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來源: 發布時間:2021-12-17

AESA由數以千計的T/R模塊(有的高達9 000 個左右)構成,在每個T/R模塊內部都有用GaAs 技術制作的功率發射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片,**終生產關鍵在其封裝技術上,因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導熱、輕質于一體,采用AlSiC外殼封裝T/R模塊,包括S、C、X、Ku波段產品,可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達,其AESA直 徑約1m,用2 000個T/R模塊構成,每個T/R模塊 輸出功率10W,移相器6位,接收噪聲系數2.9dB,體積6.4cm3,重14.88g,平均故障間隔MTBF20萬h,其發射功率比初期產品增加16倍,接收噪聲系數降低1倍,體積重量減少83%,成本下降82%。以1000個T/R模塊構成機載AESA雷達為例,用 AlSiC替代Kovar,雷達重量可減輕34kg,而熱導率比Kovar提高10余倍,且提高整機可靠性MTBF達2000h以上。試驗表明,即使AESA中10%的T/R模塊產生故障,對系統無***影響,30%失效時,仍可維持基本工作性能,具有所謂的“完美降級” 能力。鋁碳化硅已經應用于機床-主軸、導軌。河北優勢鋁碳化硅銷售電話

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度,復合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內進行調節, 由此決定了產品的競爭力,相繼開發出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇,要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點,其熱導率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。基體是強度的主要承載體,一般選用6061、 6063、2124、A356等**度Al合金,與SiC按一定比例和不同工藝結合成AlSiC,解決SiC與Al潤濕性差,高SiC含量難于機加工成形等問題,成為理想的封裝材料。浙江鋁碳化硅體積分數鋁碳化硅已經應用于PW4000發動機風扇出口導葉。

在我國工業和信息化部于2019年印發的《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019年版)》中,收錄了鋁碳化硅復合材料,并對相關性能提出了明確要求:熱導率 W(m·k)室溫≥200抗彎折強度≥300MPa熱膨脹系數 ppm/℃(RT~200℃)<9

杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅相關產品性能可完全滿足上述要求,并有大幅優勢。

我們相信在全球新時代技術**的浪潮和我國“十四五”戰略規劃及**裝備改裝升級的背景下,我司生產的質量鋁碳化硅產品做為當下**有潛力的金屬基陶瓷復合新材料,在航空航天及***領域、電子封裝、汽車輕量化等領域有著巨大的市場前景。

大電流IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在工作時,會產生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中,考慮的目標是消除熱結。那么,需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設盡量暢通。銅基板具有良好的導熱能力,但銅的熱膨脹系數接近IGBT芯片的三倍,而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達50mmx60mm,這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話,焊接的銅基板經受不住1000次熱循環,焊接外緣就會出現分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊,如長期在震動環境下使用,如軌道機車、電動汽車、飛機等,其可靠性會大幅下降。那么,如何牢固封裝高功率IGBT模塊,使其在震動、高溫、粉塵等環境下可使用呢?業界的辦法是采用AlSiC材料來制作IGBT基板。杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復合材料的研發、生產、銷售和技術服務為一體的高科技企業。

在國內,隨著AESA產品的定型,T/R模塊出現批量生產需求,其基板、殼體的生產極為關鍵,采用近凈成形技術,研制出小批量T/R模塊封裝外殼樣品。用無壓溶滲AlSiC制作基座替代W-Cu基座,封裝微波功率器件,按GJB33A-97和GJB128A-97軍標嚴格考核,器件的微波性能、熱性能無變化,可完全滿足應用要求,前者的重量只及W-Cu基座的 20%,且成本*為后者的1/3左右,有望在封裝領域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。國產L波段功率器件月批量生產累計上千只,實現某型號雷達***國產化、固態化,今后幾年會持續批量生產,S、C波段功率模塊怎樣低成本生產,將涉及AlSiC封裝材料的研發應用。高體分鋁碳化硅廣泛應用于新能源汽車的IGBT模塊中。天津有什么鋁碳化硅方法

高體分鋁碳化硅生產工藝流程多采用真空壓力浸滲法。河北優勢鋁碳化硅銷售電話

鋁基碳化硅(AlSiC)的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料,采用鋁合金作為基體,按設計要求,以一定形式、比例和分布狀態,用SiC顆粒作為增強體,構成有明顯界面的多組相復合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢,具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數(含量)及分布和粒度大小,以及鋁合金成份等因素。河北優勢鋁碳化硅銷售電話

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