彎強度的結合優勢成為不可替代的材質。 鋁碳化硅可以應用于軌道交通轉向架-框架。多功能鋁碳化硅制定

火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國***火星探測任務工程火星探測器*****孫澤洲介紹，為適應火星的特殊環境，火星車將采用復合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份。大規模鋁碳化硅設計鋁碳化硅以其優越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料，廣泛應用于電子封裝領域。

鋁碳化硅在T/R組件中的應用：本世紀初，美國的AlSiC年產量超過100萬件，T/ R模塊已經由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯合開發機載AESA及T/R模塊技術，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續升溫。

鋁碳化硅材料成型制造技術的發展趨勢：鋁碳化硅的材料成型方法還在不斷改進和發展，高效、低成本、批量生產的方法仍需研究開發，這將關系到鋁碳化硅材料的廣泛應用和發展。當前，現代制造技術的發展為鋁碳化硅復合材料的制備從理論研究到具體應用提供了有力的保證。計算機技術、現代測試技術、新材料技術的完善，使復合材料的制備技術、工藝不斷推出，這些工藝本身也有交叉并相互融合，鋁碳化硅材料制備技術的發展趨勢必將是多學科、多種技術相“復合”的綜合過程。高體分鋁碳化硅用于**慣性導航臺體中。

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關鍵的復雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關鍵的光學對準部分無需額外的加工，保證光電器件的對接，降低成本。此外，AlSiC有優良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。

AlSiC金屬基復合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料，為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金，尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 鋁碳化硅已經應用于PW4000發動機風扇出口導葉。浙江鋁碳化硅 led用基板

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鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。多功能鋁碳化硅制定

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