固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉爐法。阿奇遜法首先由Acheson發明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實質是高溫強電場作用下的電化學反應,己有上百年大規模工業化生產的歷史,這種工藝得到的SiC顆粒較粗。此外,該工藝耗電量大,其中用于生產,為熱損失。20世紀70年代發展起來的法對古典Acheson法進行了改進,80年代出現了豎式爐、高溫轉爐等合成β一SiC粉的新設備,90年代此法得到了進一步的發展。Ohsakis等利用SiO2與Si粉的混合粉末受熱釋放出的SiO氣體,與活性炭反應制得日一,隨著溫度的提高及保溫時間的延長,放出的SiO氣體,粉末的比表面積隨之降低。杭州陶飛侖新材料公司已研發出多種生產多孔陶瓷的工藝方法。天津優勢碳化硅預制件行業標準

發泡法

發泡法是通過向陶瓷組分中添加有機或無機化學物質作為發泡劑，在加熱處理時形成揮發性氣體，產生泡沫，經干燥和燒成后制得碳化硅多孔陶瓷。在制備過程中，發泡劑選擇非常關鍵，通過調整發泡劑種類及陶瓷料漿中各成分比例，可控制制品的性能。

優點包括：該方法更容易制得一定形狀、組成和密度的多孔陶瓷，而且還可以制備出小孔徑的閉口氣孔。缺點包括：對原料的要求比較高，工藝條件不易控制，難以獲得小范圍孔徑分布的陶瓷。 浙江質量碳化硅預制件檢測技術碳化硅多孔陶瓷密度、孔隙率、體份、抗彎強度等性能檢測方法多種，檢測精度不同，檢測結果存在一定差異。

在強碳-硅共價鍵作用下，SiC多孔陶瓷具有機械強度大，耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點，其在高溫煙氣除塵、水處理和氣體分離等方面有著***的應用前景，而且與氧化物陶瓷膜和有機膜相比，SiC有著更優異的抗污染性能。然而，SiC陶瓷燒結溫度高，純質SiC燒結溫度通常需要高達2000℃。添加燒結助劑可以有效降低SiC的燒成溫度，常用的燒結助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料，如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物，高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質。

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，*次于世界上**硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。

碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發現碳化硅1907年***只碳化硅晶體發光二極管誕生1955年理論和技術上重大突破，LELY提出生長***碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會議進行學術交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯進行研究。到1978年***采用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法。

坯體燒結工藝曲線設計主要是根據坯體中所添加的造孔劑、粘結劑等物質的熔點進行設計。

模板法

模板法是將陶瓷漿料或前驅物注入具有多孔結構的模板材料，隨后通過一系列的處理便可得到與模板材料結構相似的多孔陶瓷。模板法可分為2類：一種是使用人工合成材料的有機泡沫浸漬法；另一種是使用自然生物作為模板材料的生物炭模板法。

①有機泡沫浸漬法：該法是用有機泡沫浸漬陶瓷漿料，干燥后在高溫下燒掉有機泡沫載體形成孔隙結構而獲得多孔陶瓷的一種方法。優點：設備少，制造成本低，工藝過程易控制，制品具有開孔三維網狀骨架結構且氣孔相互貫通；缺點：不能制造小孔徑閉氣孔制品，孔隙形狀受有機前驅體制約以及孔筋機械強度不夠高。 杭州陶飛侖新材料有相似生產的多孔陶瓷預制體可有效提高復合材料的成品率。山西多功能碳化硅預制件生產過程

杭州陶飛侖新材料有限公司可按照客戶要求定制化生產各種陶瓷預制體。天津優勢碳化硅預制件行業標準

SiC因為具備低熱膨脹系數、高熱導率、優異的高溫化學、力學穩定性及高的水通量、生物兼容性而在陶瓷膜的發展過程中受到***關注。由于SiC是共價化合物，純SiC需要在2000℃左右才能完成燒結，這種制備方法燒結溫度過高，在實際生產中常通過添加低溫燒結助劑的方式來有效降低其燒結溫度。高溫燒結會產生二氧化硅玻璃相，對復合材料的導熱率有抑制影響，杭州陶飛侖新材料有限公司研究生產的鋁碳化硅復合材料，所采用的碳化硅多孔陶瓷預制件是采用的新型工藝，無二氧化硅玻璃相的產生。天津優勢碳化硅預制件行業標準

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