真空壓力浸滲法

工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機加（—表面處理）

工藝設備：真空壓力浸滲爐

工藝優勢：1、可實現近凈成型加工，尤其是復雜的零件；2、組織致密度高，材料性能好；3、相對于粉末冶金，其工藝過程易于控制。

工藝不足：1、對成型設備要求高；2、受限于設備尺寸，制造大尺寸零件困難；3、組織易粗大。

適應性：高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應用。 高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括：陶瓷多孔預制件制備、真空壓力浸滲、成型件繼續加工。江蘇標準鋁碳化硅分類

AlSiC封裝材料產業化引起國內科研院所、大學等單位的***重視，積極著手研發其凈成形工藝，部分單位研制成功樣品，為AlSiC工業化生產積累經驗, 離規?；a尚有一定距離，存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位固化技術等問題。我們公司采用創新型制備工藝，可制備50%-75%體分的鋁碳化硅產品，在碳化硅預制件制備過程中，區別于氧化燒結法，所制備的碳化硅預制件無二氧化硅，對復合材料的熱導率無抑制作用，極大的提高了復合材料的熱導率，且極大低降低了加工成本。江蘇標準鋁碳化硅分類杭州陶飛侖新材料有限公司可對鋁碳化硅表面進行功能多元化設計。

鋁碳化硅在T/R組件中的應用：本世紀初，美國的AlSiC年產量超過100萬件，T/ R模塊已經由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯合開發機載AESA及T/R模塊技術，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續升溫。

IC產業的發展與其設計、測試、流片、封裝等 各環節密切相聯，**終在市場應用中體現價值認同，良性循環形成量產規模，實現經濟效益。封裝技術至關重要，尤其是***產品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結構，確保器件、模塊、組件、系統的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好，形狀可多樣化，有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等，其材料難以滿足當今航空航天、艦船、雷達、電子戰、精確打擊、天基和?；到y對大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計算，未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度，現有的設計和封裝方法已不能滿足功率SoC系統的需求。AlSiC恰好首先在這一領域發揮作用，現以***為主，進而推向其他市場。高體分鋁碳化硅廣泛應用于微電子的散熱基板中。

鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。杭州陶飛侖新材料有限公司在鋁碳化硅全部工藝流程的研發、生產過程中具有自主研發、生產、檢測能力。北京質量鋁碳化硅生產過程

杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅顆粒分布均勻，無顆粒聚集情況，加工性能優異。江蘇標準鋁碳化硅分類

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優異的力學性能和物理性能，被用于電子封裝構件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應用。高體分SiCp/Al復合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。江蘇標準鋁碳化硅分類

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家生產型類企業，積極探索行業發展，努力實現產品創新。公司是一家有限責任公司（自然）企業，以誠信務實的創業精神、專業的管理團隊、踏實的職工隊伍，努力為廣大用戶提供***的產品。公司業務涵蓋鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，價格合理，品質有保證，深受廣大客戶的歡迎。陶飛侖新材料自成立以來，一直堅持走正規化、專業化路線，得到了廣大客戶及社會各界的普遍認可與大力支持。