鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產業化趨勢看，AlSiC可實現低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導石墨等）的經濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環及可靠性。因鋁碳化硅具有熱導率高、熱膨脹系數低（熱膨脹系數同芯片材料相近），有效減少芯片和電路開裂的幾率。好的鋁碳化硅量大從優

除用作慣性器件外，光學/儀表級鋁基碳化硅還可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等用作反射鏡鏡坯。例如，美國已采用碳化硅顆粒增強鋁基復合材料制成了超輕空間望遠鏡的主反射鏡和次反射鏡，主鏡直徑為0.3m。反射鏡面帶有拋光的化學鍍鎳層，鎳反射層與鋁基復合材料基材結合良好、膨脹也十分匹配。在（230-340）K之間進行320次循環后，鎳反射層仍能保持1/10可見光波長的平面度。由于結構的改進，鋁碳化硅反射鏡比傳統玻璃反射鏡輕50%以上。由于多處采用了新材料。使得整個空間望遠鏡重量*為4.54kg。質量鋁碳化硅方法高體分鋁碳化硅生產工藝流程多采用真空壓力浸滲法。

2、高體分鋁碳化硅的主要應用領域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導體封裝材料，已率先實現電子封裝材料的規模產業化，滿足半導體芯片集成度沿摩爾定律提高導致芯片發熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、***射頻系統芯片等封裝方面作用極為凸顯，成為封裝材料應用開發的重要趨勢。

（1）、封裝類AlSiC特性：封裝材料用作支撐和保護半導體芯片的金屬底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外殼，構成導熱性能比較好，總耗散功率提高到數十瓦,全氣密封性，堅固牢靠的封裝結構，為芯片、HIC提供一個高可靠穩定的工作環境，具體材料性能是個優先關鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性如下表所示，可見封裝類鋁碳化硅綜合性能***優于其他材料。

碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱，它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領域，是解決熱學管理問題的優先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料——鋁碳化硅的應用也因此具有很大的市場潛力。杭州陶飛侖是專業從事金屬陶瓷復合材料研發、生產、銷售一體型新材料公司。

倒裝芯片封裝FCP技術優勢在于能大幅度提高產品的電性能、散熱效能，適合高引腳數、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫燒結陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時還具有髙熱傳導率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護。AlSiC可制作出復雜的外形，例如，AlSiC外殼產品有多個空腔，可容納多塊芯片，用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設計。AlSiC外形表面支持不同的標識和表面處理方法，包括激光打印、油漆、油墨、絲網印刷、電鍍，完全滿足FCP工藝要求。鋁碳化硅已經應用于F16-腹鰭及蒙皮。湖北優勢鋁碳化硅分類

因鋁碳化硅具有輕量化、高剛度、熱穩定性優異的特點，在航空、航天領域已廣泛應用。好的鋁碳化硅量大從優

作為結構件或結構-功能一體化構件，中體分鋁碳化硅可用于我國高分辨率遙感衛星的光機結構。例如，在高分辨率遙感衛星的詳查相機上，若采用這種高剛度、低膨脹的復合材料制作其空間光學反射鏡坯，不僅可近無余量地獲得整體性（無需連接）的復雜輕量化結構，而且由于剛度高、韌性好、可直接加工和裝配，故而可省去現用微晶玻璃反射鏡所必須的沉重的鏡框，從而簡化結構，減輕重量，并***降低光機結構的研制周期、難度和成本。同時，由于鋁碳化硅的熱擴散系數遠高于微晶玻璃，因此可大幅度減少小光機結構的時間常數和熱慣性，使結構更容易達到熱平衡，進而易于保持光學鏡面。另外，由于采用該復合材料的光機系統在大范圍高低溫交替變化下產生的熱光學誤差較小，這將可以簡化甚至可能取消通常必須采用的主動溫控系統，從而實現降低遙感器分系統甚至整星系統的功耗、提高系統可靠性和壽命的目的。好的鋁碳化硅量大從優

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