***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當代封裝業來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結合，能滿足多功能特性及設計要求，具有高導熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優異性能，是當今芯片封裝的***型材料。目前已大量應用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領域。高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛星光學反射鏡中。湖北多功能鋁碳化硅銷售電話

封裝金屬基復合材料的增強體有數種，SiC是其中應用**為***的一種，這是因為它具有優良的熱性能，用作顆粒磨料技術成熟，價格相對較低；另一方面，顆粒增強體材料具有各向同性，**有利于實現凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據兩相比例或復合材料的熱處理狀態，可對材料熱物理與力學性能進行設計，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分數尤為重要，實際應用時，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。上海好的鋁碳化硅生產廠家高體分鋁碳化硅廣泛應用于高鐵的大功率IGBT模塊中。

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地擴散熱控元件的熱量。（5）、主要應用方向及**零件：可同時運用于***和民用領域的熱管理材料領域，**零件如***電子IGBT基板、印刷電路板（PCB）基板、封裝散熱底板、電子元件基座及外殼、功率放大模塊外殼及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。

鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點，如何設計產品，才能在保障產品的可用性前提下盡量降低成本呢？下面羅列出一些設計原則，作為設計人員的參考（當然，您也可以完全不必操心這些事情，把您的產品圖紙、用途和使用環境郵件發送給我們，我們會遵循鋁碳化硅的生產工藝原則，為您設計出產品圖，發回給您審核）：

1：尺寸精度：鋁碳化硅材料為各向同性材料，不論在哪個方向上，零件的鑄造尺寸公差應大于1.5/1000。

2.平面度：產品平面度可以做到0.75/1000。

3.表面光潔度：形狀簡單的產品，表面光潔度可以做到1.6微米；形狀復雜的產品，如齒板的齒，表面光潔度可以做到3.2微米。如需要更高光潔度，可以加拋光工序。

4.盡量不設計螺絲孔、通孔、沉孔等孔類結構在零件上，能用U形孔替代，則盡量使用U形孔。 高體分鋁碳化硅用于**慣性導航臺體中。

鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。因鋁碳化硅具有熱導率高、熱膨脹系數低（熱膨脹系數同芯片材料相近），有效減少芯片和電路開裂的幾率。浙江標準鋁碳化硅行業標準

鋁碳化硅已經應用于發動機缸套。湖北多功能鋁碳化硅銷售電話

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例，在同樣的強度和剛度條件下，可減重高達80%以上。（2）、低膨脹系數：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數一般為（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），遠低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）、Mo/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）等傳統封裝材料，與Si、GaAs、AlN等無機陶瓷基片材料熱匹配良好。湖北多功能鋁碳化硅銷售電話

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