固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉爐法。阿奇遜法首先由Acheson發明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實質是高溫強電場作用下的電化學反應,己有上百年大規模工業化生產的歷史,這種工藝得到的SiC顆粒較粗。此外,該工藝耗電量大,其中用于生產,為熱損失。20世紀70年代發展起來的法對古典Acheson法進行了改進,80年代出現了豎式爐、高溫轉爐等合成β一SiC粉的新設備,90年代此法得到了進一步的發展。Ohsakis等利用SiO2與Si粉的混合粉末受熱釋放出的SiO氣體,與活性炭反應制得日一,隨著溫度的提高及保溫時間的延長,放出的SiO氣體,粉末的比表面積隨之降低。碳化硅多孔陶瓷密度、孔隙率、體份、抗彎強度等性能檢測方法多種，檢測精度不同，檢測結果存在一定差異。江蘇標準碳化硅預制件產品介紹

根據新思界產業研究員認為的，隨著電子制造技術的不斷進步，***、二代材料越來越無法滿足當代電子封裝的需求，以鋁碳化硅及鋁硅為**的第三代封裝材料已成為主流，國內已于2013年實現了鋁碳化硅技術的突破，隨著新能源汽車的發展，國內對鋁碳化硅復合材料的需求迅速增加，其中2018年國內鋁碳化硅市場增速達到57.2%。按照相關數據顯示，預計2023年國內鋁碳化硅復合材料市場的年增幅可穩定在50%以上，可發展為細分市場中的百億級規模。河北優勢碳化硅預制件產業顆粒增強鋁基復合材料是利用顆粒自身的強度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑搭配。

顆粒堆積法制備多孔碳化硅陶瓷不需要添加額外的造孔劑，工藝簡單，而且過程也比較容易控制。但是采用該方法制備的多孔陶瓷氣孔率普遍較低，孔的形狀、孔徑以及氣孔率的高低主要受原料顆粒的形狀、粒徑大小和分布、以及燒結程度決定。冷凍干燥法是將陶瓷骨料與適量分散劑或結合劑作用下的水或有機溶劑均勻混合制成漿料，然后將混合均勻的漿料倒入模具中，在低溫條件下使其快速冷凍，讓液相基體迅速凝結為固體，而后再通過減壓或真空干燥處理使凝結的固相升華去除，從而得到在漿料內部留下定向排列孔洞結構的坯體，***經燒結制得多孔碳化硅陶瓷的方法。

熱工材料主要用作隔熱材料和換熱器隔熱材料是利用多孔陶瓷的高孔隙度（主要是閉孔）的隔熱作用換熱器則利用其巨大的孔隙度、大的熱交換面積，同時又具備耐熱耐蝕不污染等特性。

復合材料骨架材料SiC由于具有密度低、強度高和導熱性好等特點，使其成為一種常用的金屬基復合材料增強相。LI等研究發現，在含相同體積分數SiC時，以三維連續多孔SiC作為骨架制備的SiC/Al復合材料，其各項性能均優于以粉末SiC作為骨架制備的SiC/Al復合材料。 杭州陶飛侖新材料有限公司可根據客戶要求定制化生產各種復合材料線膨脹系數要求的碳化硅陶瓷預制體。

SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結構為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業應用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩定性關系。在溫度低于1600℃時，SiC以β－SiC形式存在。當高于1600℃時，β－SiC緩慢轉變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對于6H，SiC，即使溫度超過2200℃，也是非常穩定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質的固溶也會引起多型體之間的熱穩定關系變化。采用顆粒堆積法制得的制品易于加工成型，強度也想對比較高。遼寧新型碳化硅預制件

工裝設計主要考慮了碳化硅陶瓷壓縮比、氣體排除方式、脫模效果等多個方面。江蘇標準碳化硅預制件產品介紹

顆粒堆積燒結法也稱為固態燒結法，其成孔是通過顆粒堆積留下空隙形成氣孔。在骨料中加入相同組分的微細顆粒及一些添加劑，利用微細顆粒易于燒結的特點，在一定溫度下將大顆粒連接起來。由于每一粒骨料*在幾個點上與其他顆粒發生連接，因而形成大量三維貫通孔道。

多孔SiC陶瓷的制備方法的優點包括：采用顆粒堆積法制得的制品易于加工成型，并且強度也相對比較高；

多孔SiC陶瓷的制備方法的缺點包括：孔隙率比較低，一般的為20%~30%。 江蘇標準碳化硅預制件產品介紹

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