鋁碳化硅研發較早,理論描述較為完善,其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅(SiC體積比55%-75%)、中體分鋁碳化硅(SiC體積比35%-55%)、低體分鋁碳化硅(SiC體積比5%-35%)。從產業化趨勢看,AlSiC可實現低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造,還能與高散熱材料(金剛石、高熱傳導石墨等)的經濟性并存集成,滿足:大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩定性及散溫度均勻性要求,同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等器件的推薦封裝材料,提供良好的熱循環及可靠性。鋁碳化硅可有效防止大功率元器件熱失效問題。浙江標準鋁碳化硅原料
二、高體分鋁碳化硅(SiC體積比55%-75%)材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向:(1)、低密度:(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右,密度**低于W/Cu合金({11~18}g/cm3)、Mo/Cu合金({9~10}g/cm3)和Kovar合金(8.3g/cm3),可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例,在同樣的強度和剛度條件下,可減重高達80%以上。(2)、低膨脹系數:(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數一般為(6~9)×10-6m/℃(-60℃~200℃),遠低于W/Cu合金({7~13}×10-6/K)、Mo/Cu合金({7~13}×10-6/K)等傳統封裝材料,與Si、GaAs、AlN等無機陶瓷基片材料熱匹配良好。湖南有什么鋁碳化硅行業標準高體分鋁碳化硅用于空間掃描機構框架中。
IC產業的發展與其設計、測試、流片、封裝等 各環節密切相聯,**終在市場應用中體現價值認同,良性循環形成量產規模,實現經濟效益。封裝技術至關重要,尤其是***產品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結構,確保器件、模塊、組件、系統的整體可靠性。金屬封裝氣密性高,散熱性好,形狀可多樣化,有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等,其材料難以滿足當今航空航天、艦船、雷達、電子戰、精確打擊、天基和海基系統對大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計算,未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度,現有的設計和封裝方法已不能滿足功率SoC系統的需求。AlSiC恰好首先在這一領域發揮作用,現以***為主,進而推向其他市場。
封裝金屬基復合材料的增強體有數種,SiC是其中應用**為***的一種,這是因為它具有優良的熱性能,用作顆粒磨料技術成熟,價格相對較低;另一方面,顆粒增強體材料具有各向同性,**有利于實現凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(含量)及分布和粒度大小,以及Al合金成分等。依據兩相比例或復合材料的熱處理狀態,可對材料熱物理與力學性能進行設計,從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中,SiC體積分數尤為重要,實際應用時,AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸,要求CTE盡可能匹配。我司主要研制、生產低體分和高體分的金屬陶瓷復合材料。
更為引人注目的是,在20世紀90年代末,鋁碳化硅在大型客機上獲得正式應用。普惠公司從PW4084發動機開始,將DWA公司生產的擠壓態顆粒增強變形鋁合金基復合材料(6092/SiC/17.5p-T6)作為風扇出口導流葉片,用于所有采用PW4000系發動機的波音777上。普惠公司的研發工作表明:作為風扇出口導流葉片或壓氣機靜子葉片,鋁基復合材料耐沖擊(冰雹、鳥撞等外物損傷)能力比樹脂基(石墨纖維/環氧)復合材料好,且任何損傷易于發現。此外,還具有七倍于樹脂基復合材料的抗沖蝕(沙子、雨水)能力,并使成本下降三分之一以上。杭州陶飛侖公司鋁碳化硅相關方產品主要應用于航空、航天、電子、電力等多個行業。河南鋁碳化硅推薦廠家
鋁碳化硅已經應用于機床-主軸、導軌。浙江標準鋁碳化硅原料
鋁碳化硅制備技術介紹:
1、鋁碳化硅材料成型技術應具備的條件:
鋁碳化硅制備工藝種類較多,包含粉末冶金法、攪拌鑄造法、真空壓力浸滲法、原位生成法、無壓浸滲法等等,使增強材料SiC均勻地分布金屬基體中,滿足復合材料結構和強度要求;能使復合材料界面效應、混雜效應或復合效應充分發揮;能夠充分發揮增強材料對基休金屬的增強、增韌效果;設備投資少,工藝簡單易行,可操作性強;便于實現批量或規模生產;能制造出接近**終產品的形狀,尺寸和結構,減少或避免后加工工序。 浙江標準鋁碳化硅原料
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