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江西大規模碳化硅預制件結構設計

來源: 發布時間:2021-12-19

多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結構,它的多孔結構包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。因此需要通過制備方法來調控其孔隙率、孔徑大小及分布、孔的形狀來得到所需的多孔結構。所以,它的制備方法一直是人們的研究重點。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是由制備過程中的一系列物理現象導致的,并沒有化學反應的發生或新物質的生成。其主要機理是依靠固相物質的受熱收縮、液相的蒸發、固相的直接升華而留下的空隙而形成多孔結構。杭州陶飛侖新材料有限公司可大批量生產各種體分的碳化硅陶瓷預制體。江西大規模碳化硅預制件結構設計

模板法

模板法是將陶瓷漿料或前驅物注入具有多孔結構的模板材料,隨后通過一系列的處理便可得到與模板材料結構相似的多孔陶瓷。模板法可分為2類:一種是使用人工合成材料的有機泡沫浸漬法;另一種是使用自然生物作為模板材料的生物炭模板法。

①有機泡沫浸漬法:該法是用有機泡沫浸漬陶瓷漿料,干燥后在高溫下燒掉有機泡沫載體形成孔隙結構而獲得多孔陶瓷的一種方法。優點:設備少,制造成本低,工藝過程易控制,制品具有開孔三維網狀骨架結構且氣孔相互貫通;缺點:不能制造小孔徑閉氣孔制品,孔隙形狀受有機前驅體制約以及孔筋機械強度不夠高。 廣東質量碳化硅預制件價格多少碳化硅陶瓷骨架燒結曲線設計不合理,將導致坯體強度過高或過低、坯體中SiO2含量過高等情況發生。

SiC陶瓷的優異性能與其獨特的結構是密切相關的:SiC是共價鍵很強的化合物,SiC中Si-C鍵的離子性*12%左右。因此,SiC具有強度高、彈性模量大,具有優良的耐磨損性能。純SiC不會被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發生氧化,但氧化時表面形成的SiO2會抑制氧的進一步擴散,故氧化速率并不高。在電性能方面,SiC具有半導體性,少量雜質的引入會表現出良好的導電性。此外,SiC還有優良的導熱性等等。

SiC陶瓷的生產工藝簡述如下:碳化硅粉體的制備技術就其原始原料狀態分為固相合成法和液相合成法。

硅、碳直接反應法是對自蔓延高溫合成法的應用,是以外加熱源點燃反應物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學反應熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有耗能少、設備工藝簡單、生產率高的優點,其缺點是目發反應難以控制。此外硅、碳之間的反應是一個弱放熱反應,在室溫下反應難以點燃和維持下去,為此常采用化學爐、將電流直接通過反應體、對反應體進行預熱、輔加電場等方法補充能量。 工裝設計主要考慮了碳化硅陶瓷壓縮比、氣體排除方式、脫模效果等多個方面。

在強碳-硅共價鍵作用下,SiC多孔陶瓷具有機械強度大,耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點,其在高溫煙氣除塵、水處理和氣體分離等方面有著***的應用前景,而且與氧化物陶瓷膜和有機膜相比,SiC有著更優異的抗污染性能。然而,SiC陶瓷燒結溫度高,純質SiC燒結溫度通常需要高達2000℃。添加燒結助劑可以有效降低SiC的燒成溫度,常用的燒結助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料,如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物,高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質。對坯體中所添加的造孔劑、粘結劑等物質進行成分含量和熔點測定。安徽標準碳化硅預制件設計標準

坯體燒結工藝曲線設計主要是根據坯體中所添加的造孔劑、粘結劑等物質的熔點進行設計。江西大規模碳化硅預制件結構設計

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