在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發的應用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料，具有其綜合的優勢性能。隨之發展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導方面優于Kovar，但其密度大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質的器件封裝材料。因鋁碳化硅具有熱導率高、熱膨脹系數低（熱膨脹系數同芯片材料相近），有效減少芯片和電路開裂的幾率。上海通用鋁碳化硅設計

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產品時多采用熔滲法，其實質是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強度的多孔碳化硅基體預制件，再滲以熔點比其低的金屬填充預制件，其理論基礎是在金屬液潤濕多孔基體時，在毛細管力作用下，金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預制作孔隙，脫模無需機械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。湖南鋁碳化硅銷售電話杭州陶飛侖公司鋁碳化硅相關方產品主要應用于航空、航天、電子、電力等多個行業。

碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱，它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領域，是解決熱學管理問題的優先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料——鋁碳化硅的應用也因此具有很大的市場潛力。

3）、增強體SiC在基體中均勻分布的問題：按結構設計需求，使增強材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關鍵技術之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中，SiC顆粒的團聚，以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項難點。該問題主要解決方法：①、對增強體SiC進行適當的表面處理，使其浸漬基體速度加快；②、加入適當的合金元素改善基體的分散性；③、施加適當的壓力，使其分散性增大；④、施加外場(磁場,超聲場等)。高體分鋁碳化硅生產工藝流程多采用真空壓力浸滲法。

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料，采用鋁合金作為基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作為增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。杭州陶飛侖可根據客戶產品技術要求定制化制備滿足客戶要求的鋁碳化硅產品。浙江有什么鋁碳化硅一體化

鋁碳化硅已經應用于制動閥片。上海通用鋁碳化硅設計

IC產業的發展與其設計、測試、流片、封裝等 各環節密切相聯，**終在市場應用中體現價值認同，良性循環形成量產規模，實現經濟效益。封裝技術至關重要，尤其是***產品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結構，確保器件、模塊、組件、系統的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好，形狀可多樣化，有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等，其材料難以滿足當今航空航天、艦船、雷達、電子戰、精確打擊、天基和海基系統對大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計算，未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度，現有的設計和封裝方法已不能滿足功率SoC系統的需求。AlSiC恰好首先在這一領域發揮作用，現以***為主，進而推向其他市場。上海通用鋁碳化硅設計

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家一般項目：技術服務、技術開發、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；新材料技術研發；模具銷售；新型陶瓷材料銷售；金屬基復合材料和陶瓷基復合材料銷售；特種陶瓷制品銷售(除依法須經批準的項目外，憑營業執照依法自主開展經營活動)。以下限分支機構經營：一般項目：金屬材料制造；特種陶瓷制品制造；模具制造；金屬工具制造(除依法須經批準的項目外，憑營業執照依法自主開展經營活動)。的公司，是一家集研發、設計、生產和銷售為一體的專業化公司。公司自創立以來，投身于鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，是電子元器件的主力軍。陶飛侖新材料始終以本分踏實的精神和必勝的信念，影響并帶動團隊取得成功。陶飛侖新材料始終關注自身，在風云變化的時代，對自身的建設毫不懈怠，高度的專注與執著使陶飛侖新材料在行業的從容而自信。