中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）：1、性能優(yōu)勢及應用方向：（1）、高微屈服強度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的微屈強度服度可達（110～120）MPa水平，是國產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍，且無毒，可確保慣性導航系統(tǒng)中陀螺儀有效屏蔽小幅震動，保證穩(wěn)定性。（2）、高比強度、高比剛度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的高比強度特性可以降低結構件質量，實現(xiàn)武器裝備的輕量化，高比剛度可保證零件的面型（如反射鏡鏡面）精度。（3）、低膨脹系數(shù):（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅具有低熱膨脹系數(shù)（9～11）×10-6/K，可以保證結構件在較大溫差變化的情況下仍保持穩(wěn)定的尺寸。（4）、高導熱性:（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅具有高導熱性率（｛120-180｝W/m·K），可快速散熱，可避免零件過熱對機能的降低。（5）、主要應用方向及**零件：可應用于航空航天及**行業(yè)中的光學反射鏡、慣性導航系統(tǒng)零件，可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等。杭州陶飛侖是專業(yè)從事金屬陶瓷復合材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售一體型新材料公司。上海好的鋁碳化硅好選擇

鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。上海好的鋁碳化硅好選擇杭州陶飛侖可根據(jù)客戶產(chǎn)品技術要求定制化制備滿足客戶要求的鋁碳化硅產(chǎn)品。

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當代封裝業(yè)來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結合，能滿足多功能特性及設計要求，具有高導熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當今芯片封裝的***型材料。目前已大量應用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領域。

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設盡量暢通。銅基板具有良好的導熱能力，但銅的熱膨脹系數(shù)接近IGBT芯片的三倍，而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達50mmx60mm，這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話，焊接的銅基板經(jīng)受不住1000次熱循環(huán)，焊接外緣就會出現(xiàn)分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊，如長期在震動環(huán)境下使用，如軌道機車、電動汽車、飛機等，其可靠性會大幅下降。那么，如何牢固封裝高功率IGBT模塊，使其在震動、高溫、粉塵等環(huán)境下可使用呢？業(yè)界的辦法是采用AlSiC材料來制作IGBT基板。高體分鋁碳化硅已經(jīng)用于天空二號太陽板支架中。

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設計、材料制造（陶瓷制備、復合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術路徑來制備鋁碳化硅復合材料。具有多種技術優(yōu)勢，如燒結周期短（燒結周期縮短為1/4以內(nèi)）、熱導率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創(chuàng)新儲備技術將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。鋁碳化硅可以應用于軌道交通轉向架-框架。上海鋁碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀

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SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度，復合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進行調節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競爭力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點，其熱導率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。基體是強度的主要承載體，一般選用6061、 6063、2124、A356等**度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結合成AlSiC，解決SiC與Al潤濕性差，高SiC含量難于機加工成形等問題，成為理想的封裝材料。上海好的鋁碳化硅好選擇

杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務分為鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷等，目前不斷進行創(chuàng)新和服務改進，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設計、強大的技術，還有一批**的專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務。陶飛侖新材料秉承“客戶為尊、服務為榮、創(chuàng)意為先、技術為實”的經(jīng)營理念，全力打造公司的重點競爭力。