在我國工業和信息化部于2019年印發的《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2019年版）》中，收錄了鋁碳化硅復合材料，并對相關性能提出了明確要求：熱導率 W(m·k)室溫≥200抗彎折強度≥300MPa熱膨脹系數 ppm/℃（RT～200℃）＜9

杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅相關產品性能可完全滿足上述要求，并有大幅優勢。

我們相信在全球新時代技術**的浪潮和我國“十四五”戰略規劃及**裝備改裝升級的背景下，我司生產的質量鋁碳化硅產品做為當下**有潛力的金屬基陶瓷復合新材料，在航空航天及***領域、電子封裝、汽車輕量化等領域有著巨大的市場前景。 鋁碳化硅已經應用于飛機的油箱口蓋。湖南大規模鋁碳化硅結構設計

AlSiC的典型熱膨脹系數為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質上消除了。同時AlSiC材質的熱導率可高達（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導率還高50%。英飛凌試驗證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經過上萬次熱循環，模塊工作良好如初，焊層完好。

AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現***，超過銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨特的高熱導、低熱膨脹系數和抗彎強度的結合優勢成為不可替代的材質。 湖南多功能鋁碳化硅設備杭州陶飛侖新材料有限公司生產的高體分鋁碳化硅涵蓋50%-75%體分。

（2）、增強體SiC與基體鋁浸潤性差的問題：增強材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關鍵技術，基體對增強材料浸潤性差，有時根本不發生潤濕現象。該問題主要解決方法：①、加入合金元素，優化基體組分，改善基體對增強體的浸潤性，常用的合金元素有：鎂、硅等；②、對增強材料SiC進行表面處理，涂敷一層可抑制界面反應的涂層，可有效改善其浸潤性，表面涂層涂覆方法較多，如化學氣相沉積，物***相沉積，溶膠－凝膠和電鍍或化學鍍等。

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料，采用鋁合金作為基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作為增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。杭州陶飛侖新材料有限公司研制的產品表面金屬化焊接孔隙率小于3%。

鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產業化趨勢看，AlSiC可實現低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導石墨等）的經濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環及可靠性。鋁碳化硅可有效防止大功率元器件熱失效問題。使用鋁碳化硅好選擇

高體分鋁碳化硅廣泛應用于高鐵的大功率IGBT模塊中。湖南大規模鋁碳化硅結構設計

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預制件中，通過金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中，可在**需要的部位設置這些成本相對較高的快速散熱材料，降低成本，擴大生產規模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統正在接受測試和評估。另外，還可并存集成48號合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環、基片等，在熔滲之前插入SiC預成形件內，在AlSiC復合成形過程中，經濟地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。湖南大規模鋁碳化硅結構設計

杭州陶飛侖新材料有限公司屬于電子元器件的高新企業，技術力量雄厚。公司致力于為客戶提供安全、質量有保證的良好產品及服務，是一家有限責任公司（自然）企業。公司擁有專業的技術團隊，具有鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷等多項業務。陶飛侖新材料將以真誠的服務、創新的理念、***的產品，為彼此贏得全新的未來！