常見方法有顆粒堆積法、冷凍干燥法、溶膠凝膠法等，近年來興起的3D打印技術也可以用來直接打印制備出多孔結構。顆粒堆積燒結法是**為簡單的制備多孔碳化硅陶瓷的方法。該法的原理是利用陶瓷顆粒自身的燒結性能，在不同的SiC顆粒間形成燒結頸，從而使得顆粒堆積體形成多孔陶瓷。為了降低燒結溫度，通常添加一定量熔點較低的粘結劑使不同SiC顆粒之間形成連接。由于顆粒堆積燒結法中所有的孔隙都是由SiC顆粒之間的堆積間隙轉變而來的，因此，通過改變粉末尺寸、粘結劑種類及添加量和燒結參數，可以控制多孔陶瓷成品的孔率和孔徑。杭州陶飛侖研制的多孔陶瓷材料抗彎強度高，浸滲、運輸等過程中不易破損。遼寧好的碳化硅預制件分類

熱工材料主要用作隔熱材料和換熱器隔熱材料是利用多孔陶瓷的高孔隙度（主要是閉孔）的隔熱作用換熱器則利用其巨大的孔隙度、大的熱交換面積，同時又具備耐熱耐蝕不污染等特性。

復合材料骨架材料SiC由于具有密度低、強度高和導熱性好等特點，使其成為一種常用的金屬基復合材料增強相。LI等研究發現，在含相同體積分數SiC時，以三維連續多孔SiC作為骨架制備的SiC/Al復合材料，其各項性能均優于以粉末SiC作為骨架制備的SiC/Al復合材料。 北京使用碳化硅預制件銷售電話杭州陶飛侖新材料有限公司生產的碳化硅陶瓷預制體開氣孔率超過99.7%以上。

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，*次于世界上**硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。

碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發現碳化硅1907年***只碳化硅晶體發光二極管誕生1955年理論和技術上重大突破，LELY提出生長***碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會議進行學術交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯進行研究。到1978年***采用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法。

多孔陶瓷制備的氣體過濾器的優點是排氣阻力小、再生方便和過濾效果高。多孔SiC陶瓷具有壓力損失低，耐熱性、耐熱沖擊性以及油煙捕集效率高等特性，使其在柴油機油煙收集過濾方面得到了***關注。多孔SiC陶瓷具有孔率高、熱導率高、力學性能良好、抗氧化和耐腐蝕等優點，同時其表面通常凹凸不平，存在大量微孔。當作為催化劑載體時，這種特殊的顯微結構極大地增加了兩相接觸面積。此外，其較高的熱導率可使催化劑達到反應所需活化溫度的時間**縮短。模具設計對于陶瓷坯體成型的完整性、尺寸精度和鑄造產品的表層平面度和致密性具有決定性。

立體光刻（SLA）：SLA 技術是目前商用效果比較好的陶瓷 3D 打印技術，常用于制備高精度、復雜形狀的陶瓷材料。 SLA 打印原理是采用陶瓷粉體、光固化樹脂以及添加劑（如光引發劑、稀釋劑等）均勻混合成打印漿料，保持漿料的固含量在 50% 以上以保證經脫粘、燒結后的陶瓷零件能夠保持原形貌。首先將打印參數、3D 模型輸入計算機，由計算機控制打印頭移動，打印頭發射的激光選擇性地照射在漿料表面，光引發劑吸收對應波長的激光后受激產生自由基，引發光固化樹脂的光聚合過程，將陶瓷粉體填充在固化后的樹脂骨架中，通常是點對線、線對層，一層打印完成后，打印臺向下移動，然后進行逐層打印，獲得陶瓷預制體，再通過脫粘、燒結等過程，得到**終陶瓷零件。杭州陶飛侖在多孔陶瓷骨架制備方面已經完成了充分的技術積累。河北碳化硅預制件生產過程

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SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結構為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業應用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩定性關系。在溫度低于1600℃時，SiC以β－SiC形式存在。當高于1600℃時，β－SiC緩慢轉變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對于6H，SiC，即使溫度超過2200℃，也是非常穩定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質的固溶也會引起多型體之間的熱穩定關系變化。遼寧好的碳化硅預制件分類

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