目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業的深入研究，AlSiC取得了較大的產業化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導電性好的封裝材料。鋁碳化硅以其優越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料，廣泛應用于電子封裝領域。陜西大規模鋁碳化硅技術規范

鋁碳化硅制備技術介紹：

1、鋁碳化硅材料成型技術應具備的條件：

鋁碳化硅制備工藝種類較多，包含粉末冶金法、攪拌鑄造法、真空壓力浸滲法、原位生成法、無壓浸滲法等等，使增強材料SiC均勻地分布金屬基體中，滿足復合材料結構和強度要求；能使復合材料界面效應、混雜效應或復合效應充分發揮；能夠充分發揮增強材料對基休金屬的增強、增韌效果；設備投資少，工藝簡單易行，可操作性強；便于實現批量或規模生產;能制造出接近**終產品的形狀，尺寸和結構，減少或避免后加工工序。 江蘇新型鋁碳化硅推薦廠家杭州陶飛侖新材料有限公司可大批量生產高性能的鋁碳化硅復合材料。

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優異的力學性能和物理性能，被用于電子封裝構件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應用。高體分SiCp/Al復合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。

鋁碳化硅復合材料雖然有很多優點，但優點有時就是缺點，如鋁碳化硅材料抗磨，可做賽車、飛機的剎車件，但會造成機加的成本非常高。那么，整體零件一次鑄造成形，就成了鋁碳化硅零件的生產特征之一。另外，因為鋁碳化硅的鑄造環境相當**（普通的鑄造手段是無法把鋁液鑄造進陶瓷之中的），那么，通用的精密鑄造模具材料都不可使用，如精密鑄造**常見的陶瓷型殼，放到鋁碳化硅的鑄造環境下，鋁液會鑄造進型殼之中，無法打型出產品。但杭州陶飛侖新材料有限公司采用創新型工藝方法，可有效避免了此類問題的發生。高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括：陶瓷多孔預制件制備、真空壓力浸滲、成型件繼續加工。

鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產業化趨勢看，AlSiC可實現低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導石墨等）的經濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環及可靠性。高體分鋁碳化硅廣泛應用于高鐵的大功率IGBT模塊中。上海通用鋁碳化硅怎么樣

鋁碳化硅已經應用于豐田發動機缸體。陜西大規模鋁碳化硅技術規范

火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國***火星探測任務工程火星探測器*****孫澤洲介紹，為適應火星的特殊環境，火星車將采用復合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份。陜西大規模鋁碳化硅技術規范

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