SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應(yīng)用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時(shí)，SiC以β－SiC形式存在。當(dāng)高于1600℃時(shí)，β－SiC緩慢轉(zhuǎn)變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對(duì)于6H，SiC，即使溫度超過(guò)2200℃，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質(zhì)的固溶也會(huì)引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系變化。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架可提高復(fù)合材料各方面的性能。上海標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件檢測(cè)技術(shù)

孔率是指多孔材料中孔隙所占體積與多孔材料總體積的百分比（包括開口孔、半開孔和閉合孔3種）。研究表明，多孔材料的性能主要取決于孔率。孔隙形貌是指多孔陶瓷中孔隙的形態(tài)。當(dāng)孔隙為等軸孔隙時(shí)，材料整體性能呈各向同性；但當(dāng)孔隙為條狀或扁平狀時(shí)，如通過(guò)碳化后的木材經(jīng)由滲硅反應(yīng)燒結(jié)制備的多孔SiC陶瓷，其孔隙結(jié)構(gòu)呈一定的方向性。孔隙直徑小于2nm的為微孔材料，孔隙尺寸在2~50nm之間的為介孔材料，尺寸大于20nm的為宏孔材料。受孔徑及分布影響較大的性能包括透過(guò)性、滲透速率和過(guò)濾性能。新型碳化硅預(yù)制件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)杭州陶飛侖在多孔陶瓷骨架制備方面已經(jīng)完成了充分的技術(shù)積累。

SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)述如下：碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。

硅、碳直接反應(yīng)法是對(duì)自蔓延高溫合成法的應(yīng)用,是以外加熱源點(diǎn)燃反應(yīng)物坯體,利用材料在合成過(guò)程中放出的化學(xué)反應(yīng)熱來(lái)自行維持合成過(guò)程。除引燃外無(wú)需外部熱源,具有耗能少、設(shè)備工藝簡(jiǎn)單、生產(chǎn)率高的優(yōu)點(diǎn),其缺點(diǎn)是目發(fā)反應(yīng)難以控制。此外硅、碳之間的反應(yīng)是一個(gè)弱放熱反應(yīng),在室溫下反應(yīng)難以點(diǎn)燃和維持下去,為此常采用化學(xué)爐、將電流直接通過(guò)反應(yīng)體、對(duì)反應(yīng)體進(jìn)行預(yù)熱、輔加電場(chǎng)等方法補(bǔ)充能量。

發(fā)泡成型法是將氣體或者可以通過(guò)后續(xù)處理產(chǎn)生氣體的物質(zhì)加入陶瓷坯體或前驅(qū)體，然后再經(jīng)過(guò)燒結(jié)得到多孔碳化硅陶瓷。與其他制備方法不同，發(fā)泡法是一種有效的制備閉孔陶瓷的工藝。化學(xué)法是指多孔碳化硅陶瓷中的孔狀結(jié)構(gòu)是由無(wú)機(jī)鹽或添加的有機(jī)物質(zhì)分解或發(fā)生反應(yīng)之后，在原位置留下空位。常見的化學(xué)法制備多孔碳化硅陶瓷的方法有添加造孔劑法、有機(jī)泡沫浸漬法及生物模板法等。綜合國(guó)內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀，每種制備技術(shù)都有各自的優(yōu)勢(shì)與不足。現(xiàn)代工業(yè)科技的飛速發(fā)展，對(duì)新材料、新技術(shù)不斷提出更高的要求。碳化硅預(yù)制體材料性能檢測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確，將直接導(dǎo)致鋁碳化硅浸滲工藝過(guò)程鋁液含量和工藝參數(shù)設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性。

新型特種陶瓷——多孔陶瓷件

性能優(yōu)點(diǎn):采用自主研發(fā)的創(chuàng)性型工藝方法研制，工藝過(guò)程未產(chǎn)生二氧化硅，提高M(jìn)MCs熱導(dǎo)率；開氣孔率高，提高M(jìn)MCs致密度；抗彎強(qiáng)度高，浸滲過(guò)程不易變形、斷裂，提高M(jìn)MCs成品率及結(jié)構(gòu)復(fù)雜度。可根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求，采用多種級(jí)配和顆粒粒徑，陶瓷體分可從50%到75%之間調(diào)配。

主要應(yīng)用:高體分MMCs浸滲工藝預(yù)制件；液體提純、過(guò)濾領(lǐng)域功能件；氣體吸附領(lǐng)域功能件。

主要性能指標(biāo)（SiC）：
體分%：50-75%；體密度（g/cm3）：1.6-2.4；抗彎強(qiáng)度（MPa）：≥5；開孔率%：≥99 杭州陶飛侖新材料有限公司探索出預(yù)制體強(qiáng)度與鑄件浸滲工藝及鑄件性能之間的關(guān)系。山東多功能碳化硅預(yù)制件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

碳化硅多孔陶瓷骨架性能對(duì)鋁碳化硅復(fù)合材料性能具有直接影響。上海標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件檢測(cè)技術(shù)

3D打印法制備多孔碳化硅陶瓷是近些年發(fā)展起來(lái)的一種新型制備工藝。該工藝借助于計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)的三維數(shù)據(jù)模型，通過(guò)打印頭噴射結(jié)合劑將原料粉體層層堆疊成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。3D打印法與反應(yīng)燒結(jié)工藝相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜形狀陶瓷的無(wú)模制造與近凈尺寸成型。[7]3D打印法制備多孔碳化硅陶瓷具有成型工藝簡(jiǎn)單、制備和加工效率高且無(wú)需模具等特點(diǎn)，不僅可用來(lái)制備形狀復(fù)雜、顯微結(jié)構(gòu)均勻和孔連通性好的多孔碳化硅陶瓷，而且多孔陶瓷的孔隙率和孔徑大小均可控可調(diào)。但是，該方法目前仍處于探索研究階段，工藝參數(shù)還需進(jìn)一步優(yōu)化。另外，該方法很難一步制備出**度的多孔碳化硅陶瓷，需要輔助其他工藝來(lái)制備所需制品，成本較高。上海標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件檢測(cè)技術(shù)

杭州陶飛侖新材料有限公司總部位于塘棲鎮(zhèn)富塘路37-3號(hào)1幢201-1室，是一家一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；新材料技術(shù)研發(fā)；模具銷售；新型陶瓷材料銷售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷售；特種陶瓷制品銷售(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))。以下限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng)：一般項(xiàng)目：金屬材料制造；特種陶瓷制品制造；模具制造；金屬工具制造(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))。的公司。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，是電子元器件的主力軍。陶飛侖新材料不斷開拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo)，以產(chǎn)品為平臺(tái)，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值，提供更優(yōu)服務(wù)。陶飛侖新材料始終關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場(chǎng)需求，提高產(chǎn)品價(jià)值，是我們前行的力量。