1.直寫成型（DIW）：DIW 技術的打印原理是在計算機的輔助下，將具有高粘度的材料通過噴頭擠壓成長絲，按照計算機輸出的模型橫截面進行構建，然后逐層“書寫”建立三維結構，***將制得的預制件進行熱解、燒結。DIW技術制備碳化硅陶瓷的優點主要是簡易、便宜、快捷，對打印具有周期性規律結構、網狀多孔結構的材料具有較大優勢，常用于制備具有大孔結構、桁架結構的陶瓷部件；但是存在致密度低、打印精度低、產品表面質量差、氣孔率高、強度低等缺點。杭州陶飛侖新材料有相似生產的多孔陶瓷預制體可有效提高復合材料的成品率。通用碳化硅預制件檢測技術

多孔陶瓷制備的氣體過濾器的優點是排氣阻力小、再生方便和過濾效果高。多孔SiC陶瓷具有壓力損失低，耐熱性、耐熱沖擊性以及油煙捕集效率高等特性，使其在柴油機油煙收集過濾方面得到了***關注。多孔SiC陶瓷具有孔率高、熱導率高、力學性能良好、抗氧化和耐腐蝕等優點，同時其表面通常凹凸不平，存在大量微孔。當作為催化劑載體時，這種特殊的顯微結構極大地增加了兩相接觸面積。此外，其較高的熱導率可使催化劑達到反應所需活化溫度的時間**縮短。山東好的碳化硅預制件SiC顆粒增強鋁基復合材料是各向同性、顆粒價格比較低、來源**廣、復合制備工藝多樣、**易成形和加工的。

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，*次于世界上**硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。

碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發現碳化硅1907年***只碳化硅晶體發光二極管誕生1955年理論和技術上重大突破，LELY提出生長***碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會議進行學術交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯進行研究。到1978年***采用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法。

杭州陶飛侖新材料有限公司在碳化硅陶瓷預制件制備技術研究過程中，主要對一下方面進行重點研究：SiC陶瓷顆粒分布設計：該方法既涉及預制型產品的孔隙率，也要考慮空隙的規則分布，使***鋁的浸滲飽和充實，方便材料的加工，傳統制造過程由于技術缺陷容易造成浸漬過程陶瓷死角無法浸實的情況，導致產品性能和良率下降。擬解決的關鍵技術難點：碳化硅毛坯的孔徑分布控制技術；碳化硅含量連續可調的預制型制備技術；碳化硅預制型孔內死角填充技術。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的多孔陶瓷骨架有效避免鋁碳化硅鑄件內部裂紋、斷裂、變形等缺陷的產生。

鋁碳化硅（AlSiC）復合材料是大功率IGBT封裝的理想材料，目前先進制備技術主要被美日系企業壟斷，國內廠商面臨**、制造水平、加工技術等多方面的壁壘，國內大功率IGBT封裝用AlSiC產品主要依賴于從日本進口。受國內政策支持影響，近年來出現了一批AlSiC復合材料制備的企業，雖然他們在鋁碳化硅復合材料制備技術上取得了較大的發展和進步，但主要集中在復合材料結構件和低體分（≤40%）制造方面，大功率IGBT用高體分（≥55%）的AlSiC復合材料存在加工精度低和焊接性能差的技術壁壘問題并沒有得到有效解決。杭州陶飛侖通過仿真模擬軟件模擬鋁碳化硅鑄件成型工藝參數與碳化硅陶瓷預制體強度之間的關系。山東碳化硅預制件設備

杭州陶飛侖研制的碳化硅陶瓷預制件無二氧化硅玻璃相，對復合材料熱導率無抑制作用。通用碳化硅預制件檢測技術

多孔重結晶碳化硅陶瓷(recrystallized silicon Carbides，RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質相而具有優異的高溫力學性能、熱穩定性、耐腐蝕性能、高熱導率以及較小的熱膨脹系數，作為高溫結構材料***用于航空航天等領域。而且由于燒結過程中不收縮，可以制備形狀復雜、精度較高的部件。目前，針對RSiC的研究和應用，一方面在于提高其致密度用于極端環境服役的高溫結構材料，另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過濾催化用的多孔結構/功能材料。通用碳化硅預制件檢測技術

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家生產型類企業，積極探索行業發展，努力實現產品創新。陶飛侖新材料是一家有限責任公司（自然）企業，一直“以人為本，服務于社會”的經營理念;“誠守信譽，持續發展”的質量方針。公司擁有專業的技術團隊，具有鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷等多項業務。陶飛侖新材料順應時代發展和市場需求，通過**技術，力圖保證高規格高質量的鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷。