鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優異的力學性能和物理性能，被用于電子封裝構件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應用。高體分SiCp/Al復合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。杭州陶飛侖新材料有限公司可生產大尺寸的鋁碳化硅結構件。安徽有什么鋁碳化硅設計標準

更為引人注目的是，在20世紀90年代末，鋁碳化硅在大型客機上獲得正式應用。普惠公司從PW4084發動機開始，將DWA公司生產的擠壓態顆粒增強變形鋁合金基復合材料（6092/SiC/17.5p-T6）作為風扇出口導流葉片，用于所有采用PW4000系發動機的波音777上。普惠公司的研發工作表明：作為風扇出口導流葉片或壓氣機靜子葉片，鋁基復合材料耐沖擊（冰雹、鳥撞等外物損傷）能力比樹脂基（石墨纖維/環氧）復合材料好，且任何損傷易于發現。此外，還具有七倍于樹脂基復合材料的抗沖蝕（沙子、雨水）能力，并使成本下降三分之一以上。上海有什么鋁碳化硅包括哪些因鋁碳化硅具有輕量化、高剛度、熱穩定性優異的特點，在航空、航天領域已廣泛應用。

鋁碳化硅在T/R組件中的應用：本世紀初，美國的AlSiC年產量超過100萬件，T/ R模塊已經由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯合開發機載AESA及T/R模塊技術，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續升溫。

IC產業的發展與其設計、測試、流片、封裝等 各環節密切相聯，**終在市場應用中體現價值認同，良性循環形成量產規模，實現經濟效益。封裝技術至關重要，尤其是***產品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結構，確保器件、模塊、組件、系統的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好，形狀可多樣化，有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等，其材料難以滿足當今航空航天、艦船、雷達、電子戰、精確打擊、天基和海基系統對大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計算，未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度，現有的設計和封裝方法已不能滿足功率SoC系統的需求。AlSiC恰好首先在這一領域發揮作用，現以***為主，進而推向其他市場。杭州陶飛侖新材料有限公司鋁碳化硅產品覆蓋輕質耐磨/高精密結構件、微波電子/光電/大功率 IGBT 模塊封裝等。

5、鋁碳化硅材料制機械加工技術介紹：

鋁碳化硅材料，尤其是高體分鋁碳化硅機械加工是產品制造中的難點環節，主要體現在鋁碳化硅的高耐磨，以及加工周期長等方面。

（1）、傳統機械加工技術：SiC增強體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質合金刀具)的硬度高的多，在機械加工的過程中會引起劇烈的刀具磨損。PCD金剛石刀具雖然比增強體顆粒的硬度高，但硬度值相差不大，在切削加工高體分的顆粒增強AlSiC復合材料時仍然會快速磨損，且PCD金剛石刀具成本更高。眾多研究表明，隨著SiC含量的增大(13%～70%)，可切削性越來越差，加工效率隨之降低，生產成本快速增加。若以45#鋼的切削性能為1計量，此種材料的切削性能*為0.05～0.3。因此，復合材料的難加工性和昂貴的加工成本限制了AlSiC復合材料的廣泛應用。 鋁碳化硅已經應用于PW4000發動機風扇出口導葉。天津大規模鋁碳化硅產業化

鋁碳化硅以其優越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料，廣泛應用于電子封裝領域。安徽有什么鋁碳化硅設計標準

熔滲法是AlSiC制備的關鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據生產過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備，滲透時間較短，有效控制Al與SiC的界面反應，同時與精度的模具相配套，獲得實用性發展。后者是將Al合金錠放置在SiC預制件上，在合金熔點以上保溫，Al合金液依托毛細管力的作用自發滲入預制件中，所需設備簡單，易于低成本制備，但產品的機械性能與熱性能略低，對基體合金的成分有較為嚴格的要求，浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分數可在15% ~ 75%之間調節，SiC承載量大，但較難實現材料的一次成形。安徽有什么鋁碳化硅設計標準

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